Infineon D650N Data Sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D650N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetitive peak reverse voltages
T
= -40°C... T
vj
vj max
Elektrische Eigenschaften
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie 100 A ≤ iF ≤ 3000 A
on-state characteristic
Sperrstrom
reverse current
FFF
Thermische Eigenschaften
iD)1i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=
F
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
prepared by:
approved by: M.Leifeld revision: 3.1
IFBIP D AEC / 2010-01-19, H.Sandmann
H.Sandmann date of publication: 2010-01-19
I
TC = 100 °C
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms I
I
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T
= T
vj
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T
vj
Tvj = T
T
vj
Tvj = T
Tvj = T
T
vj
Tvj = T
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
T
tP = 10 ms
vj max
= T
, tP = 10 ms
vj max
, iF = 1350 A
vj max
= T
, iF = 450 A
vj max
V
vj max
r
vj max
= T
A=
vj max
vj max
, vR = V
RRM
A 08/10 1/8
V
RRM
721 A
FRMSM
I
650 A
FAVM
FAVM
FRMS
6300
I
FSM
I²t 198,5
v
F
(TO)
0,51
T
iR
R
R
T
T
thJC
thCH
vj max
c op
stg
max.
max.
5,400E-01
B=
C=
D=
-40...+180 °C
-40...+180 °C
1,988E-04
-1,660E-02
2,007E-02
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
400
600
800
860 A
1360 A
5100
130
1,44
0,95V V
0,7 V
20 mA
0,081
0,074
0,132
0,125
0,203
0,196
0,015
0,030
180
V
V
V
A
A
10³A²s
10³A²s
mΩ
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D650N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Mechanische Eigenschaften
F 2,6...4,6 kN
G typ. 75 g
10 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
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Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
IFBIP D AEC / 2010-01-19, H.Sandmann
A 08/10 2/8
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D650N
Maßbild
Maßbild
12
IFBIP D AEC / 2010-01-19, H.Sandmann
1: Anode/
Anode
2: Kathode/
A 08/10 3/8
Cathode
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