Infineon D660N Data Sheet

N

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

Datenblatt / Data sheet

D660N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung

Kenndaten

repetitive peak reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom
average on-state current

Stoßstrom-Grenzwert
surge current

Grenzlastintegral
I²t-value

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung
on-state voltage

Schleusenspannung
threshold voltage

Ersatzwiderstand
slope resistance

Durchlaßkennlinie 250 A ≤ iF ≤ 3000 A
on-state characteristic

Sperrstrom
reverse current

FFF

Thermische Eigenschaften

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature

Lagertemperatur
storage temperature

prepared by:

approved by: J.Przybilla

H.Sandmann date of publication: 2007-10-22

= -40°C... T

T

vj

I

= 130 °C

T

C

= 97 °C

T

C

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T

= Tvj max, tP = 10 ms

vj

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms

= Tvj max, tP = 10 ms

T

vj

Tvj = T

vj max

T

= T

vj

vj max

Tvj = T

vj max

Tvj = T

vj max

T

= T

vj

vj max

iD)1i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=

F

Tvj = T

vj max

Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided

T

vj max

, iF = 2,8 kA
, iF = 650 A

V

r

A=

, vR = V

RRM

revision: 1

V

1600

RRM

1800

1435 A

FRMSM

I

660

FAVM

12800

I

FSM

I²t 819

v

F

(TO)

0,5

T

iR

R

thJC

R

thCH

T

vj max

c op

T

stg

max.
max.

B=
C=
D=

max.

max.
max.
max.
max.
max.
max.

max.
max.

-40...+180 °C

-40...+180 °C

2000
2200

914A A

10250

525

2,10
1,12V V

0,7 V

5,630E-01
3,660E-04
3,066E-03
9,626E-03

40 mA

0,050
0,046
0,086
0,082
0,109
0,105

0,01
0,02

180

V
V

A
A

10³A²s
10³A²s

mΩ

°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W

°C/W
°C/W

°C

MA2-BE / 25 Apr 1994 , R.Jörke

A 13/94 1/8

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N

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

Datenblatt / Data sheet

D660N

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft

clamping force

Gewicht
weight

Kriechstrecke
creepage distance

Schwingfestigkeit
vibration resistance

Mechanische Eigenschaften

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F 6...12 kN

G typ. 82 g

11 mm

f = 50 Hz 50 m/s²

page 3

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.

MA2-BE / 25 Apr 1994 , R.Jörke

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N

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Rectifier Diode

Datenblatt / Data sheet

D660N

Maßbild

Maßbild

x) Pumpröhrchen (isoliert betreiben!), evacuation pipe (keep insulated!)

12

MA2-BE / 25 Apr 1994 , R.Jörke

1: Anode/
Anode

2: Kathode/

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Cathode

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