Infineon D1961SH Data Sheet

SH

Datenblatt / Data sheet

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Drive Diode

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung

Kenndaten

repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

Elektrische Eigenschaften

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom average on-state current

Stoßstrom-Grenzwert surge current

Grenzlastintegral I²t-value

Max. Ausschaltverluste max. turn-off losses

Charakteristische Werte / Characteristic values Gleichsperrspannung continuous direct reverse voltage

Durchlaßspannung on-state voltage

Schleusenspannung threshold voltage

Ersatzwiderstand slope resistance

Durchlaßkennlinie 200A ≤ iF ≤ 3000A on-state characteristic

FFF

Spitzenwert der Durchlassverzögerungsspannung peak value of forward recovery voltage

Sperrstrom

reverse current

Sperrverzögerungsladung recovered charge

Rückstromspitze

peak reverse recovery current

Ausschaltverlust Energie turn-off energy

Abklingsanftheit reverse recovery softness factor

prepared by:

C. Schneider

approved by: J. Przybilla

D 1961SH

T

= 0°C... T

vj

I

TC = 85°C, f=50Hz T

= 60°C, f=50Hz

C

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms T

= T

vj

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms T

vj

T

vj

I

FM

clamp circuit L R

CL

C

CL

failure rate λ < 100

Tvj = T

T

vj

iDiLnCiBAv ⋅++⋅+⋅+= )1(

F

T

vj

I

FM

Tvj = T

T

vj

I

FM

clamp circuit L R

CL

D

CL

T

vj

I

FM

-di

, tP = 10 ms

vj max

= T

, tP = 10 ms

vj max

= T

vjmax

= 2500A, V

= 68Ω, D = 3µF

, iF = 2500A

vj max

V

vj max

r

vj max

= T

vj max

= T

, diF/dt = 5000A/µs

vjmax

= 4000A

, vR = V

vj max

= T

vjmax

= 2500A, V

= 68, C = 34DSH65, -di/dt = 1000A/µs E

= T

vjmax

= 2500A, VR = 2800 V,

/dt

= 1000A/µs, trf = 200ns

rr

(i=0)

date of publication: 2006-07-19

V

vj max

RRM

FRMSM

I

FAVM

I

FSM

I²t

W

= 2800V,

CL

 0,25µH,

S

= 34DSH65,

CL

max

V

R(D)

vF

(TO)

T

typ.

max.

typ. 280 V

V

FRM

i

RRM

max. 150 mA

R

Qr max. 12000 µAs

= 2800V,

CL

 0,25µH,

S

= 3µF,

CL

IRM max. 2250 A

max. 21 Ws

off

F

typ. 1,6

RRS

revision: 2

estimate

value

A 0,72096 B -0,000113 C -0,0806 D 0,0469 A 0,6986 B -0,0000753 C -0,07067 D 0,0506

typ.

max.

typ.

max.

typ.

max.

4500 V

3980 A

1960 2530A A

40000

8000

5MW

2800 V

2,16

2,5V V

1,11 1,25V V

0,42

0,5

A A

10³ A²s 10³ A²s

m m

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SH

Datenblatt / Data sheet

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Drive Diode

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case

Thermische Eigenschaften

Mechanische Eigenschaften

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature

Betriebstemperatur operating temperature

Lagertemperatur storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact

Anpresskraft clamping force

Gewicht weight

Kriechstrecke creepage distance

Luftstrecke air distance

Feuchteklasse humidity classification

Schwingfestigkeit vibration resistance

D 1961SH

Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided,  = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided

T

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76DSX45

F 36...52 kN

G typ. 1350 g

33 mm

17 mm

DIN 40040 C

f = 50 Hz 50 m/s²

R

thJC

R

thCH

vj max

0...+140 °C

c op

-40...+150 °C

stg

max.

0,00855

max.

0,0075

max.

0,0133

max.

0,0172

0,0025

max. max.

140 °C

page 3

0,005

°C/W °C/W °C/W °C/W

°C/W °C/W

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SH

Datenblatt / Data sheet

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Drive Diode

Maßbild

D 1961SH

1: Anode/Anode

12

2: Kathode/Cathode

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