Infineon D659S Data Sheet
Technische Information / Technical Information
D 659 S 10...14
Charakteristische Werte / Characteristic values
m
Ω
V
1)
µs
1)
A
1)
µAs
1)
µs
1)
2)
SZ-M / 09.02.87
Seite/page 1
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
S
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak forward reverse voltage 1200 V
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage 1300 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge foward current
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = - 25°C...T
Tvj = + 25°C...T
TC =100°C
TC =95°C
TC =64°C
Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 1 ms
Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 1ms
Tvj = T
, tp = 10 ms
vj max
, tp = 1 ms
vj max
, tp = 10ms
vj max
, tp = 1ms
vj max
vj max
vj max
V
RRM
1000 V
1400 V
V
RSM
1100 V
1500 V
FRMSM
I
FAVM
1400 A
620 A
660 A
900 A
I
FSM
12200 A
10100 A
25750 A
21300 A
I²t 744200 A²s
510050 A²s
331530 A²s
226850 A²s
Durchlaßspannung
Tvj = T
, iF = 2700 A
vj max
forward voltage
Schleusenspannung
Tvj = T
vj max
threshold voltage
Ersatzwiderstand
Tvj = T
vj max
forward slope resistance
Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung IEC 747-2 V
typical value of forward recovery voltage
Tvj = T
vj max
diF/dt=50A/µs, vR=0V
Durchlaßverzögerungszeit IEC 747-2, Methode / method II t
forward recovery time
Sperrstrom
reverse current
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Sperrverzögerungszeit
reverse recovered time
Sanftheit
Softness
Tvj = T
diF/dt=50 A/µs, vR=0V
Tvj = 25°C, vR=V
Tvj = T
DIN IEC 747-2, Tvj=T
iFM =900A,-diF/dt=50A/µs
vR=100V, v
DIN IEC 747-2, Tvj=T
iFM =900 A,-diF/dt=50A/µs
vR=100V, v
DIN IEC 747-2, Tvj=T
iFM =900A,-diF/dt=50A/µs
vR=100 V; v
Tvj = T
iFM =A,-diF/dt=A/µs
vR<=0,5 V
vj max, iFM
, vR = V
vj max
RM<
RM<
RM<
vj max
RRM
=2700A
RRM
RRM
vj max
=200 V
vj max
=200 V
vj max
=200V
, vRM=0,8 V
RRM
v
V
r
T
fr
i
R
I
RM
Q
t
rr
SR
F
(TO)
FRM
max. 2,25 V
1 V
0,45
typ 2,9
typ 5
max. 20 mA
max. 200 mA
87
r
285
4,5
µs/A
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Fast Diode
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, junction to case
Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,005 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T
max. junction temperature
Betriebstemperatur T
operating temperature
Lagertemperatur T
storage temperature
D 659 S 10...14
thJC
beidseitig / two-sided, Θ =180°sin
beidseitig / two-sided, DC max. 0,045 °C/W
Anode / anode, Θ =180°sin
Anode / anode, DC max. 0,082 °C/W
Kathode / cathode, Θ =180°sin
Kathode / cathode, DC max. 0,100 °C/W
thCK
einseitig / single-sided max. 0,010 °C/W
vj max
c op
stg
S
max. 0,048 °C/W
max. 0,085 °C/W
max. 0,103 °C/W
150 °C
-40...+150 °C
-40...+150 °C
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Element mit Druckkontakt Durchmesser/diameter 30mm
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft F 6...14,5 kN
clamping force
Gewicht G typ. 270 g
weight
Kriechstrecke 28 mm
creepage distance
Feuchteklasse DIN 40040 C
humidity classification
Schwingfestigkeit f = 50Hz 5x9,81 m/s²
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M / 09.02.87 Seite/page 2
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