Infineon D2209N Data Sheet

European Power­Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG

Leistungsgleichrichterdioden
Power Rectifier Diodes
D 2209 N

ø

48

2,3

Kathode
Cathode

26

17,5

3,2

48

ø

+0.1

ø3,5 x 3,5 tief / depth

beidseitig / on both sides

75

6

Anode

7

.

x

a

m

30

4

VWK July 1996

D 2209 N

non-repetitive peak reverse voltage

thermal resistance,case to heatsink

Elektrische Eigenschaften Electrical properties

Höchstzulässige Werte Maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage tvj = -40°C... t

Stoßspitzensperrspannung

tvj = +25°C... t

vj max

vj max

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current I
Dauergrenzstrom mean forward current tc = 100 °C I

tc = 57 °C 3,12 kA

Stoßstrom-Grenzwert surge forward current tvj = 25°C, tp = 10 ms I

tvj = t

, tp = 10 ms 35 kA

vj max

Grenzlastintegral I2 t-value tvj = 25°C, tp = 10 ms I2 t 8405 kA2s

tvj = t

, tp = 10 ms 6125 kA2s

vj max

Charakteristische Werte Characteristic values

Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t
Sperrstrom reverse current tvj = t

, iF = 9,4 kA V

vj max

vj max

vj max

, VR = V

vj max

RRM

V

RRM

V

RSM

FRMSM

FAVM

FSM

T

V

T(TO)

r

T

i

R

= V

RRM

2000, 2200, 2400 V

2600, 2800 V

+ 100 V

4,9 kA
2,2 kA

41 kA 1)

max. 2,3 V

0,83 V

0,145 mΩ

max. 150 mA

Thermische Eigenschaften Thermal properties

Innerer Widerstand thermal resistance, junction beidseitig/two-sided, Θ =180° sin R

thJC

max. 0,0169 °C/W

to case beidseitig/two sided, DC max. 0,0160 °C/W

Anode/anode, Θ =180° sin max. 0,0329 °C/W
Anode/anode, DC max. 0,0320 °C/W
Kathode/cathode, Θ =180° sin max. 0,0329 °C/W
Kathode/cathode, DC max. 0,0320 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand

beidseitig /two-sided R

thCK

max. 0,0025 °C/W

einseitig /single-sided max. 0,0050 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t

vj max

c op

stg

160 °C

-40...+150 °C

-40...+150 °C

Mechanische Eigenschaften Mechanical properties

Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact ∅ = 56 mm
Anpreßkraft clamping force Gehäuseform/case design T F 24...60 kN
Gewicht weight G typ. 540 g
Kriechstrecke creepage distance 40 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s
Maßbild outline Seite/page

1

) Gehäusegrenzstrom 32 kA (50 Hz Sinushalbwelle) / Current limit of case 32 kA (50 Hz sinusoidal half-wave)

2