Infineon D1408S20 Data Sheet
Technische Information / Technical Information
D 1408 S 20...25
Charakteristische Werte / Characteristic values
m
Ω
V
1)
µs
1)
A
1)
µAs
1)
µs
1)
2)
SZ-M / 29.04.93 , R.Jörke
Seite/page 1
A 12 / 93
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
S
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak forward reverse voltage 2500 V
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage 2600 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge foward current
Grenzlastintegral
I²t-value
Durchlaßspannung
forward voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung IEC 747-2 V
typical value of forward recovery voltage
Durchlaßverzögerungszeit IEC 747-2, Methode / method II t
forward recovery time
Sperrstrom
reverse current
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Sperrverzögerungszeit
reverse recovered time
Sanftheit
Softness
Tvj = - 25°C...T
Tvj = + 25°C...T
TC =85°C
TC =52°C
Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
diF/dt= A/µs, vR=0V
Tvj = T
diF/dt= A/µs, vR=0V
Tvj = 25°C, vR=V
Tvj = T
DIN IEC 747-2, Tvj=T
iFM =1000A,-diF/dt=250A/µs
vR<=0,5 V
DIN IEC 747-2, Tvj=T
iFM =1000A,-diF/dt=250A/µs
vR<=0,5 V
DIN IEC 747-2, Tvj=T
iFM =1000A,-diF/dt=250A/µs
vR<=0,5 V
Tvj = T
iFM =1000A,-diF/dt=250A/µs
vR<=0,5 V
, tp = 10 ms
vj max
, tp = 10ms
vj max
, iF = 6400 A
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max, iFM
, vR = V
vj max
RRM
RRM
RRM
vj max
RRM
vj max
vj max
= A
RRM
RRM
vj max
, vRM=0,8 V
vj max
, vRM=0,8 V
vj max
, vRM=0,8 V
, vRM=0,8 V
RRM
RRM
RRM
RRM
V
RRM
V
RSM
FRMSM
I
FAVM
2000 V
2100 V
3360 A
1410 A
2140 A
I
FSM
27500 A
24000 A
I²t 3780000 A²s
2880000 A²s
v
F
V
(TO)
r
T
FRM
fr
i
R
max. 2,62 V
1,16 V
0,21
typ.
typ.
max. 25 mA
max. 250 mA
I
RM
Q
r
t
rr
580
1700
5
SR
µs/A
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Fast Diode
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, junction to case
Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0035 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T
max. junction temperature
Betriebstemperatur T
operating temperature
Lagertemperatur T
storage temperature
D 1408 S 20...25
thJC
beidseitig / two-sided, Θ =180°sin
beidseitig / two-sided, DC max. 0,0140 °C/W
Anode / anode, Θ =180°sin
Anode / anode, DC max. 0,0240 °C/W
Kathode / cathode, Θ =180°sin
Kathode / cathode, DC max. 0,0340 °C/W
thCK
einseitig / single-sided max. 0,007 °C/W
vj max
c op
stg
S
max. 0,0150 °C/W
max. 0,0250 °C/W
max. 0,0350 °C/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Element mit Druckkontakt Durchmesser/diameter 51mm
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft F 18...50 kN
clamping force
Gewicht G typ. 300 g
weight
Kriechstrecke 26 mm
creepage distance
Feuchteklasse DIN 40040 C
humidity classification
Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s²
vibration resistance
Kühlkörper / heatsinks: K0,05F ; K0,08F ; 2K0,024W
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M / 29.04.93 , R.Jörke
A 12 / 93
Seite/page 2
Loading...