Infineon D911SH Data Sheet
SH
Datenblatt / Data sheet
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Driv e Dio d e
Elekt ri sch e Eig ens chaften / Ele ctric al p rop ert ies
Höchstzulässige Wert e / Maximum rated val ues
Periodische Rüc kwärts- S pitze nsperrspannu ng
Kenndaten
repetiti ve p eak rever se vol tag es
Durchlaßstrom-Grenzeffekti vwert
Elektrische Eigenschaften
ma xi mu m R M S o n- stat e cur re nt
Dauergrenzstr om
aver ag e on-state current
Stoßstrom-Grenz wer t
sur g e current
Grenzlasti nteg ral
I²t- value
Max. Aussc halt verluste
max. turn-o ff loss es
Charakteri stisch e Wer te / Ch aracteristic values
Gleichsp errspan nung
contin uous direct re verse volt age
Durchlaßspa nnung
on-stat e voltag e
Schl eusens pannung
threshold vol tag e
Ersatzwi derstand
sl ope r esist ance
Durchlaßkennlinie 1000A ≤ iF ≤ 2500A
on-stat e c haract eristic
TTF
Spitzenwert d er D ur chlass ver zögerung ssp annu ng
peak valu e o f for ward r ecovery volt age
Sperrstrom
reverse current
Sp er r verz ögerung sladung
reco ver ed c har g e
Rüc kstro mspitz e
peak reverse r eco ver y c urr ent
Ausschaltverlust Energie
turn-off energ y
Ab kli ngsanf theit
reverse recovery softness factor
D 911SH
Tvj = 0°C... T
V
vj max
I
TC = 85°C, f= 5 0Hz
TC = 60°C, f= 5 0Hz
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T
, tP = 10 ms
vj max
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T
T
vj
= T
, tP = 10 ms
vj max
vjmax
IFM = 25 00A, -di/dt = 1 000A/µs,
V
= 2800V,
CL
clamp circuit LS 0, 25µH,
R
= 68Ω, D
CL
= 34DSH 65,
CL
failure rate λ < 10 0
Tvj = T
, iF = 2500A
vj max
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
iDiLnCiBAv ⋅++⋅+⋅+= )1(
T
T
vj
I
FM
Tvj = T
V
vj max
r
vj max
vj max
= T
, diF/dt = 5 000A/µs
vjmax
= 4000A
, vR = V
vj max
RRM
T
= T
vjmax
vj
IFM = 25 00A, -di/dt = 1 000A/µs,
V
= 2800V,
CL
clamp circuit LS 0, 25µH,
R
CL
T
vj
= 68Ω, D
= T
vjmax
= 34DSH 65, E
CL
IFM = 2500 A, VR = 2800 V,
dirr/dt
= 1000A/µs, t = 200ns
(i=0)
4500 V
RRM
1780 A
FRMSM
I
890
FAVM
I
FSM
I²t
W
4 MW
max
V
estimate
R(D)
value
vF
typ.
(TO)
typ.
T
typ.
A 1,3 34
B 0,0 001 67
C -0,314
D 0,1 302
ma x.
A 1,39
B 0,0 001 91
C -0,303
D 0,1 308
V
typ. 350 V
FRM
i
max. 100 mA
R
Qr max. 2800 µAs
IRM max. 1200 A
ma x. 5 Ws
off
F
typ. 2,5
RRS
typ.
ma x.
ma x.
ma x.
1130 A A
17000
1445
2800 V
5,8 6 V
1,8 8
2,0 2 V V
1,5 68
1,5 92
A
A
10³ A²s
10³ A²s
V
m
m
prepar ed b y:
C. Schneider dat e of publi catio n: 2005-04-1 5
approved b y: J. Przybilla
revision: 7
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Datenblatt / Data sheet
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Driv e Dio d e
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resi sta nce , junction to c ase
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Übergang s-Wär mewi ders ta nd
thermal resistance, case to heatsi nk
Höchstzulässige Sperrschichttempera tur
maxi mu m junction te mp er at ure
Betr iebs temperatur
operati ng temp erat ure
Lagerte mper atur
storage t emperat ure
Mechan is che Eigen schaften / Mech anic al pro pe rt ies
Geh äuse , sie he Anlag e
case, s ee anne x
Si-Element mit Druc kkont a kt
Si-pellet with press ure co ntac t
Anpress kra ft
cl ampi ng force
Gewic ht
wei g ht
Kriechstrecke
cr eepag e di sta nce
Luftstrec ke
air distanc e
Feucht eklass e
humidit y classification
Schwingfestigkeit
vibra ti on r esistanc e
D 911SH
Kühlfläc he / co oling surfac e
beids eitig / two-side d, = 1 80°sin
beids eitig / two-side d, DC
Ano de / ano de, DC
Kath ode / c at hod e, DC
Kühlfläc he / co oling surface
beids eitig / two-side d
einseiti g / single-si de d
T
T
T
Seite 3
65DSX 45
F 27...45 kN
G typ. 850 g
30 mm
17 mm
DIN 40040 C
f = 50 Hz 50 m/s²
R
thJ C
R
thC H
140 °C
vj max
0...+1 40 °C
c op
-40...+1 50 °C
stg
ma x.
ma x.
ma x.
ma x.
ma x.
ma x.
0,0 111
0,0 100
0,0 174
0,0 236
0,0 030
0,0 060
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°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
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Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Driv e Dio d e
Maßbild
D 911SH
1: Anode/Anode
12
2: Kathode/Cathode
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