Infineon D1461S45T Data Sheet

Technische Information / Technical Information

Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode

D 1461 S 35 ... 45 T

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung non-repetetive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current

Dauergrenzstrom mean forward current

Stoßstrom-Grenzwert surge forward current

Grenzlastintegral I2t-value

Period. Abklingsteilheit des Durchlaßstroms beim Ausschalten repetitive decay rate of on-state current at turn-of

tvj = -40°C ... t

tvj = +25°C ... t

tC = 85°C, f = 50Hz tC = 70°C, f = 50Hz

tvj = t

i

FM

CS = 3µF, RS = 4Ω DS = D291S45T

vj max

, tp = 10ms

vj max

, tp = 10ms

vj max

= 3000A, vR = 0,67 V

RRM

S

V

RRM

3500, 4000

V

4500

V

RSM

3600, 4100

V

4600

I

FRMSM

I

FAVM

2700 A

1460 1720AA

I

FSM

32 kA

I2t 5,12-106A2s

(-diF/dt)

com

500 A/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Gleichsperrspannung continuous direct reverse voltage

Durchlaßspannung forward voltage

Schleusenspannung threshold voltage

Ersatzwiderstand forward slope resistance

Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung peak value of forward recovery voltage

Sperrstrom reverse current

Rückstromspitze peak reverse recovery current

Sperrverzögerungsladung recovered charge

failure rate λ < 100 estimate value

tvj = t

, iF = 2500A

vj max

tvj = t

vj max

tvj = t

vj max

tvj = t

, diF/dt = 500A/µs

vj max

tvj = t

tvj = t iFM = 1000A, -diF/dt = 250A/µs vR = 1000V, CS = 3,3µF, RS = 5Ω

vj max, vR

vj max

= V

RRM

V

R(D)

v

F

V

(TO)

r

T

V

FRM

i

R

I

RM

Q

r

typ.

max

2000 V

2,5 V

1,43 V

0,38

typ. 45 V

200 mA

max 840 A

max 2800 µAs

mΩ

SZ-M / 16 June 1997, Beuermann Seite/page

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Technische Information / Technical Information

Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature

Betriebstemperatur operating temperature

Lagertemperatur storage temperature

D 1461 S 35 ... 45 T

Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode /cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single sided

R

t

vj max

t

c op

t

stg

thJC

thCK

S

max

0,0125

max

0,0228

max

0,0277

max max

-40...+140 °C

-40...+150 °C

0,003 0,006

140 °C

°C/W °C/W °C/W

°C/W °C/W

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix

Anpreßkraft clampig force

Gewicht weight

Kriechstrecke creepage distance

Luftstrecke air distance

Feuchteklasse humidity classification

Schwingfestigkeit vibration resistance

DIN 40040

f = 50Hz

Seite 3

F 27...45 kN

G

typ

850 g

30 mm

20 mm

C

50 m/s

2

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

SZ-M / 16 June 1997, Beuermann Seite/page

2

Technische Information / Technical Information

∅

100

max

∅

62,8

C

A

Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode

D 1461 S 35 ... 45 T

Outline Drawing

S

+-0.5

26

2 center holes

3.5 ×1.8

∅

SZ-M / 16 June 1997, Beuermann Seite/page

3

Technische Information / Technical Information

Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode

3500

3000

2500

D 1461 S 35 ... 45 T

On-State Characteristics ( v F )

Upper limit of scatter range

 t

= 140 ° C

vj

S

typ. max.

2000

/ [ A ]

F

I

1500

1000

500

0

0,00 0,50 1,00 1,50 2,00 2,50 3,00

VF / [V]

SZ-M / 16 June 1997, Beuermann Seite/page

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