Infineon D1408S20 Data Sheet

Technische Information / Technical Information
D 1408 S 20...25
Charakteristische Werte / Characteristic values
m
V
1)
µs
1)
A
1)
µAs
1)
µs
1)
2)
SZ-M / 29.04.93 , R.Jörke
Seite/page 1
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Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode
S
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak forward reverse voltage 2500 V Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage 2600 V Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I
RMS forward current Dauergrenzstrom
mean forward current Stoßstrom-Grenzwert
surge foward current Grenzlastintegral
I²t-value
Durchlaßspannung forward voltage
Schleusenspannung threshold voltage
Ersatzwiderstand forward slope resistance
Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung IEC 747-2 V typical value of forward recovery voltage
Durchlaßverzögerungszeit IEC 747-2, Methode / method II t forward recovery time
Sperrstrom reverse current
Rückstromspitze peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung recovered charge
Sperrverzögerungszeit reverse recovered time
Sanftheit Softness
Tvj = - 25°C...T
Tvj = + 25°C...T
TC =85°C TC =52°C
Tvj = 25°C, tp = 10 ms Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 10ms Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T diF/dt= A/µs, vR=0V
Tvj = T diF/dt= A/µs, vR=0V
Tvj = 25°C, vR=V Tvj = T
DIN IEC 747-2, Tvj=T iFM =1000A,-diF/dt=250A/µs vR<=0,5 V
DIN IEC 747-2, Tvj=T iFM =1000A,-diF/dt=250A/µs vR<=0,5 V
DIN IEC 747-2, Tvj=T iFM =1000A,-diF/dt=250A/µs vR<=0,5 V
Tvj = T iFM =1000A,-diF/dt=250A/µs vR<=0,5 V
, tp = 10 ms
vj max
, tp = 10ms
vj max
, iF = 6400 A
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max, iFM
, vR = V
vj max
RRM
RRM
RRM
vj max
RRM
vj max
vj max
= A
RRM
RRM
vj max
, vRM=0,8 V
vj max
, vRM=0,8 V
vj max
, vRM=0,8 V
, vRM=0,8 V
RRM
RRM
RRM
RRM
V
RRM
V
RSM
FRMSM
I
FAVM
2000 V
2100 V
3360 A
1410 A 2140 A
I
FSM
27500 A 24000 A
I²t 3780000 A²s
2880000 A²s
v
F
V
(TO)
r
T
FRM
fr
i
R
max. 2,62 V
1,16 V
0,21
typ.
typ.
max. 25 mA max. 250 mA
I
RM
Q
r
t
rr
580
1700
5
SR
µs/A
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Fast Diode
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R thermal resitance, junction to case
Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0035 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T max. junction temperature
Betriebstemperatur T operating temperature
Lagertemperatur T storage temperature
D 1408 S 20...25
thJC
beidseitig / two-sided, Θ =180°sin beidseitig / two-sided, DC max. 0,0140 °C/W
Anode / anode, Θ =180°sin Anode / anode, DC max. 0,0240 °C/W
Kathode / cathode, Θ =180°sin Kathode / cathode, DC max. 0,0340 °C/W
thCK
einseitig / single-sided max. 0,007 °C/W
vj max
c op
stg
S
max. 0,0150 °C/W
max. 0,0250 °C/W
max. 0,0350 °C/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3 case, see appendix page 3 Si-Element mit Druckkontakt Durchmesser/diameter 51mm Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft F 18...50 kN clamping force
Gewicht G typ. 300 g weight
Kriechstrecke 26 mm creepage distance
Feuchteklasse DIN 40040 C humidity classification
Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s² vibration resistance
Kühlkörper / heatsinks: K0,05F ; K0,08F ; 2K0,024W
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M / 29.04.93 , R.Jörke
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Technische Information / Technical Information
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Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode
D 1408 S 20...25
S
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
τ
τ
τ
n
=
= ∑
τ
n=1
Fast Diode
Kühlung cooling
beidseitig two-sided
anodenseitig anode-sided
kathodenseitig cathode-sided
D 1408 S 20...25
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z Analytical ementes of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
thJC
S
für DC
Pos.n 1 2 3 4 5 6 7 R
R
R
thn
n [s]
thn
n [s]
thn
n [s]
[°C/W]
[°C/W]
[°C/W]
0,000062 0,00141 0,00175 0,004018 0,00676 0,000203 0,00219 0,0228 0,121 0,523
0,000062 0,00141 0,0018 0,006108 0,01462 0,000203 0,00219 0,0231 0,15 3,29
0,000062 0,00141 0,00185 0,005308 0,02537 0,000203 0,00219 0,023 0,167 2,34
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
max
R
( 1 - EXP ( - t /
thn
))
n
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i
=f(vF)
Tvj = T
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Fast Diode
10.000
[A]
F
i
9.000
8.000
7.000
6.000
5.000
D 1408 S 20...25
S
4.000
3.000
2.000
1.000
0
0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5
vF [V]
vj max
F
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