Infineon D711N Data Sheet

N
Netz-Gle ichrichterdiode
Rectifier Diode
Elekt ri sch e Eig ens chaf ten / Ele ctrical properti es
Höchstzulässige Werte / M aximum rated val ues Periodische R üc kwärts-S pitzensp errspannu ng
Kenndaten
repetiti ve p eak re verse voltages
Periodische R üc kwärts-S pitzensp errspannu ng repetiti ve p eak re verse voltages
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert ma xi mum RM S on-stat e cur re nt
Dauerg renzstrom aver age on-sta te c urrent
Stoßstr om-Grenzwer t sur ge current
Grenzlasti ntegral I²t- value
Spitzensperrverlustleistung Surge re verse po wer dissipation
Chara kteri sti sche Wer te / Characteri stic values Durchlaßspannung on-stat e voltag e
Schl eusens pann ung thresh old voltage
Ersatzwi dersta nd sl ope resist anc e
Durchlaßkennlinie 400A iF 1 200A on-stat e characteri stic
Rückwärts-Sperrstrom reverse current
Elektrische Eigenschaften
TTF
D 711N
Tvj = - 40°C... T
Tvj = 0°C... T
I
TC = 100 °C TC = 60 °C
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = T
vj max
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = T
vj max
Tvj = 25 °C, tP = 20 µs Tvj = T
vj max
Tvj = T
vj max
Tvj = T
vj max
Tvj = T
vj max
Tvj = T
vj max
iDiLnCiBAv ++++= )1(
T
Tvj = T
vj max
V
vj max
V
vj max
, tP = 10 ms
, tP = 10 ms
, tP = 20 µs
, iF = 1200 A
V
r
, vR = V
RRM
i
5800
RRM
RRM
FRMSM
I
FAVM
I
12500
FSM
I²t 780
P
RSM
vF
(TO)
typ.
T
typ.
ma x.
ma x. 50 mA
R
6500
6000
6700
1670 A
790
80
typ.
A 0,7 B 0,0 004 38 C -0,038 D 0,0234 A 0,7 49 B 0,0 004 96 C -0,04065 D 0,025
typ.
ma x.
ma x.
ma x.
6000 6800 V V
6200 7000 V V
1060 A A
10500
550
90
1,7 7
1,9 V V
0,7 9 0,8 4 V V
0,8 1 0,8 7
A A
10³ A²s 10³ A²s
10³ W 10³ W
m m
prepar ed b y:
approved by: J. Przybilla
BIP AC / SM PB 2003-05-27, Schneider / Keller
C. Schn eider dat e of publi cati o n: 1.1 2.0 4
revision: 5
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N
Netz-Gle ichrichterdiode
Rectifier Diode
Elekt ri sch e Eig ens chaf ten / Ele ctrical properti es
Chara kteri sti sche Wer te / Characteri stic values
Sperr verzögeru ngsladung recovered charge
Rückstr omspitze peak revers e r eco ver y curr ent
Sperr verzögeru ngsladung recovered charge
Rückstr omspitze peak revers e r eco ver y curr ent
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance , junc tion to case
Überg angs-Wär mewi derstand thermal resistance, case to heatsin k
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maxi mu m ju nction temp erature
Betr iebs temper atur operating te mperat ure
Lagertemp eratur storag e t emperat ure
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
D 711N
VR = 1000V, Tvj = T C = 0,22µ F, R = 83 iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 1000V, Tvj = T C = 0,22µ F, R = 83 iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 100V, Tvj = T C = 0,22µ F, R = 83 iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 100V, Tvj = T C = 0,22µ F, R = 83 iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
Kühlfläc he / co oling surface beidseiti g / two-side d, θ = 1 80°sin beidseiti g / two-side d, DC Ano de / anode, DC Kath ode / c at hode, DC
Kühlfläc he / co oling surface beidseiti g / two-side d einseitig / sing le-side d
T
T
T
vj max
vj max
vj max
vj max
Qr
IRM
Qr
IRM
R
thJ C
R
thC H
160 °C
vj max
-40...+1 60 °C
c op
-40...+1 60 °C
stg
max. 5,5 mAs
max. 200 A
typ. 4,5 mAs
typ. 170 A
0,0 315
0,0 28 0,0 54 0,0 58
0,0 06 0,0 12
°C/W °C/W °C/W °C/W
°C/W °C/W
ma x. ma x. ma x. ma x.
ma x. ma x.
Mechanische Eig en schaft en / Mech anical prop erties
Geh äuse , siehe Anlag e case, s ee an nex
Si-El ement mit Druc kkontakt Si-pellet with press ure contac t
Anpress kraft cl ampi ng for ce
Gewic ht wei g ht
Kriechstrecke cr eepage distance
Schwingfestigkeit vibration r esi stance
Sei te 3
page 3
38DNE68
F 10.. .16 kN
G typ. 250 g
30 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
BIP AC / SM PB 2003-05-27, Schneider / Keller
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N
Netz-Gle ichrichterdiode
Rectifier Diode
Maßbild
D 711N
12
BIP AC / SM PB 2003-05-27, Schneider / Keller
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
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