Infineon D291S Data Sheet
Mark eting Informati on
D 291 S
+0,
ø3,5
de epth = 4
±0 ,2
on both
Euro pean PowerSemicondu cto r and
Electronics Compan y
C
A
Applikation: Be sch altu ngsdiode zu GTO - Vorrichtungen
Application: Sn u bberdio de at GTO - Inverter
VWK January
Schnelle Gleichrichterdiode
D 291 S
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
1)
1)
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Fast Diode
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung 3500V, 4000V
repetitive peak reverse voltage tvj = -40°C...140°C V
RRM
Stoßspitzensperrspannung 3600V, 4100
non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...140°C V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current I
Dauergrenzstrom / mean forward current tC = 85°C I
RSM
FRMSM
FAVM
tC = 51°C 445 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral t
t
= 25°C I
vj
FSM
tvj = 125°C 4500 A
= 25°C I²t 135000
vj
I²t-value tvj = 125°C 100000 A²s
Kritische periodische Ausschaltstromsteilheit t
= 125°C, IFM = 3000 A, VRM = 1600 V (-di/dt)
vj
com
critical repetitive rate of fall of on - state C = 0,125 µF, R = 6 Ω 700 A/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung / forward voltage tvj = 125°C iFM = 1200 A V
Schleusenspannung / threshold voltage tvj = 125°c V
Ersatzwiderstand / forward slope resistance tvj = 125°C r
Sperrstrom / reverse current tvj = 125°C, vR = 0,67 V
tvj = 125°C, vR = V
RRM
RRM
Rückstromspitze / peak reverse recovery current iFM = 1000 A, -diF/dt = 250 A/µs I
tvj = 125°C; v
R(Spr)
= 1000 V;
C = 0,125 µF; R = 6 Ω
Sperrverzögerungsladung iFM = 1000 A, -diF/dt = 250 A/µs Q
recovered charge tvj = 125°C; v
R(Spr)
= 1000 V;
C = 0,125 µF; R = 6 Ω
F
(TO)
T
i
R
RM
rr
4500 V
4600 V
700 A
290 A
5200 A
4,15 V
1,9 V
1,76 mΩ
ca. 30 mA
50 mA
500 A
950 µAs
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thJC
thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided 0,04 K/W
einseitig / single-sided 0,08 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thCK
thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sided 0,006 K/W
einseitig / single-sided 0,012 K/W
Höchstzulässige Sperrschichttemp. / max. junction temperat. tvjmax 125 °C
Betriebstemperatur / operating temperature tc op -40...+125°C
Lagertemperatur / storage temperature t
stg
-40...+150°C
Gehäuse, siehe Anlage / case, see appendix Seite / page 1
Anpreßkraft /clamping force F 9...13 kN
Gewicht / weight G ca. 250 g
Luftstrecke / air distance 20 mm
Kriechstrecke / creepage distance 30 mm
Feuchteklasse / humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit / vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.
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