Infineon D5810N Data Sheet
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kenndaten
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Elektrische Eigenschaften
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie 1500 A ≤ iF ≤ 29000 A
on-state characteristic
Sperrstrom
reverse current
FFF
Thermische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
prepared by:
approved by: M.Leifeld
H.Sandmann date of publication: 2009-05-13
IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann
D5810N
= -40°C... T
T
vj
I
= 58 °C
T
C
= 130 °C
T
C
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms I
I
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T
= T
vj
vj max
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T
= T
vj
vj max
Tvj = T
vj max
T
= T
vj
vj max
Tvj = T
vj max
Tvj = T
vj max
T
= T
vj
vj max
iD)1i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=
F
Tvj = T
vj max
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
T
vj max
tP = 10 ms
, tP = 10 ms
, iF = 18,0 kA
, iF = 6,0 kA
V
r
A=
, vR = V
RRM
revision: 1.0
A 57/08 1/8
V
400
RRM
9100 A
FRMSM
5800
I
FAVM
FAVM
FRMS
81000
I
FSM
I²t 32800
v
F
(TO)
0,04
T
iR
R
thJC
R
thCH
T
vj max
c op
T
stg
max.
max.
4,617E-01
B=
C=
D=
-40...+180 °C
-40...+180 °C
2,002E-05
7,441E-03
4,190E-03
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
600
3000A A
5880 A
9240 A
70000
24500
1,47
0,92V V
0,7 V
100 mA
0,0166
0,0160
0,0326
0,0320
0,0326
0,0320
0,0025
0,0050
180
V
V
A
A
10³A²s
10³A²s
mΩ
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Mechanische Eigenschaften
D5810N
F 30...60 kN
G typ. 530 g
25 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
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Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann
A 57/08 2/8
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Maßbild
Maßbild
D5810N
12
IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann
1: Anode/
Anode
2: Kathode/
A 57/08 3/8
Cathode
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