Infineon D3041N Data Sheet

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gle ichrichterdiode

Rectifier Diode

Elekt ri sch e Eig ens chaften / Ele ctric al p rop ert ies

Höchstzulässige Wert e / M aximum rated values Periodische Rüc kwärts- S pitze nsperrspannu ng

Kenndaten

repetiti ve p eak rever se vol tag es

Periodische Rüc kwärts- S pitze nsperrspannu ng repetiti ve p eak rever se vol tag es

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert ma xi mu m R M S o n- stat e cur re nt

Dauergrenzstr om aver ag e on-state current

Stoßstrom-Gr enz wer t sur g e current

Grenzlasti nteg ral I²t- value

Charakteri sti sch e Wer te / Ch aracteristic values Durchlaßspa nnung on-stat e voltag e

Schl eusens pannung threshold vol tag e

Ersatzwi derstand sl ope r esist ance

Durchlaßkennlinie 1500 A ≤ iF ≤ 4000A on-stat e c haract eristic

Rückwärts-Sperrstrom reverse current

Elektrische Eigenschaften

TTF

D 3041N

Tvj = - 40°C... T

Tvj = 0°C... T

TC = 100 °C TC = 60 °C

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = T

vj max

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = T

vj max

Tvj = T

vj max

Tvj = T

vj max

Tvj = T

vj max

Tvj = T

vj max

iDiLnCiBAv ⋅++⋅+⋅+= )1(

Tvj = T

vj max

, tP = 10 ms

, iF = 4000 A

, vR = V

RRM

FRMSM

FAVM

FSM

I²t 162 40

(TO)

typ.

ma x.

max. 100 mA

Zieldaten

5800

6500

6000

6700

6620 A

3040

57000

typ.

A 0,4 075 4 B 0,0 000 87 87 C 0,0 173 D 0,0 108 A 0,4 421 B 9,7 15E-5 C 0,0 187 5 D 0,0 113 3

typ.

ma x.

6000 6800 V V

6200 7000 V V

4220 A A

53000

14040

1,5 8

1,7 V V

0,7 84 0,8 40 V V

0,1 99 0,2 15

A A

10³ A²s 10³ A²s

mΩ mΩ

prepar ed b y:

approved b y: J. Przybilla

C. Schneider dat e of publi catio n: 2005-04-1 5

revision: 1

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Gle ichrichterdiode

Rectifier Diode

Elekt ri sch e Eig ens chaften / Ele ctric al p rop ert ies

Charakteri sti sch e Wer te / Ch aracteristic values

Sperr verzögeru ngsladu ng recovered charge

Rückstr omspitze peak reverse r eco ver y c urrent

Sperr verzögeru ngsladu ng recovered charge

Rückstr omspitze peak reverse r eco ver y c urrent

Thermische Eigens chaften / Th ermal properties

Innerer Wärmewiderstand thermal resi sta nce , junction to c ase

Übergang s-Wär mewi ders ta nd thermal resistance, case to heatsin k

Höchstzulässige Sperrschichtt emperatur maxi mu m junction te mperat ure

Betr iebs temperatur operati ng temp erat ure

Lagerte mper atur storage t emperat ure

Thermische Eigenschaften

Mechanische Eigenschaften

D 3041N

VR = 1000V, Tvj = T C = 1µF, R = 22Ω iTM = 1000A, -diT/dt = 1 0 A/µs

VR = 100V, Tvj = T C = 1µF, R = 22Ω iTM = 1000A, -diT/dt = 1 0 A/µs

Kühlfläc he / co oling surfac e beids eitig / two-si de d, θ = 1 80°sin beids eitig / two-si de d, DC Ano de / ano de, DC Kath ode / c at hod e, DC

Kühlfläc he / co oling surface beids eitig / two-si de d einseiti g / single-si de d

vj max

IRM

thJ C

thC H

vj max

c op

stg

Zieldaten

ma x. 11 mAs

max. 300 A

typ. 9 mAs

typ. 240 A

160 °C

-40...+1 60 °C

ma x. ma x. ma x. ma x.

ma x. ma x.

0,0 0855

0,0 075 0,0 133 0,0 172

0,0 025

0,0 05

°C/W °C/W °C/W °C/W

°C/W °C/W

Mechan is che Eigen schaften / M ech an ic al prope rt ies

Geh äuse , sie he Anlag e case, s ee anne x

Si-Element mit Dr uc kkont a kt Si-pellet with pr ess ure co ntac t

Anpress kra ft cl ampi ng force

Gewic ht wei g ht

Kriechstrecke cr eepag e di sta nce

Schwingfestigkeit vibra ti on r esistanc e

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76DNE68

F 36...53 kN

G typ. 1200 g

33 mm

f = 50 Hz 50 m/s²

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Gle ichrichterdiode

Rectifier Diode

Maßbild

D 3041N

Zieldaten

1: Anode/Anode

2: Kathode/Cathode

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