Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Technische Information /
technical information
D3501N
Date of Publication: 2014-06-01
Revision: 8.1
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Key Parameters
V
RRM
4200 V
I
FAVM
3470 A (TC=100 °C)
I
FSM
63000 A
VT0
0,734 V
rT
0,134 mΩ
R
thJC
8,5 K/kW
Clamping Force
36 … 52 kN
Max. Diameter
121 mm
Contact Diameter
86 mm
Height
35 mm
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Full blocking capability 50/60Hz over a wide
temperature range
Hohe DC Sperrstabilität
High DC blocking stability
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
High surge current capability
Hermetisch dichtes Keramikgehäuse
Hermeticaly sealed ceramic package
Hoher Gehäusebruchstrom
High case non-rupture current
Typische Anwendungen
Typical Applications
Hochstrom Gleichrichter
High-current rectifier
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Rectifier for Drives Applications
Kurzschließer-Applikationen
Crowbar Applications
content of customer DMX code
DMX code
DMX code
digit
digit quantity
serial number
1..7
7
SP material number
8..16
9
datecode (production day)
17..18
2
datecode (production year)
19..20
2
datecode (production month)
21..22
2
vT class (optional)
23..26
4
QR class (optional)
27..30
4
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
1 2
enndaten
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Technische Information /
technical information
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Kenndaten
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Tvj = -40°C... T
vj max
V
RRM
3200
4000
3600
4200
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
TC = 100 °C
I
FRMSM
5450
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 100 °C
TC = 85 °C
TC = 55 °C
I
FAVM
3470
3980
4870
A
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T
vj max
, tP = 10 ms
I
FSM
63000
56000
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T
vj max
, tP = 10 ms
I²t
19850
15680
10³ A²s
10³ A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = T
vj max
, iF = 4000 A
vF typ.
max.
1,20
1,27
V V Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = T
vj max
V
(TO)
typ.
max.
0,700
0,734
V V Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = T
vj max
r
T
typ.
max.
0,125
0,134
mΩ
mΩ
Durchlaßkennlinie 500A iF 5000A
O-state characteristic
Tvj = T
vj max
typ.
A
0,5994
B
0,000029
C
-0,02377
D
0,01088
max.
A
0,5978
B
0,0000316
C
-0,01954
D
0,01114
Rückwärts-Sperrstrom
reverse current
Tvj = T
vj max
, vR = V
RRM
i
R
max. 100
mA
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approved by:
JP
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8.1
F
FFF
iD1)i(LnCiBAv
Elektrische Eigenschaften
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
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Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
VR = 1000V, Tvj = T
vj max
C = 4,7µF, R = 8,2Ω
I
FM
= 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
Q
r
max.
10
mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
VR = 1000V, Tvj = T
vj max
C = 4,7µF, R = 8,2Ω
IFM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
I
RM
max.
300
A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
VR = 100V, Tvj = T
vj max
C = 4,7µF, R = 8,2Ω
IFM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
Q
r
typ.
5,1
mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
VR = 100V, Tvj = T
vj max
C = 4,7µF, R = 8,2Ω
IFM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
I
RM
typ.
155
A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
9,2
8,5
14,9
19,8
K/kW
K/kW
K/kW
K/kW
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thCH
max.
max.
2,5
5,0
K/kW
K/kW
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
160
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+160
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+160
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
36...52
kN
Gewicht
weight
G typ. 1700
g
Kriechstrecke
creepage distance
40
mm Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50
m/s²
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
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Rectifier Diode
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Maßbild
1 2
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
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Rectifier Diode
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R,t – Werte
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
Pos. n
1 2 3 4 5 6 7
beidseitig
two-sided
R
thn
[K/kW]
3,2
2,78
1,58
0,76
0,18
τ
n
[s]
1,472
0,186
0,049
0,0075
0,0025
anodenseitig
anode-sided
R
thn
[K/kW]
9,28
0,25
3,71
1,01
0,65
τ
n
[s]
7,8
0,663
0,149
0,0244
0,00484
kathodenseitig
cathode-sided
R
thn
[K/kW]
14,33
0,13
3,24
1,36
0,74
τ
n
[s]
7,7
1,205
0,18
0,035
0,0055
Analytische Funktion / Analytical function:
max
n
n=1
thn
thJC
n
-t
e1R
Z
bi
ci
ai
0
5
10
15
20
25
0,001 0,01 0,1 1 10 100
Z
th JC
[K/kW]
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance Z
thJC
= f(t)
for DC
a : Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b : Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c : Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
R
R,T-Werte
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typ.
max.
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
0 0,5 1 1,5
i
F
[A]
vF[V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj
max
Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
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VR= 1000V
max.
VR= 100V
typ.
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0 10 20 30 40
Q
r
[mAs]
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
T
vj
= T
vjmax
, C = 4,7µF, R = 8,2Ω
Tc beidseitig
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VR= 1000V
max.
VR= 100V
typ.
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0 10 20 30 40
I
RM
[A]
-di/dt [A/µs]
Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
Tvj=T
vjmax
, C = 4,7µF, R = 8,2Ω
Ta bei Sinus
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