Infineon D1131SH Data Sheet

Datenblatt / Data sheet

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Driv e Dio d e

Elekt ri sch e Eig ens chaften / Ele ctric al p rop ert ies

Höchstzulässige Wert e / Maximum rated val ues Periodische Rüc kwärts- S pitze nsperrspannu ng

Kenndaten

repetiti ve p eak rever se vol tag es

Durchlaßstrom-Grenzeffekti vwert

Elektrische Eigenschaften

ma xi mu m R M S o n- stat e cur re nt

Dauergrenzstr om aver ag e on-state current

Stoßstrom-Grenz wer t sur g e current

Grenzlasti nteg ral I²t- value

Max. Aussc halt verluste max. turn-o ff loss es

Charakteri stisch e Wer te / Ch aracteristic values Gleichsp errspan nung

contin uous direct re verse volt age

Durchlaßspa nnung on-stat e voltag e

Schl eusens pannung threshold vol tag e

Ersatzwi derstand sl ope r esist ance

Durchlaßkennlinie 1000A ≤ iF ≤ 2500A on-stat e c haract eristic

TTF

Spitzenwert d er D ur chlass ver zögerung ssp annu ng peak valu e o f for ward r ecovery volt age

Sperrstrom

reverse current

Sp er r verz ögerung sladung reco ver ed c har g e

Rüc kstro mspitz e

peak reverse r eco ver y c urr ent

Ausschaltverlust Energie turn-off energ y

Ab kli ngsanf theit reverse recovery softness factor

D 1131SH

Tvj = 0°C... T

vj max

TC = 85°C, f= 5 0Hz TC = 60°C, f= 5 0Hz

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = T

, tP = 10 ms

vj max

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = T

= T

, tP = 10 ms

vj max

vjmax

IFM = 25 00A, -di/dt = 1 000A/µs, V

= 2800V,

clamp circuit LS  0, 25µH, R

= 68Ω, D

= 34DSH 65,

failure rate λ < 10 0

Tvj = T

, iF = 2500A

vj max

Tvj = T

iDiLnCiBAv ⋅++⋅+⋅+= )1(

Tvj = T

vj max

= T

, diF/dt = 5 000A/µs

vjmax

= 4000A

, vR = V

vj max

RRM

= T

vjmax

IFM = 25 00A, -di/dt = 1 000A/µs, V

= 2800V,

clamp circuit LS  0, 25µH, R

= 68Ω, D

= T

vjmax

= 34DSH 65, E

IFM = 2500 A, VR = 2800 V, dirr/dt

= 1000A/µs, t = 200ns

(i=0)

6500 V

RRM

2210 A

FRMSM

1100

FAVM

FSM

I²t

5 MW

max

estimate

R(D)

value

typ.

(TO)

typ.

A 0,7 02 B 0,0 002 11 C -0,07 84 D 0,0 917

ma x.

A 0,7 B 0,0 002 79 C -0,044 D 0,0 913

typ. 360 V

FRM

max. 150 mA

Qr max. 3500 µAs

IRM max. 1300 A

ma x. 8 Ws

off

typ. 1,6

RRS

typ.

ma x.

1410 A A

22000

2400

3200 V

5,2 5,6 V V

1,9 8 2,1 9 V V

1,2 88 1,3 64

A A

10³ A²s 10³ A²s

m m

prepar ed b y:

C. Schneider dat e of publi catio n: 2005-04-1 5

approved b y: J. Przybilla

revision: 6

1/10 Seite/page

Datenblatt / Data sheet

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Driv e Dio d e

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand thermal resi sta nce , junction to c ase

Thermische Eigenschaften

Mechanische Eigenschaften

Übergang s-Wär mewi ders ta nd thermal resistance, case to heatsi nk

Höchstzulässige Sperrschichttempera tur maxi mu m junction te mp er at ure

Betr iebs temperatur operati ng temp erat ure

Lagerte mper atur storage t emperat ure

Mechan is che Eigen schaften / Mech anic al pro pe rt ies

Geh äuse , sie he Anlag e case, s ee anne x

Si-Element mit Druc kkont a kt Si-pellet with press ure co ntac t

Anpress kra ft cl ampi ng force

Gewic ht wei g ht

Kriechstrecke cr eepag e di sta nce

Luftstrec ke air distanc e

Feucht eklass e humidit y classification

Schwingfestigkeit vibra ti on r esistanc e

D 1131SH

Kühlfläc he / co oling surfac e beids eitig / two-side d,  = 1 80°sin

beids eitig / two-side d, DC Ano de / ano de, DC Kath ode / c at hod e, DC

Kühlfläc he / co oling surface beids eitig / two-side d

einseiti g / single-si de d

Seite 3

76DSX 65

F 36...52 kN

G typ. 1350 g

33 mm

17 mm

DIN 40040 C

f = 50 Hz 50 m/s²

thJ C

thC H

140 °C

vj max

0...+1 40 °C

c op

-40...+1 50 °C

stg

ma x. ma x.

0,0 0855

0,0 075 0,0 133 0,0 172

0,0 025 0,0 050

page 3

°C/W °C/W

2/10 Seite/page

Datenblatt / Data sheet

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Driv e Dio d e

Maßbild

D 1131SH

1: Anode/Anode

2: Kathode/Cathode

3/10 Seite/page

+ 7 hidden pages