Infineon D650S Data Sheet

S

Datenblatt / Data sheet

Schnelle Diode

Fast Diode

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Kenndaten

Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom
average on-state current

Dauergrenzstrom
average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current

Stoßstrom-Grenzwert
surge current

Grenzlastintegral
I²t-value

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung
on-state voltage

Schleusenspannung
threshold voltage

Ersatzwiderstand
slope resistance

Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage

Durchlaßverzögerungszeit
forward recovery time

Sperrstrom
reverse current

Rückstromspitze
peak reverse recovery current

Sperrverzögerungsladung
recovered charge

Sperrverzögerungszeit
reverse recovery time

D650S

Tvj = -40°C... T

I

TC = 100°C I

TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms I

I

Tvj = +25°C, tP = 10 ms

= T

T

vj

vj max

Tvj = +25°C, tP = 10 ms

= T

T

vj

vj max

Tvj = T

vj max

Tvj = T

vj max

Tvj = T

vj max

IEC 747-2
T

vj = Tvj max

di

, i

/dt = 50 A/µs

F

IEC 747-2, Methode / Method II
i

= diF/dt · t

FM

T

vj = Tvj max

, diF/dt = 50 A/µs

Tvj = +25°C
T

= T

vj

vj max

IEC 747-2, Tvj = T

= 900A, -diF/dt = 50 A/µs

i

FM

v

≈ 0,5V

R

RRM

IEC 747-2, Tvj = T
i

= 900 A, -diF/dt = 50 A/µs

FM

≈ 0,5V

v

R

RRM

IEC 747-2, Tvj = T
i

= 900 A, -diF/dt = 50 A/µs

FM

v

≈ 0,5V

R

RRM

V

vj max

RRM

FRMSM

FAVM

FAVM

FRMS

I

FSM

, tP = 10 ms

I²t 744,2

, tP = 10 ms

, iF = 2700 A

vF

V

r

= 2700 A,

FM

= 2700 A

fr

, vR = V

, v

, v

, v

RM

RM

RM

RRM

vj max

= 0,8V

vj max

= 0,8V

vj max

= 0,8V

RRM

RRM

RRM

(TO)

0,45

T

V

FRM

t

fr

i

R

I

RM

Q

t

5,3 µs

rr

1400

620

12200

510,05

max.

max.

r

1200
1400

960 A

1510 A

10100

2,25

1,0

2,9 V

5µs

20

200

122 A

370 µAs

V
V

A

A

A
A

A²s
A²s

V

V

mΩ

mA
mA

prepared by:

H.Sandmann

approved by: M.Leifeld

date of publication: 2009-03-16

revision: 1.0

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S

Datenblatt / Data sheet

Schnelle Diode

Fast Diode

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Thermische Eigenschaften

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
operating temperature

Mechanische Eigenschaften

Lagertemperatur
storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft
clamping force

Gewicht

weight
Kriechstrecke
creepage distance

Schwingfestigkeit
vibration resistance

D650S

Kühlfläche /cooling surface
beidseitig / two sided, Θ = 180° sin
beidseitig / two sided, DC
Anode / anode, Θ = 180° sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, Θ = 180° sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided

T

T

Seite 3

F 6…14,5

G typ. 270 g

25 mm

f = 50 Hz 50 m/s²

R

thJC

R

thCH

vj max

-40...+150

c op

T

-40...+150

stg

max.
max.
max.
max.
max.
max.

max.
max.

page 3

0,048
0,045
0,085
0,082
0,103
0,100

0,005
0,010

150

°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W

°C/W
°C/W

°C

kN

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.

IFBIP D AEC / 2009-03-16, H.Sandmann A 15/09 2/6 Seite/page

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