N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D4457N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetitive peak reverse voltages
Elektrische Eigenschaften
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie 1100 A ≤ iF ≤ 22000 A
on-state characteristic
Sperrstrom
reverse current
FFF
Thermische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
prepared by:
approved by: J.Przybilla
MA2-BE / 17 Jan 1995 , R.Jörke
H.Sandmann date of publication: 2007-10-22
iD)1i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=
F
A 01/95
= -40°C... T
T
vj
I
= 111 °C
T
C
= 130 °C
T
C
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T
= Tvj max, tP = 10 ms
vj
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
= Tvj max, tP = 10 ms
T
vj
Tvj = T
vj max
T
= T
vj
vj max
Tvj = T
vj max
Tvj = T
vj max
T
= T
vj
vj max
Tvj = T
vj max
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
T
vj max
, iF = 14,0 kA
, iF = 4,5 kA
V
r
A=
, vR = V
RRM
revision: 1
V
400
RRM
7000 A
FRMSM
I
4460
FAVM
60000
I
FSM
I²t 18000
v
F
(TO)
0,047
T
iR
R
thJC
R
thCH
T
vj max
c op
T
stg
max.
max.
6,124E-01
B=
C=
D=
-40...+150 °C
-40...+150 °C
5,603E-06
-2,629E-02
7,702E-03
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
Seite/page
600
3520A A
52000
13500
1,36
0,93V V
0,7 V
60 mA
0,0128
0,0120
0,0208
0,0200
0,0308
0,0300
0,003
0,006
180
V
V
A
A
10³A²s
10³A²s
mΩ
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D4457N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Mechanische Eigenschaften
Seite 3
F 30...45 kN
G typ. 125 g
5,5 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
page 3
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
MA2-BE / 17 Jan 1995 , R.Jörke
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D4457N
Maßbild
Maßbild
x) Pumpröhrchen (isoliert betreiben!), evacuation pipe (keep insulated!)
12
MA2-BE / 17 Jan 1995 , R.Jörke
A 01/95
1: Anode/
Anode
2: Kathode/
Cathode
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N
−
=
τ
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D4457N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Transienter Wärmewiderstand
Kühlung /
Cooling
beidseitig
Analytical elements of transient thermal impedance Z
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
R
[°C/W] 0,000017 0,000150 0,001050 0,000563 0,00163 0,00454 0,00405
thn
two-sided
τ
[s]
n
R
[°C/W]
thn
anode-sided
τ
[s]
n
R
[°C/W] 0,000010
thn
cathode-sided
τ
[s]
n
Analytische Funktion / Analytical function:
für DC
thJC
thJC
for DC
0,000014 0,000173 0,001100 0,004360 0,01950 0,12400 0,33200
0,000014
0,000012
0,000008
0,000176
0,000185
0,000144
0,000144
0,001150
0,001200
0,001226
0,001170
0,001100
0,008360
0,001330
0,012800
0,00370
0,06260
0,00198
0,04860
n
max
Σ
n=1
thnthJC
0,00226
0,17200
0,00898
0,36800
-t
n
e1RZ
0,01160
anodenseitig
1,59000
0,01633
kathodenseitig
1,18000
0,035
0,030
0,025
0,020
[°C/W]
0,015
thJC
Z
0,010
0,005
0,000
0,001 0,01 0,1 1 10 100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z
thJC
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
t [s]
= f(t)
c
a
b
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D4457N
Erhöhung des Z
Rise of Z
Diagramme
th DC
Diagramme
Kühlung / Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
25.000
bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ
th DC
for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ
∆Z
th Θ rec
[°C/W]
∆Z
th Θ sin
[°C/W]
∆Z
th Θ rec
[°C/W]
∆Z
th Θ sin
[°C/W]
∆Z
th Θ rec
[°C/W]
∆Z
th Θ sin
[°C/W]
∆Z
Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30°
0,00233
0,00084
0,00227
0,00083
0,00227
0,00076
Z
th Θ rec
Z
th Θ sin
th Θ rec
= Z
= Z
/ ∆Z
0,00410
0,00149
0,00409
0,00147
0,00398
0,00136
th DC
th DC
th Θ sin
+ ∆Z
+ ∆Z
th Θ rec
th Θ sin
0,00563
0,00248
0,00564
0,00246
0,00552
0,00233
0,00823
0,00446
0,00825
0,00446
0,00814
0,00435
0,01355
0,00931
0,01358
0,00931
0,01353
0,00931
20.000
15.000
[A]
F
i
10.000
5.000
Durchlasskennlinie
T
= T
vj
vj max
0
0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8
[V]
V
F
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
T
= Tvj
vj
max
MA2-BE / 17 Jan 1995 , R.Jörke
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D4457N
8000
7000
Durchlassverluste
6000
5000
[W]
4000
FAV
P
3000
2000
1000
d
e
f
b
c
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs belastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs belastung / Reverse voltage load)
0
0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000 8000
I
FAV
[A]
= f(I
Durchlassverlustleistung / On-state power loss P
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
FAV
FAV
)
a
Tc beidseitig
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs belastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs belastung / Reverse voltage load)
[°C]
C
180
160
140
120
100
T
80
60
40
d bef
c
a
20
0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000 8000
[A]
I
FAV
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
= f(I
C
FAV
)
MA2-BE / 17 Jan 1995 , R.Jörke
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
10000
[µAs]
r
Q
1000
100
0,1 1 10 100
60
Datenblatt / Data sheet
D4457N
Qr Diagramm
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge
Qr =f(-di/dt)
T
= T
vj
RC-Glied / RC-Network: R = 2,7Ω, C = 1,5µF
vjmax , vR
≤ 0,5 V
, v
RRM
RM
= 0,8 V
RRM
iFM =
3200A
1600A
800A
400A
200A
100A
50
40
[kA]
30
F(OV)M
I
20
10
0
1 3 5 7 9 11 13 15 17
Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V
Typical dependency of maximum overload on-state current I
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V
I
= f (pulses, VRM) ; Tvj = T
F(OV)M
von der Anzahl für eine Folge von Sinus
F(OV)M
as a number of a sequence of
F(OV)M
vj max
RM
RM
0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D4457N
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If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
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