Infineon D3041N Data Sheet

N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gle ichrichterdiode

Rectifier Diode

Elekt ri sch e Eig ens chaften / Ele ctric al p rop ert ies

Höchstzulässige Wert e / M aximum rated values
Periodische Rüc kwärts- S pitze nsperrspannu ng

Kenndaten

repetiti ve p eak rever se vol tag es

Periodische Rüc kwärts- S pitze nsperrspannu ng
repetiti ve p eak rever se vol tag es

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
ma xi mu m R M S o n- stat e cur re nt

Dauergrenzstr om
aver ag e on-state current

Stoßstrom-Gr enz wer t
sur g e current

Grenzlasti nteg ral
I²t- value

Charakteri sti sch e Wer te / Ch aracteristic values
Durchlaßspa nnung
on-stat e voltag e

Schl eusens pannung
threshold vol tag e

Ersatzwi derstand
sl ope r esist ance

Durchlaßkennlinie 1500 A ≤ iF ≤ 4000A
on-stat e c haract eristic

Rückwärts-Sperrstrom
reverse current

Elektrische Eigenschaften

TTF

D 3041N

Tvj = - 40°C... T

Tvj = 0°C... T

I

TC = 100 °C
TC = 60 °C

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T

vj max

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T

vj max

Tvj = T

vj max

Tvj = T

vj max

Tvj = T

vj max

Tvj = T

vj max

iDiLnCiBAv ⋅++⋅+⋅+= )1(

T

Tvj = T

vj max

V

vj max

V

vj max

, tP = 10 ms

, tP = 10 ms

, iF = 4000 A

V

r

, vR = V

RRM

i

RRM

RRM

FRMSM

I

FAVM

I

FSM

I²t 162 40

vF

(TO)

typ.

T

typ.

ma x.

max. 100 mA

R

Zieldaten

5800

6500

6000

6700

6620 A

3040

57000

typ.

A 0,4 075 4
B 0,0 000 87 87
C 0,0 173
D 0,0 108
A 0,4 421
B 9,7 15E-5
C 0,0 187 5
D 0,0 113 3

typ.

ma x.

ma x.

ma x.

6000
6800 V V

6200
7000 V V

4220 A A

53000

14040

1,5 8

1,7 V V

0,7 84
0,8 40 V V

0,1 99
0,2 15

A
A

10³ A²s
10³ A²s

mΩ
mΩ

prepar ed b y:

approved b y: J. Przybilla

C. Schneider dat e of publi catio n: 2005-04-1 5

revision: 1

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N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gle ichrichterdiode

Rectifier Diode

Elekt ri sch e Eig ens chaften / Ele ctric al p rop ert ies

Charakteri sti sch e Wer te / Ch aracteristic values

Sperr verzögeru ngsladu ng
recovered charge

Rückstr omspitze
peak reverse r eco ver y c urrent

Sperr verzögeru ngsladu ng
recovered charge

Rückstr omspitze
peak reverse r eco ver y c urrent

Thermische Eigens chaften / Th ermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resi sta nce , junction to c ase

Übergang s-Wär mewi ders ta nd
thermal resistance, case to heatsin k

Höchstzulässige Sperrschichtt emperatur
maxi mu m junction te mperat ure

Betr iebs temperatur
operati ng temp erat ure

Lagerte mper atur
storage t emperat ure

Thermische Eigenschaften

Mechanische Eigenschaften

D 3041N

VR = 1000V, Tvj = T
C = 1µF, R = 22Ω
iTM = 1000A, -diT/dt = 1 0 A/µs

VR = 1000V, Tvj = T
C = 1µF, R = 22Ω
iTM = 1000A, -diT/dt = 1 0 A/µs

VR = 100V, Tvj = T
C = 1µF, R = 22Ω
iTM = 1000A, -diT/dt = 1 0 A/µs

VR = 100V, Tvj = T
C = 1µF, R = 22Ω
iTM = 1000A, -diT/dt = 1 0 A/µs

Kühlfläc he / co oling surfac e
beids eitig / two-si de d, θ = 1 80°sin
beids eitig / two-si de d, DC
Ano de / ano de, DC
Kath ode / c at hod e, DC

Kühlfläc he / co oling surface
beids eitig / two-si de d
einseiti g / single-si de d

T

T

T

vj max

vj max

vj max

vj max

R

R

Qr

IRM

Qr

IRM

thJ C

thC H

vj max

c op

stg

Zieldaten

ma x. 11 mAs

max. 300 A

typ. 9 mAs

typ. 240 A

160 °C

-40...+1 60 °C

-40...+1 60 °C

ma x.
ma x.
ma x.
ma x.

ma x.
ma x.

0,0 0855

0,0 075
0,0 133
0,0 172

0,0 025

0,0 05

°C/W
°C/W
°C/W
°C/W

°C/W
°C/W

Mechan is che Eigen schaften / M ech an ic al prope rt ies

Geh äuse , sie he Anlag e
case, s ee anne x

Si-Element mit Dr uc kkont a kt
Si-pellet with pr ess ure co ntac t

Anpress kra ft
cl ampi ng force

Gewic ht
wei g ht

Kriechstrecke
cr eepag e di sta nce

Schwingfestigkeit
vibra ti on r esistanc e

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76DNE68

F 36...53 kN

G typ. 1200 g

33 mm

f = 50 Hz 50 m/s²

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Gle ichrichterdiode

Rectifier Diode

Maßbild

D 3041N

Zieldaten

1: Anode/Anode

12

2: Kathode/Cathode

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Gle ichrichterdiode

Rectifier Diode

R,t – Werte
R

Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

R,T-Werte

beidseitig

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z

Analytical elements of transient thermal impedance Z

R

[°C/W] 0,0 029 5 0,0 02 0,0 015 4 0,0 009 8 0,0 000 3

thn

D 3041N

Zieldaten

thJC

thJC

two-sided

anodenseitg

τ

[s]

n

R

[°C/W] 0,0 080 4 0,0 008 1 0,0023 9 0,0 016 0,0 004 6

thn

0,7 8 0,131 0,0 217 0,0 051 4 0,0 010 4

anode-sided

kathodenseitig

τ

[s]

n

R

[°C/W] 0,0 121 0,0004 0,0 024 4 0,0 015 5 0,0 007 1

thn

5,1 1 0,3 59 0,0 962 0,0 12 0,0 033 2

cathode-sided

τ

[s]

n

4,9 7 0,4 89 0,1 207 0,0153 0,0 042 7

Analytische Funktion / Analytical function:

n

ma x

Σ

-t

τ

n

−=

thnthJC

e1RZ

n=1

0,02

k

a

d

0 ,00 1 0,0 1 0 ,1 1 1 0 1 00

t / [s ec .]

0,015

0,01

Z (th) J C / [ K/W ]

0,005

0

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedan ce Z

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

= f(t) for DC

th J C

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Netz-Gle ichrichterdiode

Rectifier Diode

Diagramme

Diagramme

D 3041N

Durchlasskennlinie

Zieldaten

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)

T

vj

= Tvj

max

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Netz-Gle ichrichterdiode

Rectifier Diode

D 3041N

Tc beidseitig

Zieldaten

Sperrverzögerungsladung / Recover ed charge Qr = f(-di/dt)

T

vj=Tvjmax

, C = 1µF, R = 22Ω

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Netz-Gle ichrichterdiode

Rectifier Diode

D 3041N

Ta bei Sinus

Rückstromspitze / Peak reverse recovery curr ent IRM = f(-di/dt)

T

vj=Tvjmax

, C = 1µF, R = 22Ω

Zieldaten

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