Infineon D749N Data Sheet

European Power­Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG

Leistungsgleichrichterdioden
Power Rectifier Diodes
D 749 N

ø36

3,5

26

16

ø36

+0,1

ø3,5 x 3,5 tief / depth

beidseitig / on both sides

Kathode
Cathode

6

Anode

7

.

x

a

m

57

25

4

VWK July 1996

D 749 N

non-repetitive peak reverse voltage

thermal resistance,case to heatsink

Elektrische Eigenschaften Electrical properties

Höchstzulässige Werte Maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage tvj = -40°C... t

Stoßspitzensperrspannung

tvj = +25°C... t

vj max

vj max

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current I
Dauergrenzstrom mean forward current tc = 100 °C I

tc = 67 °C 980 A

Stoßstrom-Grenzwert surge forward current tvj = 25°C, tp = 10 ms I

tvj = t

, tp = 10 ms 11 kA

vj max

Grenzlastintegral I2 t-value tvj = 25°C, tp = 10 ms I2 t 980 kA2s

tvj = t

, tp = 10 ms 605 kA2s

vj max

Charakteristische Werte Characteristic values

Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t
Sperrstrom reverse current tvj = t

, iF = 3 kA V

vj max

vj max

vj max

, VR = V

vj max

RRM

V

RRM

V

RSM

FRMSM

FAVM

FSM

T

V

T(TO)

r

T

i

R

= V

RRM

3600, 4000 V

4400, 4800 * V

+ 100 V

1540 A

750 A

14 kA

max. 2,94 V

0,85 V
0,65 mΩ

max. 70 mA

Thermische Eigenschaften Thermal properties

Innerer Widerstand thermal resistance, junction beidseitig/two-sided, Θ =180° sin R

thJC

max. 0,039 °C/W

to case beidseitig/two sided, DC max. 0,036 °C/W

Anode/anode, Θ =180° sin max. 0,066 °C/W
Anode/anode, DC max. 0,063 °C/W
Kathode/cathode, Θ =180° sin max. 0,087 °C/W
Kathode/cathode, DC max. 0,084 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand

beidseitig /two-sided R

thCK

max. 0,005 °C/W

einseitig /single-sided max. 0,010 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t

vj max

c op

stg

160 °C

-40...+150 °C

-40...+150 °C

Mechanische Eigenschaften Mechanical properties

Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact ∅ = 38 mm
Anpreßkraft clamping force Gehäuseform/case design T F 10...24 kN
Gewicht weight G typ. 280 g
Kriechstrecke creepage distance 36 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s
Maßbild outline Seite/page

2

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D 749 N

4000

i

[A]

F

3000

2000

1000

0

0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5

v

[V]

D749N_1

F

Bild/Fig. 1
Grenzdurchlaßkennlinie
Limiting forward characteristic iF = f (vF)

tvj = 160 °C
tvj = 25 °C

⌠

i²dt

⌡

(normiert)

0,9

0,7

0,5

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

t [ms]

D749N_4

p

Bild / Fig. 2
Normiertes Grenzlastint eg ral / Norma lized i²t
∫i²dt = f(tp)

I

F(0V)M

16

I

F(0V)M

[kA]

14

12

10

8

2a

6

4

0

D749N_5

0,1

Bild / Fig. 3
Grenzstrom / Maximum o verload forward current IF(0V)M = f(t)
1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C
2 - IFAV(vor) = 750 A; tC = 100 °C; tvj = 160 °C
a - vR ≤ 50 V
b - vR = 0,5 VRRM
c - vR = 0,8 VRRM

0,2

I

v

R

I

F(0V)M

14

14

12

12

F(0V)M

v

R

[kA]

10

1a

8

2a

1a

1b
1c

2b

6

4

2

1b
1c

2b
2c

2c

0,3

t

[s]

0

0

D749N_6

0,1

0,2

t

0,3

[s]

Bild / Fig. 4
Grenzstrom / Maximum o verload forward current IF(0V)M = f(t)
1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C
2 - IFAV(vor) = 750 A; tC = 100 °C; tvj = 160 °C
a - vR ≤ 50 V
b - vR = 0,5 VRRM
c - vR = 0,8 VRRM

∆

R

thJC

[°C/W]

0,010

D 749 N

4

10

9
8

Θ

T

Q
[µAs]

Θ

T

7

6

r

5

4

3

[A]

i

1600

FM

800

400

200

100

50

0,005

Θ

0

30 60 90 120 150 180

D749N_3

T

Θ

Bild / Fig. 5
Differenz zwischen den Wärmewiderständen
für Pulsstrom und DC
Difference between the va lues of therma l resistance for
pulse current and DC
Parameter: Stromkurv enform / Curre nt waveform

0,10

0,08

Z

(th)JC

[°C/W]

0,06

[°el]

2

3

10

0,1

D749N_7

1

-diF/dt

Bild / Fig. 6
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-diF/dt)
tvj = tvjmax; vR ≤ 0,5 VRRM; VRM = 0,8 VRRM
Beschaltung / Snubber: C = 1 µF; R = 3,9 Ω
Parameter: Durchlaßstrom / Forward current iFM

Analytische Elem ente des t ransienten Wärmewide rstandes ZthJC für DC
Analytical eleme nts o f transient thermal impedance ZthJC for DC

3

2

Kühlg.

Cooling

1

2

3

Pos.

n

Rthn °C/W

τn [s]

Rthn °C/W

τn [s]

Rthn °C/W

τn [s]

1 2 3 4 5 6 7

0,005110
0,01120
0,004690
0,00985
0,004440
0,00877

0,01574
0,1740
0,01790
0,1740
0,01680
0,1570

0,0142
1,31
0,03950
6,360
0,00750
4,11

0,05445
8,38

0,000950
0,001470
0,000910
0,001460
0,00810
0,001380

10

100

[A/µs]

0,04

0,02

0

-3

10

D749N_2

10

-2

10

-1

10

Bild / Fig. 7
Transienter innerer Wärm ewidersta nd
Transient thermal impedance ZthJC = f(t), DC
1 - Beidseitige Kühlung / Two-side d cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Ano de-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

1

3 - Kathodenseitige Kühlung / Ca thode-sided co oling

Analytische Funktion / Analytical function

max

n

ZthJC = Rthn(1-EXP(-t/τn))

Σ

n=1

0

10

1

10

2

t [s]

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