Infineon D1951SH65T Data Sheet

Technische Information / Technical Information

Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode

Features:

D 1951 SH 65T

Zieldaten / Possible Data

• Speziell entwickelt für beschaltungslosen

• Specially designed for snubberless operation

Betrieb

• Niedrige Verluste, weiches Ausschalten • Low losses, soft recovery

• Volle Sperrfähigkeit bei 140°C mit 50Hz • Full blocking capability at 140°C with 50Hz

• Hohes di/dt und niedriger Wärmewiderstand

durch NTV-Verbindung zwischen Silizium und
Mo-Trägerscheibe

• High di/dt and low thermal resistance by

using low temperature-connection NTV
between silicon wafer and molybdenum

• Elektroaktive Passivierung durch a-C:H • Electroactive passivation by a-C:H

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current

Dauergrenzstrom
mean forward current

Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current

Grenzlastintegral

2

t-value

I

Max. Ausschaltverluste
max. turn-off losses

Tvj = 0°C ... T
f = 50Hz

Tc = 60°C. f = 50Hz

TC = 85°C, f = 50Hz
TC = 60°C, f = 50Hz

Tvj = T

Tvj = T

I

FM

clamp circuit Lσ ≤ 0,25 µH, R
C

CL

Tvj = T

vj max

, Tp = 10ms

vj max

, Tp = 10ms

vj max

= 2500A, VCL = 2800V,

= 3µF, DCL = 34DSH65

vj max

CL

= 68Ω

V

RRM

I

FRMSM

I

FAVM

I

FSM

I2t

W

max

6500 V

3800 A

1950
2400AA

9,68 ⋅ 10

44 kA

6

9MW

A2s

BIP AC / 2001-11-21, Schneider / Keller Release 4.1 Seite/pageSH1

Technische Information / Technical Information

Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

Gleichsperrspannung
continuous direct reverse voltage

Durchlaßspannung
forward voltage

Schleusenspannung
threshold voltage

Ersatzwiderstand
forward slope resistance

Durchlaßrechenkennlinie 250 A ≤ iF ≤ 3200 A
On-state characteristics for calculation

VABiCi Di

=+⋅+⋅ ++⋅ln 1

FFF F

()

Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage

Sperrstrom
reverse current

D 1951 SH 65T

failure rate λ < 100
estimate value

Tvj = T

, iF = 2500A

vj max

Tvj = T

vj max

Tvj = T

vj max

Tvj = T

vj max

Tvj = T

, diF/dt = 500A/µs

vj max

Tvj = T

vj max, vR

= V

RRM

Zieldaten / Possible Data

V

R(D)

V

F

V

(TO)

r

T

A
B
C
D

V

FRM

i

R

typ.

max

-0,038712

3200 V

1,78 V

0,89

max.

0,73603

9,78E-05

0,06652

typ. 50 V

250 mA

4V

mΩ

Rückstromspitze
peak reverse recovery current

Sperrverzögerungsladung
recovered charge

Ausschaltverlust Energie
turn-off energy

Abklingsanftheit
reverse recovery softness factor

)/(

dtdi

0

irr

F

=

RRS

rf

=

)/(

dtdi

max

I

= 2500A, VCL = 2800V,

FM

clamp circuit Lσ ≤ 0,25 µH, R
C

= 3µF, DCL = 34DSH65

CL

Tvj = T

vj max

I

= 2500A, VR = 2800V

FM

-di

/dt

= 1000A/µs, dt = 80ns

rr

(i=0)

Tvj = T

vj max

CL

= 68Ω

I

RM

Q

r

E

off

F

RRS

max 1500 A

max 4300 µAs

10,0 Ws

typ.

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Technische Information / Technical Information

Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

D 1951 SH 65T

Zieldaten / Possible Data

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature

Betriebstemperatur
operating temperature

Lagertemperatur
storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix

Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode /cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single sided

R

R

T

T

T

thJC

thCK

vj max

c op

stg

max
max
max

max
max

-40...+150 °C

0,0045

0,00855

0,0095

0,0015

0,003

°C/W
°C/W
°C/W

°C/W
°C/W

140 °C

0...+140 °C

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Si - Element mit Druckkontakt
Si - pellet with pressure contact

Anpreßkraft
clampig force

Gewicht
weight

Kriechstrecke
creepage distance

Luftstrecke
air distance

Feuchteklasse
humidity classification

Schwingfestigkeit
vibration resistance

DIN 40040

f = 50Hz

101DSH65

F 55...91 kN

G

typ

2500 g

33 mm

20 mm

C

50 m/s

2

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes

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