Infineon D1251S45T Data Sheet
Marketing Information
75
77 max.
48
C
A
D 1251 S 45 T
+-0.5
14
European PowerSemiconductor and
Electronics Company
-0.1
2 center holes
3.5 ×1.8
∅
VWK January
Schnelle Gleichrichterdiode
D 1251 S 45 T
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
1)
1)
1)
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Fast Diode
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage tvj = -40°C...140°C V
RRM
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...140°C V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current I
Dauergrenzstrom / mean forward current tC = 85°C I
RSM
FRMSM
FAVM
tC = 70°C 1530 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral t
t
= 25°C I
vj
FSM
tvj = 140°C 18000 A
= 25°C I²t
vj
I²t-value tvj = 140°C 1,62x106A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung / contin. direct reverse voltage tC = -40°C...+85°C V
Durchlaßspannung / forward voltage tvj = 140°C iFM = 2500 A V
Schleusenspannung / threshold voltage tvj = 140°c V
Ersatzwiderstand / forward slope resistance tvj = 140°C r
Sperrstrom / reverse current tvj = 140°C, vR = 0,67 V
tvj = 140°C, vR = V
RRM
RRM
Rückstromspitze / peak reverse recovery current iFM = 1000 A, -diF/dt = 250 A/µs I
tvj = 140 °C; v
R(Spr)
= 1000 V;
C = 3 µF; R = 4 Ω
Sperrverzögerungsladung iFM = 1000 A, -diF/dt = 250 A/µs Q
recovered charge tvj = 140 °C; v
R(Spr)
= 1000 V;
C = 3 µF; R = 4 Ω
Period. Abklingsteilheit des Durchlaßstromes beim Ausschalten / iFM = 2000 A, CS = 3 µF; R = 4 Ω (-di/dt)
repetitive decay rate of on-state current at turn-off tvj = 140 °C; vR = 3000 V;
Snubberdiode D291S
R(D)
F
(TO)
T
i
R
RM
rr
com
4500 V
4600 V
2400 A
1310 A
typ. 2500V
max. 2,5 V
1,25 V
0,45 mΩ
80 mA
800 A
3000 µAs
500 A/µs
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thJC
thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided 0,014 K/W
Anoden / anode 0,0245 K/W
Kathode / cathode 0,0325K/W
Übergangs-Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thCK
thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sided 0,005 K/W
einseitig / single-sided 0,01 K/W
Höchstzul. Sperrschichttemperatur/ max. junction temperat. tvjmax 140 °C
Betriebstemperatur / operating temperature tc op -40...+140°C
Lagertemperatur / storage temperature t
stg
-40...+150°C
Gehäuse, siehe Anlage / case, see appendix Seite / page 1
Anpreßkraft /clamping force F 15...36 kN
Gewicht / weight G ca. 350 g
Luftstrecke / air distance ca. 10 mm
Kriechstrecke / creepage distance 16 mm
Feuchteklasse / humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit / vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.
1) Gehäusegrenzstrom ca 15 kA, 50 Hz Sinus-Halbwelle / current liit of cas ca 15 kA, 50 Hz sine half wave
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