Infineon D8320N Data Sheet
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetitive peak reverse voltages
Elektrische Eigenschaften
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie 2500 A ≤ iF ≤ 35000 A
on-state characteristic
Sperrstrom
reverse current
FFF
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Thermische Eigenschaften
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
prepared by:
approved by: M.Leifeld
IFBIP D AEC / 2008-04-09, H.Sandmann
H.Sandmann date of publication: 2008-04-10
Vorläufige Daten
D8320N
= -25°C... T
T
vj
I
T
= 56 °C
C
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
= T
T
vj
vj max
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
= T
T
vj
vj max
Tvj = T
vj max
= T
T
vj
vj max
Tvj = T
vj max
Tvj = T
vj max
T
= T
vj
vj max
iD)1i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=
F
Tvj = T
vj max
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
T
vj max
tP = 10 ms
, tP = 10 ms
, iF = 10,0 kA
, iF = 4,0 kA
V
r
A=
, vR = V
RRM
revision: 1
A 15/08 1/8
V
I
I
I²t 53000
v
iR
R
R
T
T
preliminary data
400
RRM
13300 A
FRMSM
8320 A
FAVM
103000
FSM
F
(TO)
0,024
T
thJC
thCH
vj max
c op
stg
max.
max.
8,869E-01
B=
C=
D=
-25...+150 °C
-25...+150 °C
2,664E-06
-4,856E-02
4,741E-03
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
Seite/page
V
600
V
A
95000
A
10³A²s
45000
10³A²s
0,940
0,795V V
0,7 V
mΩ
100 mA
0,0125
°C/W
0,0117
°C/W
0,0232
°C/W
0,0225
°C/W
0,0250
°C/W
0,0245
°C/W
0,003 °C/W
180
°C
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Mechanische Eigenschaften
Vorläufige Daten
D8320N
F 40...80 kN
G typ. 900 g
30 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
preliminary data
Seite 3
page 3
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
IFBIP D AEC / 2008-04-09, H.Sandmann
A 15/08 2/8
Seite/page
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Maßbild
Maßbild
D8320N
Vorläufige Daten
preliminary data
12
IFBIP D AEC / 2008-04-09, H.Sandmann
1: Anode/
Anode
2: Kathode/
A 15/08 3/8
Cathode
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