Infineon D371S45T Data Sheet
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 371 S 45 T
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
non-repetetive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I2t-value
Period. Abklingsteilheit des Durchlaßstroms beim Ausschalten
repetitive decay rate of on-state current at turn-of
tvj = -40°C ... t
tvj = +25°C ... t
tC = 85°C, f = 50Hz
tC = 51°C, f = 50Hz
tvj = t
i
FM
vj max
vj max
, tp = 10ms
vj max
= 1000A, vR = 1500 V
V
RRM
V
RSM
I
FRMSM
I
FAVM
4500 V
4600 V
800 A
330
510AA
I
FSM
6000 A
I2t 1,8.-105A2s
(-diF/dt)
com
1000 A/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
tvj = t
forward voltage
Schleusenspannung
tvj = t
threshold voltage
Ersatzwiderstand
tvj = t
forward slope resistance
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung
tvj = t
peak value of forward recovery voltage
Sperrstrom
tvj = t
reverse current
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
2) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range ( standard value)
3) Richtwert für untere Streubereichsgrenze von V
/ Lower limit of scatter range ( standard value) of on - state voltage
T
tvj = t
iFM = 1000A, -diF/dt = 250A/µs
vR = 1000V, CS =0,125µF, RS = 6Ω
tvj = t
iFM = 1000A, -diF/dt = 250A/µs
vR = 1000V, CS =0,125µF, RS = 6Ω
, iF = 1200A
vj max
vj max
vj max
, diF/dt = 1000A/µs
vj max
= V
vj max, vR
RRM
vj max
vj max
v
F
V
(TO)
r
T
V
FRM
i
R
I
RM
Q
r
max
typ.150 V
max 500 A
max 1250 µAs
3,90 V
2,00 V
1,49
100 mA
mΩ
2)
2)
2)
3)
HLB-M / 25.4.1996 Beuermann / Keller Seite/page S1
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
D 371 S 45 T
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode /cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single sided
R
R
t
vj max
t
c op
t
stg
thJC
thCK
max
max
max
max
max
-40...+125 °C
-40...+150 °C
0,035
0,070
0,070
0,006
0,012
125 °C
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Anpreßkraft
clampig force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
air distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
DIN 40040
f = 50Hz
Seite 3
F 10...16 kN
G
typ
250 g
30 mm
20 mm
C
50 m/s
2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
HLB-M / 25.4.1996 Beuermann / Keller Seite/page S2
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