Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Technische Information /
technical information
Date of Publication: 2014-06-01
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Full blocking capability 50/60Hz over a wide
temperature range
Hohe DC Sperrstabilität
High DC blocking stability
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
High surge current capability
Hermetisch dichtes Keramikgehäuse
Hermeticaly sealed ceramic package
Hoher Gehäusebruchstrom
High case non-rupture current
Hochstrom Gleichrichter
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Rectifier for Drives Applications
Kurzschließer-Applikationen
content of customer DMX code
datecode (production day)
datecode (production year)
datecode (production month)
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
enndaten
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Technische Information /
technical information
Date of Publication: 2014-06-01
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 100 °C
TC = 85 °C
TC = 55 °C
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T
vj max
, tP = 10 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T
vj max
, tP = 10 ms
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = T
vj max
, iF = 4000 A
Durchlaßkennlinie 500A iF 5000A
O-state characteristic
Rückwärts-Sperrstrom
reverse current
Tvj = T
vj max
, vR = V
RRM
F
FFF
iD1)i(LnCiBAv
Elektrische Eigenschaften
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Technische Information /
technical information
Date of Publication: 2014-06-01
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
VR = 1000V, Tvj = T
vj max
C = 4,7µF, R = 8,2Ω
I
FM
= 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
VR = 1000V, Tvj = T
vj max
C = 4,7µF, R = 8,2Ω
IFM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
VR = 100V, Tvj = T
vj max
C = 4,7µF, R = 8,2Ω
IFM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
VR = 100V, Tvj = T
vj max
C = 4,7µF, R = 8,2Ω
IFM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Kriechstrecke
creepage distance
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften