Infineon D1381S45T Data Sheet

Technische Information / Technical Information
(
)
Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode
D 1381 S 45 T
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung non-repetetive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current
Dauergrenzstrom mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert surge forward current
Grenzlastintegral I2t-value
Period. Abklingsteilheit des Durchlaßstroms beim Ausschalten repetitive decay rate of on-state current at turn-of
tvj = -40°C ... t
tvj = +25°C ... t
tC = 85°C, f = 50Hz tC = 70°C, f = 50Hz
tvj = t
i
FM
CS = 3µF, RS = 4 DS = D291S45T
vj max
vj max
, tp = 10ms
vj max
= 3000A, vR = 0,67 V
RRM
V
RRM
V
RSM
I
FRMSM
I
FAVM
4500 V
4600 V
2560 A
1380 1630AA
I
FSM
32 kA
I2t 5,12-106A2s
(-diF/dt)
com
500 A/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung continuous direct reverse voltage
Durchlaßspannung forward voltage
Schleusenspannung threshold voltage
Ersatzwiderstand forward slope resistance
Durchlaßrechenkennlinie On-state characteristics for calculation
V A B i C i D i
= + + + + ln 1
F F F F
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung peak value of forward recovery voltage
Sperrstrom reverse current
Rückstromspitze peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung recovered charge
failure rate λ < 100 estimate value
tvj = t
, iF = 2500A
vj max
tvj = t
vj max
tvj = t
vj max
tvj = t
vj max
tvj = t
, diF/dt = 500A/µs
vj max
tvj = t
tvj = t iFM = 1000A, -diF/dt = 250A/µs vR = 1000V, CS = 3µF, RS = 4 DS = D291S45T
tvj = t iFM = 1000A, -diF/dt = 250A/µs vR = 1000V, CS = 3µF, RS = 4 DS = D291S45T
vj max, vR
vj max
vj max
= V
RRM
V
R(D)
v
F
V
(TO)
r
T
typ.
max
3000 V
2,6 V
1,4 V
0,48
m
max. A B C D
V
FRM
i
R
I
RM
Q
r
max
max
-1,712
0,000708
0,688
-0,0566 typ. 57 V
100 mA
700 A
2800 µAs
SZ-M / 16 June 1997, M. Beuermann Seite/page S1
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature
Betriebstemperatur operating temperature
Lagertemperatur storage temperature
D 1381 S 45 T
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode /cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single sided
R
R
t
vj max
t
c op
t
stg
thJC
thCK
max
0,0125
max
0,0228
max
0,0277
max max
-40...+140 °C
-40...+150 °C
0,003 0,006
140 °C
°C/W °C/W °C/W
°C/W °C/W
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix
Anpreßkraft clampig force
Gewicht weight
Kriechstrecke creepage distance
Luftstrecke air distance
Feuchteklasse humidity classification
Schwingfestigkeit vibration resistance
DIN 40040
f = 50Hz
Seite 3
F 27...45 kN
G
typ
850 g
30 mm
20 mm
C
50 m/s
2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M / 16 June 1997, M. Beuermann Seite/page S2
Technische Information / Technical Information
100
max
62,8
C
A
Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode
D 1381 S 45 T
Outline Drawing
+-0.5
26
2 center holes
3.5 ×1.8
SZ-M / 16 June 1997, M. Beuermann Seite/page S3
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