Infineon D1121SH Data Sheet

SH
Schnelle besch altungslose Diode
Fast Hard Dr iv e D iod e
Elekt ri sch e Eig enschaf t en / Ele ctrical properti es
Höchstzul ässige Werte / M aximum rated val ues Periodi sch e Rüc kwärts-S pitze nsperrspan nu ng
Kenndaten
repetiti ve pea k r evers e voltag es
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Elektrische Eigenschaften
ma xi mum RMS o n-stat e curre nt
Dauerg renzstro m aver ag e on- state c ur r ent
Stoßstr om- Grenz wert sur g e current
Grenzl astinteg ral I²t- val ue
Max. Aussc halt verluste max. turn-off loss es
Chara kteri stisch e Wer te / Ch aracteristic values Gleic hsp err span nu ng
contin uous dir ect reverse volt ag e
Durchlaßspannung on-stat e vol tag e
Schl eusens pann ung thresh ol d voltage
Ersatz wi dersta nd sl ope resi stanc e
Durchlaßken nlinie 1000A iF 2500A on-stat e c haract eri stic
TTF
Spitze nwert d er Durchlass ver zög erung ssp an nung peak val u e o f for ward rec o very volt age
Sperrstrom
reverse c urrent
Sp errverz öger ungslad ung reco ver ed charge
Rüc kstromspitze
peak r e ver se r ecover y c urrent
Ausschaltverlust Energie turn-off energy
Ab klingsanf theit reverse recover y sof tness factor
Zieldaten
D1121SH
Tvj = 0°C... T
V
vj max
I
TC = 85°C, f= 50Hz TC = 60°C, f= 50Hz
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = T
, tP = 10 ms
vj max
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = T
T
vj
IFM = 2500A, V
= T
, tP = 10 ms
vj max
vjmax
= 2800V,
CL
clamp circuit LS ≤ 0, 25µH, R
= 68Ω, D
CL
= 34DSH 65,
CL
-di/dt = 1000A/µs,
failure rate λ < 10 0
Tvj = T
, iF = 2500A
vj max
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
iDiLnCiBAv ++++= )1(
T
T
vj
I
FM
Tvj = T
V
vj max
r
vj max
vj max
= T
, diF/dt = 5 000A/µs
vjmax
= 4000A
, vR = V
vj max
RRM
T
= T
vjmax
= 2800V,
CL
vj
IFM = 2500A, V clamp circuit LS ≤ 0, 25µH, R
= 68Ω, C
CL
D
= 34DSH 65, -di/dt = 10 00A/µs E
CL
T
= T
vj
vjmax
= 3µF,
CL
IFM = 2500A, VR = 2800 V, dirr/dt
= 1000A/µs, t = 200ns
(i=0)
RRM
FRMSM
I
1100
FAVM
I
FSM
I²t
W
max
V
R(D)
vF
(TO)
typ.
T
typ.
ma x.
V
FRM
i
max. 150 mA
R
Qr max. 3500 µAs
IRM max. 1200 A
ma x. 8 Ws
off
F
RRS
Possible Data
4500 V
2200 A
5 MW
estimate
value
typ.
ma x.
typ.
ma x.
ma x.
A 0,5 99 B 0,0 003 18 C -0,0203 D 0,0791 A 0,7 06 B 0,0 003 51 C -0,0438 D 0,08756
typ. 280 V
typ. 2,5
1400 A A
17500
1530
2800 V
5,1 9
5,6 V V
2,0 0 2,1 3 V V
1,2 8
1,4
A A
10³ A²s 10³ A²s
m m
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SH
Schnelle besch altungslose Diode
Fast Hard Dr iv e D iod e
Thermische Eigenschaften / Th ermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junc tion to c ase
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Überg angs-Wärmewi derstand thermal resistance, case to heatsi nk
Höchstzul ässige Sperrschichttemperatur maxi mum junction temp erat ure
Betr iebs temperatur operating te mperat ure
Lagerte mp eratur storag e temper atur e
Mechan is che Eigen sch af ten / M ech anical p ro perties
Geh äuse, si e he Anlag e case, s ee an nex
Si-Eleme nt mit Druc kk ont a kt Si-pel let wi th press ure co ntac t
Anpress kra ft cl ampi ng force
Gewic ht wei g ht
Kriechstrecke cr eepag e distance
Luftstrec ke air di stanc e
Feucht eklas s e humidity classification
Schwingfestigkeit vibration r esistanc e
Zieldaten
D1121SH
Kühlfläc he / cooling surfac e beids eitig / tw o-si de d, θ = 180°sin
beids eitig / tw o-si de d, D C Ano de / a node, DC Kath ode / c at hod e, D C
Kühlfläc he / cooling surface beids eitig / tw o-si de d
einseitig / si ng le-side d
T
T
T
Seite 3
76DSX45
F 36...52 kN
G typ. 1350 g
33 mm
17 mm
DIN 400 40 C
f = 50 Hz 50 m/s²
R
thJ C
R
thC H
vj max
0...+1 40 °C
c op
-40...+1 50 °C
stg
Possible Data
140 °C
ma x. ma x.
ma x. ma x.
ma x. ma x.
0,0 0855
0,0 075 0,0 133 0,0 172
0,0 025 0,0 050
page 3
°C/W °C/W
°C/W °C/W
°C/W °C/W
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