Infineon D648S Data Sheet
Technische Information / Technical Information
D 648 S 06...10
Charakteristische Werte / Characteristic values
max.
m
Ω
V
1)
µs
1)
max.
max.
A
1)
µAs
1)
µs
1)
SZ-M / 17.02.87
Seite/page 1
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
S
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak forward reverse voltage 800 V
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage 900 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge foward current
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = - 25°C...T
Tvj = + 25°C...T
TC =100°C
TC =70°C
Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 1 ms
Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 1ms
Tvj = T
, tp = 10 ms
vj max
, tp = 1 ms
vj max
, tp = 10ms
vj max
, tp = 1ms
vj max
vj max
vj max
V
RRM
600 V
1000 V
V
RSM
700 V
1100 V
FRMSM
I
FAVM
1400 A
648 A
900 A
I
FSM
12200 A
10100 A
24940 A
20650 A
I²t 744200 A²s
510050 A²s
311000 A²s
213200 A²s
Durchlaßspannung
Tvj = T
, iF = 2700 A
vj max
forward voltage
Schleusenspannung
Tvj = T
vj max
threshold voltage
Ersatzwiderstand
Tvj = T
vj max
forward slope resistance
Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung IEC 747-2 V
typical value of forward recovery voltage
Tvj = T
vj max
diF/dt=50A/µs, vR=0V
Durchlaßverzögerungszeit IEC 747-2, Methode / method II t
forward recovery time
Sperrstrom
reverse current
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Sperrverzögerungszeit
reverse recovered time
Sanftheit
Softness
Tvj = T
diF/dt=50 A/µs, vR=0V
Tvj = 25°C, vR=V
Tvj = T
DIN IEC 747-2, Tvj=T
iFM =900A,-diF/dt=50A/µs
vR=100V, v
DIN IEC 747-2, Tvj=T
iFM =900 A,-diF/dt=50A/µs
vR=100V, v
DIN IEC 747-2, Tvj=T
iFM =900A,-diF/dt=50A/µs
vR=100 V; v
Tvj = T
iFM =A,-diF/dt=A/µs
vR<=0,5 V
vj max, iFM
, vR = V
vj max
RM<
RM<
RM<
vj max
RRM
=2700A
RRM
RRM
vj max
=200 V
vj max
=200 V
vj max
=200V
, vRM=0,8 V
RRM
v
V
r
T
fr
i
R
I
RM
Q
t
rr
SR
F
(TO)
FRM
2,27 V
1,05 V
0,43
typ 2,25
typ 4,7
20 mA
200 mA
57
r
112
2,15
2)
µs/A
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Fast Diode
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, junction to case
Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0075 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T
max. junction temperature
Betriebstemperatur T
operating temperature
Lagertemperatur T
storage temperature
D 648 S 08...10
thJC
beidseitig / two-sided, Θ =180°sin
beidseitig / two-sided, DC max. 0,041 °C/W
Anode / anode, Θ =180°sin
Anode / anode, DC max. 0,070 °C/W
Kathode / cathode, Θ =180°sin
Kathode / cathode, DC max. 0,1 °C/W
thCK
einseitig / single-sided max. 0,015 °C/W
vj max
c op
stg
S
max. 0,044 °C/W
max. 0,073 °C/W
max. 0,103 °C/W
150 °C
-40...+150 °C
-40...+150 °C
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Element mit Druckkontakt Durchmesser/diameter 30mm
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft F 6...14,5 kN
clamping force
Gewicht G typ. 100 g
weight
Kriechstrecke 17 mm
creepage distance
Feuchteklasse DIN 40040 C
humidity classification
Schwingfestigkeit f = 50Hz 5x9,81 m/s²
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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