Infineon D8019N Data Sheet

Marketing Information D 8019 N

European PowerSemiconductor and Electronics Company

GmbH + Co. KG

+0,1

ø 3,5

x 3,5 deep

on both sides

ø 65

Cathode

Anode

May 1998

D 8019 N

vj maxVRRM

vj maxVRSM

FRMSM

FAVM

FSM

vj max

vj maxVT(TO)

vj maxrT

vj max

RRMiR

thJC

thCK

vj max

c op

stg

Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte Maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage t

= -25°C... T

200, 400 V

600

Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage t

= +25°C... T Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current I Dauergrenzstrom mean forward current T

= 56°C I

Tc = 46°C 8,74 kA

Stoßstrom-Grenzwert surge forward current Tvj = 25°C, tp = 10 ms I

= T

, tp = 10 ms 95 kA

Grenzlastintegral

I2 t-value

= 25°C, tp = 10 ms

= T

, tp = 10 ms

Charakteristische Werte Characteristic values

Durchlaßspannung on-state voltage Tvj = T Schleusenspannung threshold voltage T

, iF = 10 kA V

= T Ersatzwiderstand slope resistance Tvj = T Sperrstrom reverse current Tvj = T

, VR = V

Thermische Eigenschaften Thermal properties

Innerer Widerstand thermal resistance, junction

beidseitig / two-sided, Q =180° sin

to case beidseitig / two sided, DC max. °C/W

Anode / anode, Q =180° sin Anode / anode, DC max. °C/W

Kathode / cathode, Q =180° sin Kathode / cathode, DC max. °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance,case to heatsink beidseitig / two-sided R

einseitig / single-sided max. Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature T Betriebstemperatur operating temperature T Lagertemperatur storage temperature T

250 450 650 V

13,3

8,02 kA

103

I2 t A2s

53 · 10 45 · 10

A2s

max. 0,98 V

0,70 V

0,027

max. 100 mA

max. 0,0125

°C/W 0,0117 0,0232

max. °C/W

0,0225 0,0250

max. °C/W

0,0245

max. 0,003 °C/W

180 °C

-40...+180 °C

-40...+150 °C

Mechanische Eigenschaften Mechanical properties

Anpreßkraft clamping force F 40...80 kN Gewicht weight G typ. 900 g Kriechstrecke creepage distance mm Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50

m/s

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the corresponding technical notes.

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