Infineon D5809N Data Sheet

N

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

Datenblatt / Data sheet

D5809N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung

Kenndaten

repetitive peak reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom
average on-state current

Stoßstrom-Grenzwert
surge current

Grenzlastintegral
I²t-value

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung
on-state voltage

Schleusenspannung
threshold voltage

Ersatzwiderstand
slope resistance

Durchlaßkennlinie 2000 A ≤ iF ≤ 28000 A
on-state characteristic

Sperrstrom
reverse current

FFF

iD)1i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=

F

= -40°C... T

T

vj

I

= 58 °C

T

C

= 130 °C

T

C

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms

= Tvj max, tP = 10 ms

T

vj

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T

= Tvj max, tP = 10 ms

vj

Tvj = T

vj max

= T

T

vj

vj max

Tvj = T

vj max

Tvj = T

vj max

T

= T

vj

vj max

Tvj = T

vj max

vj max

, iF = 18,0 kA
, iF = 6,0 kA

V

r

A=

, vR = V

RRM

V

400

RRM

9100 A

FRMSM

I

5800

FAVM

I

81000

FSM

I²t 32800

v

F

(TO)

0,04

T

iR

B=
C=
D=

max.
max.

max.

600

3000A A

70000

24500

1,47
0,92V V

4,617E-01
2,002E-05
7,441E-03
4,190E-03

100 mA

V
V

A 1)
A

10³A²s
10³A²s

0,7 V

mΩ

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Thermische Eigenschaften

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature

Lagertemperatur
storage temperature

1) Gehäusegrenzstrom I

= 32kA (50Hz Sinushalbwelle) / Peak case non ruptire current I

RSM(Case)

prepared by:

approved by: J.Przybilla

H.Sandmann date of publication: 2007-10-22

MA2-BE / 27 May 1994 , R.Jörke

A 22/94

Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided

T

RSM(Case)

revision: 1

= 32kA (50Hz sinusoidal half wave)

R

R

T

T

thJC

thCH

vj max

c op

stg

max.
max.
max.
max.
max.
max.

-40...+150 °C

-40...+150 °C

max.
max.

Seite/page

0,0166
0,0160
0,0326
0,0320
0,0326
0,0320

0,0025
0,0050

180

°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W

°C/W
°C/W

°C

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N

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

Datenblatt / Data sheet

D5809N

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft

clamping force

Gewicht
weight

Kriechstrecke
creepage distance

Schwingfestigkeit
vibration resistance

Mechanische Eigenschaften

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F 30...60 kN

G typ. 530 g

40 mm

f = 50 Hz 50 m/s²

page 3

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.

MA2-BE / 27 May 1994 , R.Jörke

A 22/94

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N

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

Datenblatt / Data sheet

D5809N

Maßbild

Maßbild

x) Pumpröhrchen (isoliert betreiben!), evacuation pipe (keep insulated!)

12

MA2-BE / 27 May 1994 , R.Jörke

A 22/94

1: Anode/
Anode

2: Kathode/

Cathode

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