Infineon D740N Data Sheet

N

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

Datenblatt / Data sheet

D740N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung

Kenndaten

repetitive peak reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom
average on-state current

Dauergrenzstrom
average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current

Stoßstrom-Grenzwert
surge current

Grenzlastintegral
I²t-value

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung
on-state voltage

Schleusenspannung
threshold voltage

Ersatzwiderstand
slope resistance

Durchlaßkennlinie 200 A ≤ iF ≤ 4000 A
on-state characteristic

Sperrstrom
reverse current

FFF

Thermische Eigenschaften

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature

Lagertemperatur
storage temperature

prepared by:

approved by: M.Leifeld

H.Sandmann date of publication: 2009-03-04

IFBIP D AEC / 2009-03-04 / H.Sandmann

= -25°C... T

T

vj

I

= 100 °C

T

C

TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms I

I

Tvj =25 °C, tP = 10 ms
T

= T

vj

vj max

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T

= T

vj

vj max

Tvj = T

vj max

T

= T

vj

vj max

Tvj = T

vj max

Tvj = T

vj max

T

= T

vj

vj max

iD)1i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=

F

Tvj = T

vj max

Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided

T

vj max

tP = 10 ms

, tP = 10 ms

, iF = 3,0 kA
, iF = 700 A

V

r

A=

, vR = V

RRM

revision: 2.0

A 08/09 1/8

V

3600

RRM

4000

1540 A

FRMSM

I

750 A

FAVM

FAVM

FRMS

14000

I

FSM

I²t 980

v

F

(TO)

0,65

T

iR

R

thJC

R

thCH

T

vj max

c op

T

stg

max.
max.

B=
C=
D=

max.

max.
max.
max.
max.
max.
max.

max.
max.

-40...+160 °C

-40...+160 °C

4400
4800

1060 A

1660 A

11000

605

2,94
1,45V V

0,85 V

7,770E-01
4,939E-04

-1,975E-02
1,549E-02

70 mA

0,039
0,036
0,066
0,063
0,087
0,084

0,005
0,010

160

V
V

A
A

10³A²s
10³A²s

mΩ

°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W

°C/W
°C/W

°C

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N

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

Datenblatt / Data sheet

D740N

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft

clamping force

Gewicht
weight

Kriechstrecke
creepage distance

Schwingfestigkeit
vibration resistance

Mechanische Eigenschaften

F 10...24 kN

G typ. 280 g

25 mm

f = 50 Hz 50 m/s²

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page 3

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.

IFBIP D AEC / 2009-03-04 / H.Sandmann

A 08/09 2/8

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N

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

Datenblatt / Data sheet

D740N

Maßbild

Maßbild

12

IFBIP D AEC / 2009-03-04 / H.Sandmann

1: Anode/
Anode

2: Kathode/

A 08/09 3/8

Cathode

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