Infineon D1800N Data Sheet

N

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

Datenblatt / Data sheet

D1800N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung

Kenndaten

repetitive peak reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom
average on-state current

Dauergrenzstrom
average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current

Stoßstrom-Grenzwert
surge current

Grenzlastintegral
I²t-value

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung
on-state voltage

Schleusenspannung
threshold voltage

Ersatzwiderstand
slope resistance

Durchlaßkennlinie 500 A ≤ iF ≤ 9000 A
on-state characteristic

FFF

Thermische Eigenschaften

Sperrstrom
reverse current

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature

Lagertemperatur
storage temperature

prepared by:

approved by: M.Leifeld

IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann

H.Sandmann date of publication: 2008-09-15

= -40°C... T

T

vj

I

T

= 100 °C

C

TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms I

I

Tvj =25 °C, tP = 10 ms

= T

T

vj

vj max,

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms

= T

T

vj

vj max

Tvj = T

vj max

T

= T

vj

vj max

Tvj = T

vj max

Tvj = T

vj max

T

= T

vj

vj max

iD)1i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=

F

Tvj = T

vj max

Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided

T

vj max

tP = 10 ms

, tP = 10 ms

, iF = 7,4 kA
, iF = 1,5 kA

V

r

A=

, vR = V

RRM

revision: 3.0

A 41/08 1/8

V

3600

RRM

FRMSM

I

FAVM

FAVM

FRMS

I

FSM

I²t 6125

v

F

(TO)

0,253

T

iR

R

thJC

R

thCH

T

vj max

c op

T

stg

4000
4200

3850 A

1800 A

35000

max.
max.

-7,537E-01
B=
C=
D=

-40...+160 °C

-40...+160 °C

3,748E-04
3,443E-01

-2,660E-02

max.

max.
max.
max.
max.
max.
max.

max.
max.

0,0169
0,0160
0,0329
0,0320
0,0329
0,0320

0,0025
0,0050

Seite/page

4400
4600
4800

2550 A

4000 A

27500

3781

2,82
1,32V V

0,85 V

100 mA

160

V
V
V

A
A

10³A²s
10³A²s

mΩ

°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W

°C/W
°C/W

°C

N

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

Datenblatt / Data sheet

D1800N

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft

clamping force

Gewicht
weight

Kriechstrecke
creepage distance

Schwingfestigkeit
vibration resistance

Mechanische Eigenschaften

F 24...60 kN

G typ. 600 g

25 mm

f = 50 Hz 50 m/s²

Seite 3
page 3

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.

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N

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

Datenblatt / Data sheet

D1800N

Maßbild

Maßbild

12

IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann

1: Anode/
Anode

2: Kathode/

A 41/08 3/8

Cathode

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N

−

=

τ

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

Datenblatt / Data sheet

D1800N

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z

Transienter Wärmewiderstand

Kühlung /

Cooling

beidseitig

Analytical elements of transient thermal impedance Z

Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

R

[°C/W] 0,000006 0,000407 0,001107 0,00206 0,00503 0,00739 -

thn

two-sided

τ

[s]

n

R

[°C/W]

thn

anodenseitig

anode-sided

τ

[s]

n

R

[°C/W] 0,000201

thn

kathodenseitig

cathode-sided

τ

[s]

n

Analytische Funktion / Analytical function:

für DC

thJC

thJC

for DC

0,000184 0,001360 0,010800 0,04640 0,21900 1,15000 -

0,000201

0,000796

0,000796

0,000849

0,005330

0,000849

0,005330

0,00235

0,03660

0,00235

0,03660

0,00567

0,21400

0,00567

0,21400

0,00443

2,79000

0,00443

2,79000

n

max

Σ

n=1

0,0185

-

6,1100

-

0,0185

-

6,1100

-

-t

n

thnthJC

e1RZ

0,035

0,030

0,025

0,020

[°C/W]

0,015

thJC

Z

0,010

0,005

0,000

0,001 0,01 0,1 1 10 100

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC

Z

thJC

a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

t [s ]

= f(t)

a
c

b

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N

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

Datenblatt / Data sheet

D1800N

Erhöhung des Z

Rise of Z

Diagramme

th DC

Diagramme

Kühlung / Cooling

beidseitig
two-sided

anodenseitig

anode-sided

kathodenseitig

cathode-sided

10.000

bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ

th DC

for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ

∆Z

th Θ rec

[°C/W]

∆Z

th Θ sin

[°C/W]

∆Z

th Θ rec

[°C/W]

∆Z

th Θ sin

[°C/W]

∆Z

th Θ rec

[°C/W]

∆Z

th Θ sin

[°C/W]

∆Z

Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30°

0,00126

0,00087

0,00130

0,00096

0,00130

0,00096

Z

th Θ rec

Z

th Θ sin

th Θ rec

= Z
= Z

/ ∆Z

0,00202

0,00122

0,00204

0,00130

0,00204

0,00130

th DC

th DC

th Θ sin

+ ∆Z
+ ∆Z

th Θ rec

th Θ sin

0,00260

0,00168

0,00260

0,00175

0,00260

0,00175

0,00348

0,00249

0,00339

0,00244

0,00339

0,00244

0,00496

0,00411

0,00479

0,00391

0,00479

0,00391

[A]

F

i

9.000

8.000

7.000

6.000

5.000

4.000

3.000

2.000

1.000

0

0,91,41,92,42,93,4

Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)

Durchlasskennlinie

[V]

V

F

T

= Tvj

vj

max

T

= T

vj

vj ma x

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N

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

Datenblatt / Data sheet

D1800N

8000

7000

Durchlassverluste

a

6000

5000

[W]

4000

FAV

P

3000

2000

1000

f

d

e

b

c

Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs­ belastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gege nspannungs­ belastung / Reverse voltage load)

0

0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500

I

FAV

[A]

= f(I

Durchlassverlustleistung / On-state power loss P

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

FAV

FAV

)

Tc beidseitig

Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2 )
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs­ b elastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegen spannungs­ b elastung / Reverse voltage load)

[°C]

C

180

160

140

120

100

T

80

60

40

d bef

c

a

20

0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500

[A]

I

FA V

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

= f(I

C

FAV

)

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N

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

100000

[µAs]

r

Q

10000

1000

0,1 1 10 100

Datenblatt / Data sheet

D1800N

Qr Diagramm

-di/dt [A/µs]

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge

Qr =f(-di/dt)

T

= T

vj

RC-Glied / RC-Network: R = 2,7Ω, C = 1,5µF

vjmax , vR

≤ 0,5 V

RRM

, v

RM

= 0,8 V

RRM

iFM =
3200A

1600A

800A
400A

200A
100A

30

25

20

[kA ]

15

F(OV)M

I

10

5

0

1 3 5 7 9 1113151719

Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen

Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves

Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I

Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V

Typical dependency of maximum overload on-state current I

sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V

I

= f (pulses, VRM) ; Tvj = T

F(OV)M

von der Anzahl für eine Folge von Sinus

F(OV)M

as a number of a sequence of

F(OV)M

vj max

RM

RM

0-50V

0,33 V

RRM

0,67 V

RRM

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Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

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D1800N

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Verbindung (siehe www.infineon.com). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in
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Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden
Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig
machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.

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note, that for any such applications we urgently recommend

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- the conclusion of Quality Agreements;

- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.

If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.

Changes of this product data sheet are reserved.

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