Infineon D170S25 Data Sheet
Technische Information / Technical Information
D 170 S 25
Charakteristische Werte / Characteristic values
m
Ω
V
1)
µs
1)
1)
1)
µs
1)
2)
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak forward reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge foward current
Grenzlastintegral
I²t-value
Durchlaßspannung
forward voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung IEC 747-2 V
peak value of forward recovery voltage
Durchlaßverzögerungszeit IEC 747-2, Methode / method II t
forward recovery time
Sperrstrom
reverse current
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Sperrverzögerungszeit
reverse recovered time
Sanftheit
Softness
Tvj = - 25°C...T
Tvj = + 25°C...T
TC =85°C
TC =44°C
Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
diF/dt=200A/µs, vR=0V
Tvj = T
diF/dt=200A/µs, vR=0V
Tvj = 25°C, vR=V
Tvj = T
DIN IEC 747-2, Tvj=T
iFM =500A,-diF/dt=200A/µs
vR<=0,5 V
DIN IEC 747-2, Tvj=T
iFM =500 A,-diF/dt=200A/µs
vR<=0,5 V
DIN IEC 747-2, Tvj=T
iFM =500A,-diF/dt=200A/µs
vR<=0,5 V
DIN IEC 747-2, Tvj=T
iFM =500A,-diF/dt=200A/µs
vR<=0,5 V
, tp = 10 ms
vj max
, tp = 10ms
vj max
, iF = 800 A
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max, iFM
, vR = V
vj max
RRM
RRM
RRM
RRM
vj max
vj max
=diF/dt*tfr
RRM
RRM
vj max
, vRM=0,8 V
vj max
, vRM=0,8 V
vj max
, vRM=0,8 V
vj max
, vRM=0,8 V
RRM
RRM
RRM
RRM
S
V
RRM
V
RSM
FRMSM
I
FAVM
I
FSM
I²t 92450 A²s
v
F
V
(TO)
r
T
FRM
fr
i
R
I
RM
Q
r
t
rr
SR 0,004
2500 V
2600 V
400 A
170 A
255 A
4300 A
3700 A
68450 A²s
max. 2,3 V
1,1 V
1,4
48
max. 2,2
max. 5 mA
max. 70 mA
A
340
µAs
870
4
µs/A
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
SZ-M / 4 Feb 1993 , R. Jörke A 2 / 93 Seite/page 1
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Kühlkörper / heatsinks: K1,1-M12-A ; K0,55-M12-A ; GK-M12-A
Fast Diode
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, junction to case
Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, case to heatsink einseitig / single-sided max. 0,04 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T
max. junction temperature
Betriebstemperatur T
operating temperature
Lagertemperatur T
storage temperature
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Element mit Druckkontakt Durchmesser/diameter 23mm
Si-pellet with pressure contact
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung M 20 Nm
mounting torque
Gewicht G typ. 110 g
weight
Kriechstrecke 12 mm
creepage distance
Feuchteklasse DIN 40040 C
humidity classification
Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s²
vibration resistance
D 170 S 25
thJC
Anode / anode, Θ =180°sin
Anode / anode, DC max. 0,18 °C/W
thCK
vj max
c op
stg
S
max. 0,19 °C/W
140 °C
-40...+140 °C
-40...+150 °C
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M / 4 feb 1993 , R. Jörke A 2 / 93 Seite/page 2
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