N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetitive peak reverse voltages
Elektrische Eigenschaften
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie 2500 A ≤ iF ≤ 35000 A
on-state characteristic
Sperrstrom
reverse current
FFF
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Thermische Eigenschaften
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
prepared by:
approved by: M.Leifeld
IFBIP D AEC / 2008-04-09, H.Sandmann
H.Sandmann date of publication: 2008-04-10
Vorläufige Daten
D8320N
= -25°C... T
T
vj
I
T
= 56 °C
C
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
= T
T
vj
vj max
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
= T
T
vj
vj max
Tvj = T
vj max
= T
T
vj
vj max
Tvj = T
vj max
Tvj = T
vj max
T
= T
vj
vj max
iD)1i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=
F
Tvj = T
vj max
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
T
vj max
tP = 10 ms
, tP = 10 ms
, iF = 10,0 kA
, iF = 4,0 kA
V
r
A=
, vR = V
RRM
revision: 1
A 15/08 1/8
V
I
I
I²t 53000
v
iR
R
R
T
T
preliminary data
400
RRM
13300 A
FRMSM
8320 A
FAVM
103000
FSM
F
(TO)
0,024
T
thJC
thCH
vj max
c op
stg
max.
max.
8,869E-01
B=
C=
D=
-25...+150 °C
-25...+150 °C
2,664E-06
-4,856E-02
4,741E-03
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
Seite/page
V
600
V
A
95000
A
10³A²s
45000
10³A²s
0,940
0,795V V
0,7 V
mΩ
100 mA
0,0125
°C/W
0,0117
°C/W
0,0232
°C/W
0,0225
°C/W
0,0250
°C/W
0,0245
°C/W
0,003 °C/W
180
°C
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Mechanische Eigenschaften
Vorläufige Daten
D8320N
F 40...80 kN
G typ. 900 g
30 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
preliminary data
Seite 3
page 3
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
IFBIP D AEC / 2008-04-09, H.Sandmann
A 15/08 2/8
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Maßbild
Maßbild
D8320N
Vorläufige Daten
preliminary data
12
IFBIP D AEC / 2008-04-09, H.Sandmann
1: Anode/
Anode
2: Kathode/
A 15/08 3/8
Cathode
Seite/page
N
−
=
τ
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Transienter Wärmewiderstand
Kühlung /
Cooling
beidseitig
Analytical elements of transient thermal impedance Z
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
R
[°C/W] 0,000034 0,00057 0,000912 0,00274 0,00425 0,00320 -
thn
two-sided
τ
[s]
n
R
[°C/W]
thn
anodenseitig
anode-sided
τ
[s]
n
R
[°C/W] 0,000035
thn
kathodenseitig
cathode-sided
τ
[s]
n
Analytische Funktion / Analytical function:
Vorläufige Daten
D8320N
0,000287 0,00298 0,013500 0,13400 0,44900 2,05000 -
0,000035
0,000287
0,000287
0,00060
0,00230
0,00060
0,00300
0,001050
0,024000
0,002050
0,057000
0,00760
0,31000
0,00805
0,38000
thJC
for DC
thJC
0,00850
1,90000
0,00900
2,05000
n
max
Σ
n=1
preliminary data
für DC
0,00470
6,10000
0,00477
6,10000
-t
n
thnthJC
e1RZ
-
-
-
-
0,030
0,025
0,020
0,015
[°C/W]
thJC
Z
0,010
0,005
0,000
0,001 0,01 0,1 1 10 100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z
thJC
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
t [s ]
= f(t)
c
a
b
IFBIP D AEC / 2008-04-09, H.Sandmann
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Erhöhung des Z
Rise of Z
Diagramme
bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ
th DC
for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ
th DC
Diagramme
Kühlung / Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
45.000
∆Z
th Θ rec
[°C/W]
∆Z
th Θ sin
[°C/W]
∆Z
th Θ rec
[°C/W]
∆Z
th Θ sin
[°C/W]
∆Z
th Θ rec
[°C/W]
∆Z
th Θ sin
[°C/W]
Vorläufige Daten
D8320N
∆Z
Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30°
0,00105
0,00080
0,00090
0,00064
0,00090
0,00066
Z
th Θ rec
Z
th Θ sin
th Θ rec
= Z
= Z
/ ∆Z
0,00170
0,00112
0,00166
0,00096
0,00149
0,00094
th DC
th DC
th Θ sin
+ ∆Z
+ ∆Z
th Θ rec
th Θ sin
0,00218
0,00154
0,00220
0,00140
0,00193
0,00132
preliminary data
0,00281
0,00215
0,00298
0,00212
0,00253
0,00188
0,00376
0,00315
0,00422
0,00345
0,00345
0,00285
40.000
35.000
30.000
25.000
[A]
F
i
20.000
15.000
10.000
5.000
Durchlasskennlinie
T
= T
vj
vj max
0
0,7 0,8 0,9 1 1,1 1,2 1,3 1,4 1,5
V
[V]
F
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
T
= Tvj
vj
max
IFBIP D AEC / 2008-04-09, H.Sandmann
A 15/08 5/8
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
1600 0
1400 0
1200 0
1000 0
[W]
8000
FAV
P
6000
4000
2000
0
0 2000 4000 6000 8000 10000 12000 14000
D8320N
Durchlassverluste
b
c
d
e
f
[A]
I
FAV
Durchlassverlustleistung / On-state power loss P
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Paramet er:
a - DC
b - sin 180 °el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs belastung / Reverse voltage load)
f - sin 30° el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs belastung / Reverse voltage load)
FAV
= f(I
FAV
Vorläufige Daten
preliminary data
a
)
Tc beidseitig
Parameter:
a - D C
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60 °el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs belastu ng / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Geg enspannungs belastu ng / Reverse voltage load)
[°C]
C
180
160
140
120
100
T
80
60
40
d bef
c
20
0 2000 4000 6000 8000 10000 12000 14000
[A]
I
FAV
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
= f(I
C
FAV
)
a
IFBIP D AEC / 2008-04-09, H.Sandmann
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
1000 0
D8320N
Vorläufige Daten
preliminary data
Qr Diagramm
[µAs]
r
Q
1000
100
0,1 1 10 100 1000
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge
Qr =f(-di/dt)
T
= T
vj
RC-Glied / RC-Network: R = 2,7Ω, C = 1,5µF
vjmax , vR
≤ 0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
-di/dt [A/µs]
IFM=
6200A
3200A
1600A
800 A
400 A
100
90
80
70
60
[kA ]
50
F(OV)M
I
40
30
20
10
0
1 3 5 7 9 11131517
Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Hal bwellen
Number of pulse s of 50 Hz sinusoida l half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V
Typical dependency of maximum overload on-state current I
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V
I
= f (pulses, VRM) ; Tvj = T
F(OV)M
von der Anzahl für eine Folge von Sinus
F(OV)M
as a number of a sequence of
F(OV)M
vj max
RM
RM
0-5 0V
0,33 V
0,67 V
RRM
RRM
IFBIP D AEC / 2008-04-09, H.Sandmann
A 15/08 7/8
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
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D8320N
Vorläufige Daten
preliminary data
Nutzungsbedingungen
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Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden
Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig
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- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
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IFBIP D AEC / 2008-04-09, H.Sandmann
A 15/08 8/8
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