Infineon D3501N Data Sheet

Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Technische Information /
technical information
Date of Publication: 2014-06-01
Revision: 8.1
Seite/page 1/9
Key Parameters
V
RRM
4200 V
I
FAVM
3470 A (TC=100 °C)
I
FSM
63000 A
VT0
0,734 V
rT
0,134 mΩ
R
thJC
8,5 K/kW
Clamping Force
36 52 kN
Max. Diameter
121 mm
Contact Diameter
86 mm
Height
35 mm
For type designation please refer to actual short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Full blocking capability 50/60Hz over a wide
temperature range
Hohe DC Sperrstabilität
High DC blocking stability
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
High surge current capability
Hermetisch dichtes Keramikgehäuse
Hermeticaly sealed ceramic package
Hoher Gehäusebruchstrom
High case non-rupture current
Typische Anwendungen
Typical Applications
Hochstrom Gleichrichter
High-current rectifier
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Rectifier for Drives Applications
Kurzschließer-Applikationen
Crowbar Applications
content of customer DMX code
DMX code
DMX code
digit
digit quantity
serial number
1..7
7
SP material number
8..16
9
datecode (production day)
17..18
2
datecode (production year)
19..20
2
datecode (production month)
21..22
2
vT class (optional)
23..26
4
QR class (optional)
27..30
4
www.ifbip.com support@infineon-bip.com
1 2
enndaten
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Technische Information /
technical information
Date of Publication: 2014-06-01
Revision: 8.1
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Kenndaten
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
Tvj = -40°C... T
vj max
V
RRM
3200 4000
3600 4200
V V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current
TC = 100 °C
I
FRMSM
5450
A
Dauergrenzstrom average on-state current
TC = 100 °C TC = 85 °C TC = 55 °C
I
FAVM
3470 3980 4870
A A A
Stoßstrom-Grenzwert surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = T
vj max
, tP = 10 ms
I
FSM
63000 56000
A A
Grenzlastintegral I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = T
vj max
, tP = 10 ms
I²t
19850 15680
10³ A²s 10³ A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung on-state voltage
Tvj = T
vj max
, iF = 4000 A
vF typ.
max.
1,20 1,27
V V Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = T
vj max
V
(TO)
typ.
max.
0,700 0,734
V V Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = T
vj max
r
T
typ.
max.
0,125 0,134
mΩ mΩ
Durchlaßkennlinie 500A iF 5000A O-state characteristic
Tvj = T
vj max
typ.
A
0,5994
B
0,000029
C
-0,02377
D
0,01088
max.
A
0,5978
B
0,0000316
C
-0,01954
D
0,01114
Rückwärts-Sperrstrom reverse current
Tvj = T
vj max
, vR = V
RRM
i
R
max. 100
mA
prepared by:
TM date of publication:
2014-06-01
approved by:
JP
revision:
8.1
F
FFF
iD1)i(LnCiBAv
Elektrische Eigenschaften
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Technische Information /
technical information
Date of Publication: 2014-06-01
Revision: 8.1
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Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Sperrverzögerungsladung recovered charge
VR = 1000V, Tvj = T
vj max
C = 4,7µF, R = 8,2Ω I
FM
= 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
Q
r
max.
10
mAs
Rückstromspitze peak reverse recovery current
VR = 1000V, Tvj = T
vj max
C = 4,7µF, R = 8,2Ω IFM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
I
RM
max.
300
A
Sperrverzögerungsladung recovered charge
VR = 100V, Tvj = T
vj max
C = 4,7µF, R = 8,2Ω IFM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
Q
r
typ.
5,1
mAs
Rückstromspitze peak reverse recovery current
VR = 100V, Tvj = T
vj max
C = 4,7µF, R = 8,2Ω IFM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
I
RM
typ.
155
A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode / cathode, DC
R
thJC
max. max. max. max.
9,2
8,5 14,9 19,8
K/kW K/kW K/kW K/kW
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided
R
thCH
max. max.
2,5
5,0
K/kW K/kW
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature
T
vj max
160
°C
Betriebstemperatur operating temperature
T
c op
-40...+160
°C
Lagertemperatur storage temperature
T
stg
-40...+160
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft clamping force
F
36...52
kN
Gewicht weight
G typ. 1700
g
Kriechstrecke creepage distance
40
mm Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50
m/s²
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
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