Infineon D138S08 Data Sheet
Technische Information / Technical Information
D 138 S 08...10
Charakteristische Werte / Characteristic values
m
Ω
V
1)
µs
1)
A
1)
µAs
1)
µs
1)
2)
SZ-M / 30. April 1993 , R.Jöeke
A 13/ 93
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
S
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak forward reverse voltage 900 V
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage 1000 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge foward current
Grenzlastintegral
I²t-value
Durchlaßspannung
forward voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung IEC 747-2 V
peak value of forward recovery voltage
Durchlaßverzögerungszeit IEC 747-2, Methode / method II t
forward recovery time
Sperrstrom
reverse current
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Sperrverzögerungszeit
reverse recovered time
Sanftheit
Softness
Tvj = - 25°C...T
Tvj = + 25°C...T
TC =85°C
TC =82°C
Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
diF/dt=100A/µs, vR=0V
Tvj = T
diF/dt=100A/µs, vR=0V
Tvj = 25°C, vR=V
Tvj = T
DIN IEC 747-2, Tvj=T
iFM =225A,-diF/dt=100A/µs
vR=0,5 V
DIN IEC 747-2, Tvj=T
iFM =225 A,-diF/dt=100A/µs
vR=0,5 V
DIN IEC 747-2, Tvj=T
iFM =225A,-diF/dt=100A/µs
vR=0,5 V
Tvj = T
iFM =225A,-diF/dt=100A/µs
vR=0,5 V
, tp = 10 ms
vj max
, tp = 10ms
vj max
, iF = 450 A
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max, iFM
, vR = V
vj max
RRM
RRM
RRM
vj max
RRM
vj max
vj max
=diF/dt*tfr
RRM
RRM
, vRM=0,8 V
, vRM=0,8 V
, vRM=0,8 V
, vRM=0,8 V
vj max
RRM
vj max
RRM
vj max
RRM
RRM
V
RRM
800 V
1000 V
V
RSM
900 V
1100 V
FRMSM
I
FAVM
230 A
138 A
146 A
I
FSM
1950 A
1600 A
I²t 19000 A²s
12800 A²s
v
F
V
(TO)
r
T
FRM
fr
i
R
max. 2,4 V
1,32 V
2,2
9,5
max. 1,1
max. 5 mA
max. 40 mA
I
RM
Q
r
t
rr
47
32
1,1
SR 0,003
µs/A
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Kühlkörper / heatsinks: K0,12F ; K0,17F ; K0,22F ; K0,36S ; K0,65S
Fast Diode
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, junction to case
Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,015 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T
max. junction temperature
Betriebstemperatur T
operating temperature
Lagertemperatur T
storage temperature
D 138 S 08...10
thJC
beidseitig / two-sided, Θ =180°sin
beidseitig / two-sided, DC max. 0,133 °C/W
Anode / anode, Θ =180°sin
Anode / anode, DC max. 0,216 °C/W
Kathode / cathode, Θ =180°sin
Kathode / cathode, DC max. 0,336 °C/W
thCK
einseitig / single-sided max. 0,030 °C/W
vj max
c op
stg
S
max. 0,141 °C/W
max. 0,224 °C/W
max. 0,344 °C/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Element mit Druckkontakt Durchmesser/diameter 15mm
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft F 1,7...3,4 kN
clamping force
Gewicht G typ. 65 g
weight
Kriechstrecke 17 mm
creepage distance
Feuchteklasse DIN 40040 C
humidity classification
Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s²
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M / 30. April 1993 , R. Jörke Seite/page 2
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