Infineon D901S Data Sheet
Technische Information / Technical Information
(
)
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 901 S 35 ... 45 T
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I2t-value
Period. Abklingsteilheit des Durchlaßstroms beim Ausschalten
repetitive decay rate of on-state current at turn-of
Höchstzulässige Kommutierungsspannung
als GTO Snubberdiode
maximum permissible link voltage
as GTO snubber-diode
tvj = -40°C ... t
f = 50Hz
tC = 85°C, f = 50Hz
tC = 60°C, f = 50Hz
tvj = t
i
FM
i
F
Lσ ≤ 250nH
snubberless
vj max
, tp = 10ms
vj max
= 1000A, vR = 1500 V
≤ 150A
Vorläufige Daten
Preliminary Data
V
RRM
I
FRMSM
I
FAVM
I
FSM
I2t 2,3-106A2s
(-diF/dt)
com
V
R(cr)
3500, 4000
4500
1920 A
900
1225AA
21,5 kA
1000 A/µs
2500 V
V
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
forward voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Durchlaßrechenkennlinie
On-state characteristics for calculation
V A B i C i D i
= + ⋅ + ⋅ + + ⋅ln 1
F F F F
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
Sperrstrom
reverse current
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
tvj = t
, iF = 2500A
vj max
tvj = t
vj max
tvj = t
vj max
tvj = t
vj max
tvj = t
, diF/dt = 1000A/µs
vj max
tvj = t
tvj = t
iFM = 1000A, -diF/dt = 250A/µs
vR = 1000V, CS = 0.125µF, RS = 6Ω
tvj = t
iFM = 1000A, -diF/dt = 250A/µs
vR = 1000V, CS = 0.125µF, RS = 6Ω
vj max, vR
vj max
vj max
= V
RRM
v
F
V
(TO)
r
T
max
3,5 V
1,80 V
0,68
mΩ
max.
A
B
C
D
V
FRM
i
R
I
RM
Q
r
0,0900
0,000069
0,128
0,0431
typ 70 V
250 mA
550 A
max 1500 µAs
SZ M /26.06.97 Beuermann Seite/page S1
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
D 901 S 35 ... 45 T
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode /cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single sided
R
R
t
vj max
t
c op
t
stg
Vorläufige Daten
Preliminary Data
thJC
thCK
max
0,0125
max
0,0228
max
0,0277
max
max
-40...+125 °C
-40...+150 °C
0,003
0,006
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si - Element mit Druckkontakt
Si - pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
air distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
DIN 40040
f = 50Hz
Seite 3
65DS45
F 27...45 kN
G
typ
850 g
30 mm
ca. 20 mm
C
50 m/s
2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Technische Information / Technical Information
∅
100
max
∅
62,8
C
A
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 901 S 35 ... 45 T
Vorläufige Daten
Preliminary Data
Outline Drawing
+-0.5
26
2 center holes
3.5 ×1.8
∅
SZ M /26.06.97 Beuermann Seite/page S3
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