Marketing Information
D 56 S 40...45
D 56 U 40...45
15
5,5
European PowerSemiconductor and
Electronics Company
SW27
Type
Circuit symbol Cathode
S
U
M12
Connection pin
Case
Anode
Case
Connection pin
Ma 1-BE / 23 Jun 1993
Schnelle Gleichrichterdiode
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
maxVRRM
maxVRSM
FRMSM
FAVM
vj
FSM
max, tp
vj
max, tp
max
F
maxV(TO)
maxrT
m
Ω
FRM
V
1)
maxdiF
fr
µs
1)
vj max, iFM
frdiF
RRMiR
max
RRM
maxIRM
A
1)
RRM
RRM
Vj maxQr
µAs
1)
RRM
RRM
maxtrr
µs
1)
RRM
RRM
max
µs/A
2)
RRM
RRM
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
thJC
Anode / anode,
Θ
=180°sin
thCK
vj max
c op
stg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
1)
Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2)
Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
Fast Diode D 56 S 40...45
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung tvj = -10°C...tvj
repetitive peak reverse voltage 4500 V
Stoßspitzensperrspannung tvj = +25°C...tvj
non-repetitive peak reverse voltage 4600 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current I
Dauergrenzstrom / mean forward current tC = 85°C I
tC = 28°C 102 A
Stoßstrom-Grenzwert t
surge forward current tvj = tvj
Grenzlastintegral t
I²t-value tvj = tvj
= 25°C, tp=10 ms I
= 10 ms 1350 A
= 25°C, tp=10 ms I²t 12000 A²s
= 10 ms 9100 A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung / forward voltage tvj = tvj
Schleusenspannung / threshold voltage tvj = tvj
Ersatzwiderstand / forward slope resistance tvj = tvj
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung IEC 747-2 V
peak value of forward recovery voltage tvj = tvj
Durchlaßverzögerungszeit IEC 747-2, Methode / method II t
forward recovery time tvj=t
Sperrstrom / reverse current tvj = tvj 25°C, vR = V
tvj = tvj
Rückstromspitze / peak reverse recovery current DIN IEC 747-2, tVj=tVj
iFM=150A, -diF/dt=200A/µs
VR=0,5V
Sperrverzögerungsladung DIN IEC 747-2, tVj=t
recovered charge iFM = 150A, -diF/dt = 200 A/µs
VR=0,5V
Sperrverzögerungszeit DIN IEC 747-2, tVj=tVj
reverse recovered time iFM = 150A, -diF/dt = 200 A/µs
VR=0,5V
Sanftheit DIN IEC 747-2, tVj=tVj
Softness iFM = 150A, -diF/dt = 200 A/µs
VR=0,5V
, iF = 320 A V
/dt = 200 A/µs vR = 0V
=diF/dt*t
/dt = 200 A/µs vR = 0V
, vR = V
, vRM=0,8V
, vRM=0,8V
, vRM=0,8V
SR 0,004
, vRM=0,8V
4000 V
4100 V
160 A
56 A
1550 A
max. 4,5 V
1,64 V
8
200
4
max. 5 mA
max. 50 mA
230
550
3,3
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resistance, junction to case
max. 0,260 °C/W
Anode / anode, DC max. 0,245 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
max. 0,04 °C/W
thermal resistance, case to heatsink einseitig / single-sided
Höchstzul. Sperrschichttemp./ max.junction temperat. t
Betriebstemperatur / operating temperature t
Lagertemperatur / storage temperature t
125 °C
°C
°C
Si-Elemente mit Druckkontakt / Si-pellets with pressure contact Durchmesser/diameter 21mm
Anzugsdrehmoment / tightening torque M 20 Nm
Gewicht / weight G typ. 110 g
Kriechstrecke / creepage distance 21 mm
Feuchteklasse / humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit / vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Kühlkörper / heatsink : K1, 1-M12-A ; K0,55-M12-A ; GK-M12-A
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.
MA 1-BE / 12 Jul 1993
Schnelle Gleichrichterdiode
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
maxVRRM
maxVRSM
FRMSM
FAVM
vj
FSM
max
vj
max
max
F
vj maxV(TO)
maxrT
m
Ω
FRM
V
1)
maxdiF
fr
µs
1)
vj max, iFM
frdiF
RRMiR
max
RRM
maxIRM
A
1)
RRM
RRM
maxQr
µAs
1)
RRM
RRM
maxtrr
µs
1)
RRM
RRM
max
µs/A
2)
RRM
RRM
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
thJC
Anode / anode,
Θ
=180°sin
thCK
vj max
c op
stg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
1)
Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2)
Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
Fast Diode D 56 U 40...45
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung tvj = -10°C...tvj
repetitive peak reverse voltage 4500 V
Stoßspitzensperrspannung tvj = +25°C...tvj
non-repetitive peak reverse voltage 4600 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current I
Dauergrenzstrom / mean forward current tC = 73°C I
tC = 22°C 89 A
Stoßstrom-Grenzwert t
surge forward current tvj = tvj
Grenzlastintegral t
I²t-value tvj = tvj
= 25°C, tp=10 ms I
,tp = 10 ms 1200 A
= 25°C, tp=10 ms I²t 9100 A²s
,tp = 10 ms 7200 A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung / forward voltage tvj = tvj
Schleusenspannung / threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand / forward slope resistance tvj = tvj
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung IEC 747-2 V
peak value of forward recovery voltage tvj = tvj
Durchlaßverzögerungszeit IEC 747-2, Methode / method II t
forward recovery time tvj=t
Sperrstrom / reverse current tvj = tvj 25°C, vR = V
tvj = tvj
Rückstromspitze / peak reverse recovery current DIN IEC 747-2, tVj=tVj
iFM=150A, -diF/dt=200A/µs
VR=0,5V
Sperrverzögerungsladung DIN IEC 747-2, tVj=tVj
recovered charge iFM = 150A, -diF/dt = 200 A/µs
VR=0,5V
Sperrverzögerungszeit DIN IEC 747-2, tVj=tVj
reverse recovered time iFM = 150A, -diF/dt = 200 A/µs
VR=0,5V
Sanftheit DIN IEC 747-2, tVj=tVj
Softness iFM = 150A, -diF/dt = 200 A/µs
VR=0,5V
, iF = 280 A V
/dt = 200 A/µs vR = 0V
=diF/dt*t
/dt = 200 A/µs vR = 0V
, vR = V
, vRM=0,8V
, vRM=0,8V
, vRM=0,8V
SR 0,004
, vRM=0,8V
4000 V
4100 V
140 A
56 A
1350 A
max. 4,15 V
1,64 V
8
200
4
max. 5 mA
max. 50 mA
230
550
3,3
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resistance, junction to case
max. 0,340 °C/W
Anode / anode, DC max. 0,325 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
max. 0,04 °C/W
thermal resistance, case to heatsink einseitig / single-sided
Höchstzul. Sperrschichttemp./ max.junction temperat. t
Betriebstemperatur / operating temperature t
Lagertemperatur / storage temperature t
125 °C
°C
°C
Si-Elemente mit Druckkontakt / Si-pellets with pressure contact Durchmesser/diameter 21mm
Anzugsdrehmoment / tightening torque M 20 Nm
Gewicht / weight G typ. 110 g
Kriechstrecke / creepage distance 21 mm
Feuchteklasse / humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit / vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Kühlkörper / heatsink : K1,1-M12-A ; K0,55-M12-A ; GK-M12-A
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.
MA 1-BE / 12 Jul 1993
350
300
IF / [A]
250
200
150
100
50
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5
D 56 S 40...45
D 56 U 40...45
Grenzdurchlaßkennlinien t
Richtwert für obere Streubereichsgrenze
Richtwert für untere Streubereichsgrenze
Limiting on-state characteristics tVj = 125°C
Upper limit of scatter range (standard value)
Lower limit of scatter range (standard value)
= 125°C
Vj
VF / [V]
Nutzungsbedingungen
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Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig
machen.
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Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify.
Please note, that for any such applications we urgently recommend
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- the conclusion of Quality Agreements;
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