Infineon D1331SH Data Sheet
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
Technische Information /
technical information
D1331SH
Revision: 10.1
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Date of Publication: 2014-06-01
Key Parameters
V
RRM
4500 V
I
FAVM
1310 A (TC=85 °C)
I
FSM
28000 A
VT0
2,13 V
rT
0,948 mΩ
R
thJC
7,5 K/kW
Clamping Force
36 … 52 kN
Max. Diameter
121 mm
Contact Diameter
86 mm
Height
26 mm
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Full blocking capability 50/60Hz over a wide
temperature range
Hohe DC Sperrstabilität
High DC blocking stability
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
High surge current capability
Hoher Gehäusebruchstrom
High case non-rupture current
Sanftes Ausschaltverhalten bei hohen
Stromsteilheiten
Soft turn-off behavior at high turn-off di/dt
Typische Anwendungen
Typical Applications
Mittelspannungsumrichter
Medium voltage converters
Freilaufdiode für IGCT - Applikationen
Freewheeling Diode for IGCT - applications
Freilaufdiode für IGBT - Applikationen
Freewheeling Diode for IGBT - applications
Pulsed Power - Applikationen
Pulsed power applications
content of customer DMX code
DMX code
DMX code
digit
digit quantity
serial number
1..7
7
SP material number
8..16
9
datecode (production day)
17..18
2
datecode (production year)
19..20
2
datecode (production month)
21..22
2
vT class (optional)
23..26
4
QR class (optional)
27..30
4
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
1 2
enndaten
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
Technische Information /
technical information
D1331SH
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Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Tvj = 0°C... T
vj max
V
RRM
4500
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Tc = 85°C
I
FRMSM
2060
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85°C, f=50Hz
TC = 70°C, f=50Hz
TC = 55°C, f=50Hz
I
FAVM
1310
1520
1710
A
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T
vj max
, tP = 10 ms
I
FSM
28000
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T
vj max
, tP = 10 ms
I²t
3920
10³ A²s
Max. Ausschaltverluste
max. turn-off losses
T
vj
= T
vjmax
IFM = 2500A, V
CL
= 2800V
clamp circuit LS ≤ 0,25µH
R
CL
= 68, C
CL
= 3µF
D
CL
= 34DSH65
P
RQ
5
MW
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung
continuous direct reverse voltage
failure rate < 100
V
R(D)
estimate
value
2800
V
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = T
vj max
, iF = 2500A
vF typ.
max.
3,6
4,2
V
V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = T
vj max
V
(TO)
typ.
max.
1,59
1,83
V
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = T
vj max
r
T
typ.
max.
0,804
0,948
mΩ
mΩ
Durchlaßkennlinie 200A iF 3000A
on-state characteristic
Tvj = T
vj max
typ.
A
1,399
B
-0,000119
C
-0,2373
D
0,0872
max.
A
1,398
B
-0,000131
C
-0,24
D
0,1006
Spitzenwert der Durchlassverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
T
vj
= T
vjmax
, diF/dt = 5000A/µs
I
FM
= 4000A
V
FRM
typ.
280
V Sperrstrom
reverse current
Tvj = T
vj max
, vR = V
RRM
i
R
max.
150
mA Sperrverzögerungsladung
recovered charge
T
vj
= T
vjmax
IFM = 2500A, V
CL
= 2800V,
-di/dt = 1000A/µs
clamp circuit LS ≤ 0,25µH,
R
CL
= 68Ω, C
CL
= 3µF,
D
CL
= 34DSH65,
Q
r
max.
3500
mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
RM
max.
1500
A
Ausschaltverlust Energie
turn-off energy
W
RQ
max. 7
Ws
Abklingsanftheit
reverse recovery softness factor
T
vj
= T
vjmax
IFM = 2500A, VR = 2800 V,
-dirr/dt
(i=0)
= 1000A/s, Δtrf = 200ns
F
RRS
typ.
1,6
prepared by:
TM date of publication:
2014-06-01
approved by:
JP
revision:
10.1
F
FFF
iD1)i(LnCiBAv
Elektrische Eigenschaften
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
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Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
8,55
7,5
13,3
17,2
K/kW
K/kW
K/kW
K/kW
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thCH
max.
max.
2,5
5,0
K/kW
K/kW
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
140
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
0...+140
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+150
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
36...52
kN
Gewicht
weight
G typ. 1350
g
Kriechstrecke
creepage distance
33
mm Luftstrecke
air distance
17
mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50
m/s²
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
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Fast Hard Drive Diode
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Maßbild
1 2
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
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