Infineon D56S40 Data Sheet

Marketing Information
D 56 S 40...45
D 56 U 40...45

15

5,5

European Power­Semiconductor and
Electronics Company

SW27

Type

Circuit symbol Cathode
S
U

M12

Connection pin

Case

Anode

Case

Connection pin

Ma 1-BE / 23 Jun 1993

Schnelle Gleichrichterdiode

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

maxVRRM

maxVRSM

FRMSM

FAVM

vj

FSM

max, tp

vj

max, tp

max

F

maxV(TO)

maxrT

m

Ω

FRM

V

1)

maxdiF

fr

µs

1)

vj max, iFM

frdiF

RRMiR

max

RRM

maxIRM

A

1)

RRM

RRM

Vj maxQr

µAs

1)

RRM

RRM

maxtrr

µs

1)

RRM

RRM

max

µs/A

2)

RRM

RRM

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

thJC

Anode / anode,

Θ

=180°sin

thCK

vj max

c op

stg

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

1)

Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)

2)

Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)

Fast Diode D 56 S 40...45

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung tvj = -10°C...tvj
repetitive peak reverse voltage 4500 V
Stoßspitzensperrspannung tvj = +25°C...tvj
non-repetitive peak reverse voltage 4600 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current I
Dauergrenzstrom / mean forward current tC = 85°C I

tC = 28°C 102 A
Stoßstrom-Grenzwert t
surge forward current tvj = tvj
Grenzlastintegral t
I²t-value tvj = tvj

= 25°C, tp=10 ms I

= 10 ms 1350 A

= 25°C, tp=10 ms I²t 12000 A²s

= 10 ms 9100 A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung / forward voltage tvj = tvj
Schleusenspannung / threshold voltage tvj = tvj
Ersatzwiderstand / forward slope resistance tvj = tvj
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung IEC 747-2 V
peak value of forward recovery voltage tvj = tvj

Durchlaßverzögerungszeit IEC 747-2, Methode / method II t
forward recovery time tvj=t

Sperrstrom / reverse current tvj = tvj 25°C, vR = V

tvj = tvj
Rückstromspitze / peak reverse recovery current DIN IEC 747-2, tVj=tVj

iFM=150A, -diF/dt=200A/µs

VR=0,5V
Sperrverzögerungsladung DIN IEC 747-2, tVj=t
recovered charge iFM = 150A, -diF/dt = 200 A/µs

VR=0,5V
Sperrverzögerungszeit DIN IEC 747-2, tVj=tVj
reverse recovered time iFM = 150A, -diF/dt = 200 A/µs

VR=0,5V
Sanftheit DIN IEC 747-2, tVj=tVj
Softness iFM = 150A, -diF/dt = 200 A/µs

VR=0,5V

, iF = 320 A V

/dt = 200 A/µs vR = 0V

=diF/dt*t

/dt = 200 A/µs vR = 0V

, vR = V

, vRM=0,8V

, vRM=0,8V

, vRM=0,8V

SR 0,004

, vRM=0,8V

4000 V

4100 V

160 A

56 A

1550 A

max. 4,5 V

1,64 V

8

200

4

max. 5 mA

max. 50 mA

230

550

3,3

Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resistance, junction to case

max. 0,260 °C/W

Anode / anode, DC max. 0,245 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R

max. 0,04 °C/W
thermal resistance, case to heatsink einseitig / single-sided
Höchstzul. Sperrschichttemp./ max.junction temperat. t
Betriebstemperatur / operating temperature t
Lagertemperatur / storage temperature t

125 °C

°C
°C

Si-Elemente mit Druckkontakt / Si-pellets with pressure contact Durchmesser/diameter 21mm
Anzugsdrehmoment / tightening torque M 20 Nm
Gewicht / weight G typ. 110 g
Kriechstrecke / creepage distance 21 mm
Feuchteklasse / humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit / vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²

Kühlkörper / heatsink : K1, 1-M12-A ; K0,55-M12-A ; GK-M12-A

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.

MA 1-BE / 12 Jul 1993