Infineon D2650N Data Sheet

N

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

Datenblatt / Data sheet

D2650N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung

Kenndaten

repetitive peak reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom
average on-state current

Stoßstrom-Grenzwert
surge current

Grenzlastintegral
I²t-value

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung
on-state voltage

Schleusenspannung
threshold voltage

Ersatzwiderstand
slope resistance

Durchlaßkennlinie 1000 A ≤ iF ≤ 13000 A
on-state characteristic

Sperrstrom
reverse current

FFF

Thermische Eigenschaften

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature

Lagertemperatur
storage temperature

1) Gehäusegrenzstrom I

prepared by:

approved by: M.Leifeld

H.Sandmann date of publication: 2007-10-22

BIP D AEC / 2007-10-22, H.Sandmann

= 32kA (50Hz Sinushalbwelle) / Peak case non rupture current I

RSM-case

= -40°C... T

T

vj

I

= 100 °C

T

C

= 83 °C

T

C

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms

= Tvj max, tP = 10 ms

T

vj

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T

= Tvj max, tP = 10 ms

vj

Tvj = T

vj max

= T

T

vj

vj max

Tvj = T

vj max

Tvj = T

vj max

T

= T

vj

vj max

iD)1i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=

F

Tvj = T

vj max

Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided

T

vj max

, iF = 9,0 kA
, iF = 2,5 kA

V

r

A=

, vR = V

RRM

revision: 3

RSM-case

A 44/07 1/8

V

2000

RRM

4710 A

FRMSM

I

2650

FAVM

I

41000

FSM

I²t 8405

v

F

(TO)

0,148

T

iR

R

thJC

R

thCH

T

vj max

c op

T

stg

= 32kA (50Hz sinusoidal half-wave)

max.
max.

B=
C=
D=

max.

max.
max.
max.
max.
max.
max.

max.
max.

-40...+180 °C

-40...+180 °C

2200
2400

3000A A

33500

5611

2,25
1,25V V

0,82 V

-4,562E-01
1,522E-04
2,069E-01

-5,183E-03

200 mA

0,0169
0,0160
0,0329
0,0320
0,0329
0,0320

0,0025
0,0050

180

Seite/page

V
V
V

A 1)
A

10³A²s
10³A²s

mΩ

°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W

°C/W
°C/W

°C

N

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

Datenblatt / Data sheet

D2650N

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft

clamping force

Gewicht
weight

Kriechstrecke
creepage distance

Schwingfestigkeit
vibration resistance

Mechanische Eigenschaften

Seite 3

F 24...60 kN

G typ. 600 g

30 mm

f = 50 Hz 50 m/s²

page 3

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.

BIP D AEC / 2007-10-22, H.Sandmann

A 44/07 2/8

Seite/page

N

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

Datenblatt / Data sheet

D2650N

Maßbild

Maßbild

x) Pumpröhrchen (isoliert betreiben!), evacuation pipe (keep insulated!)

12

BIP D AEC / 2007-10-22, H.Sandmann

1: Anode/
Anode

2: Kathode/

A 44/07 3/8

Cathode

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