SH
Datenblatt / Data sheet
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Driv e Dio d e
Elekt ri sch e Eig ens chaften / Ele ctric al p rop ert ies
Höchstzulässige Wert e / Maximum rated val ues
Periodische Rüc kwärts- S pitze nsperrspannu ng
Kenndaten
repetiti ve p eak rever se vol tag es
Durchlaßstrom-Grenzeffekti vwert
Elektrische Eigenschaften
ma xi mu m R M S o n- stat e cur re nt
Dauergrenzstr om
aver ag e on-state current
Stoßstrom-Grenz wer t
sur g e current
Grenzlasti nteg ral
I²t- value
Max. Aussc halt verluste
max. turn-o ff loss es
Charakteri stisch e Wer te / Ch aracteristic values
Gleichsp errspan nung
contin uous direct re verse volt age
Durchlaßspa nnung
on-stat e voltag e
Schl eusens pannung
threshold vol tag e
Ersatzwi derstand
sl ope r esist ance
Durchlaßkennlinie 1000A ≤ iF ≤ 2500A
on-stat e c haract eristic
TTF
Spitzenwert d er D ur chlass ver zögerung ssp annu ng
peak valu e o f for ward r ecovery volt age
Sperrstrom
reverse current
Sp er r verz ögerung sladung
reco ver ed c har g e
Rüc kstro mspitz e
peak reverse r eco ver y c urr ent
Ausschaltverlust Energie
turn-off energ y
Ab kli ngsanf theit
reverse recovery softness factor
D 1131SH
Tvj = 0°C... T
V
vj max
I
TC = 85°C, f= 5 0Hz
TC = 60°C, f= 5 0Hz
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T
, tP = 10 ms
vj max
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T
T
vj
= T
, tP = 10 ms
vj max
vjmax
IFM = 25 00A, -di/dt = 1 000A/µs,
V
= 2800V,
CL
clamp circuit LS 0, 25µH,
R
= 68Ω, D
CL
= 34DSH 65,
CL
failure rate λ < 10 0
Tvj = T
, iF = 2500A
vj max
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
iDiLnCiBAv ⋅++⋅+⋅+= )1(
T
T
vj
I
FM
Tvj = T
V
vj max
r
vj max
vj max
= T
, diF/dt = 5 000A/µs
vjmax
= 4000A
, vR = V
vj max
RRM
T
= T
vjmax
vj
IFM = 25 00A, -di/dt = 1 000A/µs,
V
= 2800V,
CL
clamp circuit LS 0, 25µH,
R
CL
T
vj
= 68Ω, D
= T
vjmax
= 34DSH 65, E
CL
IFM = 2500 A, VR = 2800 V,
dirr/dt
= 1000A/µs, t = 200ns
(i=0)
6500 V
RRM
2210 A
FRMSM
I
1100
FAVM
I
FSM
I²t
W
5 MW
max
V
estimate
R(D)
value
vF
typ.
(TO)
typ.
T
typ.
A 0,7 02
B 0,0 002 11
C -0,07 84
D 0,0 917
ma x.
A 0,7
B 0,0 002 79
C -0,044
D 0,0 913
V
typ. 360 V
FRM
i
max. 150 mA
R
Qr max. 3500 µAs
IRM max. 1300 A
ma x. 8 Ws
off
F
typ. 1,6
RRS
typ.
ma x.
ma x.
ma x.
1410 A A
22000
2400
3200 V
5,2
5,6 V V
1,9 8
2,1 9 V V
1,2 88
1,3 64
A
A
10³ A²s
10³ A²s
m
m
prepar ed b y:
C. Schneider dat e of publi catio n: 2005-04-1 5
approved b y: J. Przybilla
revision: 6
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SH
Datenblatt / Data sheet
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Driv e Dio d e
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resi sta nce , junction to c ase
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Übergang s-Wär mewi ders ta nd
thermal resistance, case to heatsi nk
Höchstzulässige Sperrschichttempera tur
maxi mu m junction te mp er at ure
Betr iebs temperatur
operati ng temp erat ure
Lagerte mper atur
storage t emperat ure
Mechan is che Eigen schaften / Mech anic al pro pe rt ies
Geh äuse , sie he Anlag e
case, s ee anne x
Si-Element mit Druc kkont a kt
Si-pellet with press ure co ntac t
Anpress kra ft
cl ampi ng force
Gewic ht
wei g ht
Kriechstrecke
cr eepag e di sta nce
Luftstrec ke
air distanc e
Feucht eklass e
humidit y classification
Schwingfestigkeit
vibra ti on r esistanc e
D 1131SH
Kühlfläc he / co oling surfac e
beids eitig / two-side d, = 1 80°sin
beids eitig / two-side d, DC
Ano de / ano de, DC
Kath ode / c at hod e, DC
Kühlfläc he / co oling surface
beids eitig / two-side d
einseiti g / single-si de d
T
T
T
Seite 3
76DSX 65
F 36...52 kN
G typ. 1350 g
33 mm
17 mm
DIN 40040 C
f = 50 Hz 50 m/s²
R
thJ C
R
thC H
140 °C
vj max
0...+1 40 °C
c op
-40...+1 50 °C
stg
ma x.
ma x.
ma x.
ma x.
ma x.
ma x.
0,0 0855
0,0 075
0,0 133
0,0 172
0,0 025
0,0 050
page 3
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
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SH
Datenblatt / Data sheet
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Driv e Dio d e
Maßbild
D 1131SH
1: Anode/Anode
12
2: Kathode/Cathode
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SH
/
Datenblatt / Data sheet
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Driv e Dio d e
R,t – Werte
R
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
R,T-Werte
beidseitig
Analytische Elemente des transienten Wärmew iderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
R
[°C/W] 0,0 029 5 0,0 02 0,0 015 4 0,0 009 8 0,0 000 3
thn
D 1131SH
thJC
thJC
two-sided
anodenseitg
τ
[s]
n
R
[°C/W] 0,0 080 4 0,0 008 1 0,0023 9 0,0016 0,0 004 6
thn
0,7 8 0,131 0,0 217 0,0 051 4 0,0 010 4
anode-sided
kathodenseitig
τ
[s]
n
R
[°C/W] 0,0 121 0,0004 0,0 024 4 0,0 015 5 0,0 007 1
thn
5,1 1 0,3 59 0,0 962 0,0 12 0,0 033 2
cathode-sided
τ
[s]
n
4,9 7 0,489 0,1 21 0,0 153 0,0 042 7
Analytische Funktion / Analytical function:
n
ma x
Σ
-t
τ
n
−=
thnthJC
e1RZ
n=1
0,02
k
0,015
a
0,01
d
0,005
0
0,00 1 0 ,0 1 0 ,1 1 1 0 10 0
t / [sec.]
Z (th) J C / [K
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
= f(t) for DC
th J C
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SH
Datenblatt / Data sheet
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Driv e Dio d e
3000
Diagramme
Diagramme
2500
2000
D 1131SH
Durchlasskennlinie
typ. max.
1500
iF [V]
1000
500
0
01234567
F [V ]
v
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
T
vj
= Tvj
max
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SH
Datenblatt / Data sheet
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Driv e Dio d e
40 00
35 00
30 00
25 00
D 1131SH
Tc beidseitig
IFM=2500A
IFM=1000A
20 00
[µA s]
r
Q
15 00
10 00
500
0
0 200 40 0 600 80 0 1000 12 00 1400
-di/d t [A/µ s ]
IFM=500A
IFM=100A
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj=T
vjmax
R
, V
= 2800V, clamp circuit LS 0,25µH,
CL
= 68C
CL
= 3µF, D
CL
= 34DSH65
CL
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SH
Datenblatt / Data sheet
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Driv e Dio d e
16 00
14 00
12 00
10 00
800
[A]
RM
I
600
400
200
0
0 200 40 0 600 80 0 1000 12 00 1400
D 1131SH
IFM=2500A
IFM=1000A
IFM=50 0A
IFM=100A
-di/d t [A/µ s ]
Rückstromspitze / peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
Tvj=T
vjmax
R
, V
= 2800V, clamp circuit LS 0,25µH,
CL
= 68C
CL
= 3µF, D
CL
= 34DSH65
CL
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SH
Datenblatt / Data sheet
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Driv e Dio d e
9
8
7
6
5
[Ws]
off
E
4
3
2
1
0
0 2 00 40 0 600 800 1000 1200 1400
D 1131SH
-d i/dt [A /µs ]
Ausschaltverlust Energie / turn-off energy E
Tvj=T
vjmax
R
, V
= 2800V, clamp circuit LS 0,25µH,
CL
= 68C
CL
= 3µF, D
CL
= 34DSH65
CL
IFM=2500A
IFM=1000A
IFM=500A
IFM=100A
= f(-di/dt)
off
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SH
Datenblatt / Data sheet
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Driv e Dio d e
45 0
40 0
35 0
30 0
25 0
[V]
FRM
V
20 0
15 0
10 0
50
0
0 1 000 200 0 3 000 4000 5 000 6000
Ta bei Sinus
Spitzen-Durchlassverzögerungsspannung / peak forward recovery vol tage V
D 1131SH
/dt [A/µs]
di
F
vjmax
, I
= 4000A
FM
Tvj=T
typ
= f(diF/dt)
FRM
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