Infineon D1381S45T Data Sheet
Technische Information / Technical Information
(
)
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 1381 S 45 T
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
non-repetetive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I2t-value
Period. Abklingsteilheit des Durchlaßstroms beim Ausschalten
repetitive decay rate of on-state current at turn-of
tvj = -40°C ... t
tvj = +25°C ... t
tC = 85°C, f = 50Hz
tC = 70°C, f = 50Hz
tvj = t
i
FM
CS = 3µF, RS = 4Ω
DS = D291S45T
vj max
vj max
, tp = 10ms
vj max
= 3000A, vR = 0,67 V
RRM
V
RRM
V
RSM
I
FRMSM
I
FAVM
4500 V
4600 V
2560 A
1380
1630AA
I
FSM
32 kA
I2t 5,12-106A2s
(-diF/dt)
com
500 A/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung
continuous direct reverse voltage
Durchlaßspannung
forward voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Durchlaßrechenkennlinie
On-state characteristics for calculation
V A B i C i D i
= + ⋅ + ⋅ + + ⋅ln 1
F F F F
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
Sperrstrom
reverse current
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
failure rate λ < 100
estimate value
tvj = t
, iF = 2500A
vj max
tvj = t
vj max
tvj = t
vj max
tvj = t
vj max
tvj = t
, diF/dt = 500A/µs
vj max
tvj = t
tvj = t
iFM = 1000A, -diF/dt = 250A/µs
vR = 1000V, CS = 3µF, RS = 4Ω
DS = D291S45T
tvj = t
iFM = 1000A, -diF/dt = 250A/µs
vR = 1000V, CS = 3µF, RS = 4Ω
DS = D291S45T
vj max, vR
vj max
vj max
= V
RRM
V
R(D)
v
F
V
(TO)
r
T
typ.
max
3000 V
2,6 V
1,4 V
0,48
mΩ
max.
A
B
C
D
V
FRM
i
R
I
RM
Q
r
max
max
-1,712
0,000708
0,688
-0,0566
typ. 57 V
100 mA
700 A
2800 µAs
SZ-M / 16 June 1997, M. Beuermann Seite/page S1
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
D 1381 S 45 T
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode /cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single sided
R
R
t
vj max
t
c op
t
stg
thJC
thCK
max
0,0125
max
0,0228
max
0,0277
max
max
-40...+140 °C
-40...+150 °C
0,003
0,006
140 °C
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Anpreßkraft
clampig force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
air distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
DIN 40040
f = 50Hz
Seite 3
F 27...45 kN
G
typ
850 g
30 mm
20 mm
C
50 m/s
2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M / 16 June 1997, M. Beuermann Seite/page S2
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