Infineon D1709N22 Data Sheet

Technische Information / Technical Information

D 1709 N 20...24

V

A²s*10

3

A²s*10

3

m

Ω

beidseitig / two-sided,

Θ

=180°sin

Anode / anode,

Θ

=180°sin

Kathode / cathode,

Θ

=180°sin

Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode

N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Vorläufige Daten

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Preliminary data

Periodische Spitzensperrspannung Tvj = - 40°C...T

vj max

V

RRM

2000 2200 V

repetitive peak forward reverse voltage 2400 V

Stoßspitzensperrspannung Tvj = + 25°C...T

vj max

V

RSM

2100 2300 V

non-repetitive peak reverse voltage 2500 V

V

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I

FRMSM

2700 A

RMS forward current Dauergrenzstrom TC = 90 °C I

FAVM

1700 A

mean forward current Stoßstrom-Grenzwert Tvj = 25°C, tp = 10 ms I

surge foward current Tvj = T

, tp = 10 ms 18.000 A

vj max

FSM

21.500 A

Grenzlastintegral Tvj = 25°C, tp = 10ms I²t 2.311 I²t-value Tvj = T

, tp = 10ms 1.620

vj max

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung Tvj = T forward voltage Tvj = T

Schleusenspannung Tvj = T threshold voltage

Ersatzwiderstand Tvj = T forward slope resistance

, iF = 4 kA v

vj max

, iF = 700 A v

vj max

F F

V

(TO)

r

T

max. 1,8 V max. 0,98 V

0,83 V

0,20

Tvj = T

vj max

Tvj = 25 °C

Durchlaßkennlinie A = 6,4014E-01 7,2964E-01 on-state voltage B = 1,2359E-04 8,9772E-06

iDiLnCiBAv ⋅++⋅+⋅+= )1(

TTTT

Sperrstrom Tvj = T

C = -1,0606E-02 5,9894E-03

D = 1,2090E-02 8,4835E-03

vj max

, vR = V

RRM

i

R

max. 60 mA

reverse current

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R thermal resitance, junction to case

beidseitig / two-sided, DC max. 0,0223 °C/W

Anode / anode, DC max. 0,0388 °C/W

Kathode / cathode, DC max. 0,0514 °C/W

Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0035 °C/W

einseitig / single-sided max. 0,0070 °C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T max. junction temperature

Betriebstemperatur T operating temperature

Lagertemperatur T storage temperature

thJC

thJK

vj max

c op

stg

max. 0,0245 °C/W

max. 0,0410 °C/W

max. 0,0540 °C/W

160 °C

-40...+150 °C

prepared by: K.-A. Rüther data of publication: BIP AM approved by: J. Novotny revision: 1 A20/00 Seite/page 1

Technische Information / Technical Information

Netz Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D 1709 N 20...24

Vorläufige Daten

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Preliminary data

BIP AM / 00-09-05, K.-A. Rüther

A20/00

Seite/page 2

Gehäuse, siehe Anlage Seite 3 case, see appendix page 3 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft F 12...24 kN clamping force

Gewicht G typ. 540 g weight

Kriechstrecke 32 mm creepage distance

Feuchteklasse DIN 40040 C humidity classification

Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s² vibration resistance

N

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

Technische Information / Technical Information

Netz Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D 1709 N 20...24

BIP AM / 00-09-05, K.-A. Rüther

Z. Nr.: 1

Seite/page 3

N

A20/00

Technische Information / Technical Information

Netz Gleichrichterdiode

τ

n

= ∑

τ

n=1

Rectifier DiodeThyristor

Kühlung cooling

beidseitig two-sided

anodenseitig anode-sided

kathodenseitig cathode-sided

thJC

N

für DC

D 1709 N 20...24

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z Analytical ementes of transient thermal impedance Z

thJC

for DC

Pos.n 1 2 3 4 5 6 7 R

R

thn

n [s]

thn

n [s]

thn

n [s]

[°C/W]

0,00114 0,0025 0,0031 0,00761 0,00795 0,00146 0,00563 0,0609 0,239 1,24

0,00111 0,00251 0,00331 0,00892 0,023 0,00144 0,00547 0,0611 0,276 4,3

0,00118 0,00269 0,00883 0,00329 0,0358 0,00147 0,00613 0,134 0,741 8,81

Analytische Funktion / analytical function : Z

thJC

=

max

R

( 1 - EXP ( - t /

thn

))

n

BIP AM / 00-09-05, K.-A. Rüther

A20/00

Seite/page 4

Technische Information / Technical Information

Netz-Gleichrichterdiode

Grenzdurchlaßkennlinien / Limiting on-state characteristics i

= f(v

)

Rectifier Diode

5000

4000

3000

D 1709 N 20...24

Tvj = 25 °C

T

vj

= T

N

vj max

[A]

F

i

2000

1000

0

0,5 1 1,5 2 2,5

V

[V]

F

BIP AM / 00-09-05, K.-A. Rüther A20/00 Z.Nr.: 2 Seite/page 5

F

T

Technische Information / Technical Information

Netz-Gleichrichterdiode

Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P

= f(I

)

Rectifier Diode

4000

Parameter a - Gleichstrom b - M 1 - ,M 2 -, B 2 - Schaltung c - B 6 -, M 3 -, M 3.2 - Schaltung d - M 6 - Schaltung e - M 1 -, M 2 -, B 2 - Schaltung bei Gegenspannungsbelastung Θ ~ 60° el f - M 1 -, M 2 -, B 2 - Schaltung bei Gegenspannungsbelastung Θ ~ 30° el

3000

D 1709 N 20...24

b

c

d

e

N

a

[W]

2000

FAV

P

1000

f

0

0 500 1000 1500 2000 2500 3000

BIP AM / 00-09-05, K.-A. Rüther A20/00 Z.Nr.: 3 Seite/page 6

I

FAV

[A]

FAV

Technische Information / Technical Information

Netz-Gleichrichterdiode

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Rectifier Diode

150

140

130

120

110

100

90

D 1709 N 20...24

Parameter a - Gleichstrom b - M 1 - ,M 2 -, B 2 - Schaltung c - B 6 -, M 3 -, M 3.2 - Schaltung d - M 6- Schaltung e - M 1 -, M 2 -, B 2 - Schaltung bei Gegenspannungsbelastung Θ ~ 60° el f - M 1 -, M 2 -, B 2 - Schaltung bei Gegenspannungsbelastung Θ ~ 30 °

N

[°C]

C

T

80

70

60

50

40

30

f

20

0 500 1000 1500 2000 2500 3000

de

I

[A]

FAVM

abc

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

BIP AM / 00-09-05, K.-A. Rüther A20/00 Z.Nr.: 4 Seite/page 7

C

TAVM