SH
Datenblatt / Data sheet
Schnelle besch altungslose Diode
Fast Hard Dr iv e D iod e
Elekt ri sch e Eig enschaf t en / Ele ctrical properti es
Höchstzul ässige Werte / M aximum rated val ues
Periodi sch e Rüc kwärts-S pitze nsperrspan nu ng
Kenndaten
repetiti ve pea k r evers e voltag es
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Elektrische Eigenschaften
ma xi mum RMS o n-stat e curre nt
Dauerg renzstro m
aver ag e on- state c ur r ent
Stoßstr om- Grenz wert
sur g e current
Grenzl astinteg ral
I²t- val ue
Max. Aussc halt verluste
max. turn-off loss es
Chara kteri stisch e Wer te / Ch aracteristic values
Gleic hsp err span nu ng
contin uous dir ect reverse volt ag e
Durchlaßspannung
on-stat e vol tag e
Schl eusens pann ung
thresh ol d voltage
Ersatz wi dersta nd
sl ope resi stanc e
Durchlaßken nlinie 1000A ≤ iF ≤ 2500A
on-stat e c haract eri stic
TTF
Spitze nwert d er Durchlass ver zög erung ssp an nung
peak val u e o f for ward rec o very volt age
Sperrstrom
reverse c urrent
Sp errverz öger ungslad ung
reco ver ed charge
Rüc kstromspitze
peak r e ver se r ecover y c urrent
Ausschaltverlust Energie
turn-off energy
Ab klingsanf theit
reverse recover y sof tness factor
Zieldaten
D1121SH
Tvj = 0°C... T
V
vj max
I
TC = 85°C, f= 50Hz
TC = 60°C, f= 50Hz
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T
, tP = 10 ms
vj max
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T
T
vj
IFM = 2500A, V
= T
, tP = 10 ms
vj max
vjmax
= 2800V,
CL
clamp circuit LS ≤ 0, 25µH,
R
= 68Ω, D
CL
= 34DSH 65,
CL
-di/dt = 1000A/µs,
failure rate λ < 10 0
Tvj = T
, iF = 2500A
vj max
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
iDiLnCiBAv ⋅++⋅+⋅+= )1(
T
T
vj
I
FM
Tvj = T
V
vj max
r
vj max
vj max
= T
, diF/dt = 5 000A/µs
vjmax
= 4000A
, vR = V
vj max
RRM
T
= T
vjmax
= 2800V,
CL
vj
IFM = 2500A, V
clamp circuit LS ≤ 0, 25µH,
R
= 68Ω, C
CL
D
= 34DSH 65, -di/dt = 10 00A/µs E
CL
T
= T
vj
vjmax
= 3µF,
CL
IFM = 2500A, VR = 2800 V,
dirr/dt
= 1000A/µs, ∆ t = 200ns
(i=0)
RRM
FRMSM
I
1100
FAVM
I
FSM
I²t
W
max
V
R(D)
vF
(TO)
typ.
T
typ.
ma x.
V
FRM
i
max. 150 mA
R
Qr max. 3500 µAs
IRM max. 1200 A
ma x. 8 Ws
off
F
RRS
Possible Data
4500 V
2200 A
5 MW
estimate
value
typ.
ma x.
typ.
ma x.
ma x.
A 0,5 99
B 0,0 003 18
C -0,0203
D 0,0791
A 0,7 06
B 0,0 003 51
C -0,0438
D 0,08756
typ. 280 V
typ. 2,5
1400 A A
17500
1530
2800 V
5,1 9
5,6 V V
2,0 0
2,1 3 V V
1,2 8
1,4
A
A
10³ A²s
10³ A²s
mΩ
mΩ
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Schnelle besch altungslose Diode
Fast Hard Dr iv e D iod e
Thermische Eigenschaften / Th ermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junc tion to c ase
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Überg angs-Wärmewi derstand
thermal resistance, case to heatsi nk
Höchstzul ässige Sperrschichttemperatur
maxi mum junction temp erat ure
Betr iebs temperatur
operating te mperat ure
Lagerte mp eratur
storag e temper atur e
Mechan is che Eigen sch af ten / M ech anical p ro perties
Geh äuse, si e he Anlag e
case, s ee an nex
Si-Eleme nt mit Druc kk ont a kt
Si-pel let wi th press ure co ntac t
Anpress kra ft
cl ampi ng force
Gewic ht
wei g ht
Kriechstrecke
cr eepag e distance
Luftstrec ke
air di stanc e
Feucht eklas s e
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration r esistanc e
Zieldaten
D1121SH
Kühlfläc he / cooling surfac e
beids eitig / tw o-si de d, θ = 180°sin
beids eitig / tw o-si de d, D C
Ano de / a node, DC
Kath ode / c at hod e, D C
Kühlfläc he / cooling surface
beids eitig / tw o-si de d
einseitig / si ng le-side d
T
T
T
Seite 3
76DSX45
F 36...52 kN
G typ. 1350 g
33 mm
17 mm
DIN 400 40 C
f = 50 Hz 50 m/s²
R
thJ C
R
thC H
vj max
0...+1 40 °C
c op
-40...+1 50 °C
stg
Possible Data
140 °C
ma x.
ma x.
ma x.
ma x.
ma x.
ma x.
0,0 0855
0,0 075
0,0 133
0,0 172
0,0 025
0,0 050
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°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
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Schnelle besch altungslose Diode
Fast Hard Dr iv e D iod e
Maßbild
D1121SH
Zieldaten
Possible Data
1: Anode/Anode
12
2: Kathode/Cathode
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Schnelle besch altungslose Diode
Fast Hard Dr iv e D iod e
R,t – Werte
R
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
R,T-Werte
beidseitig
Analytische Elemente des transienten Wärmew iderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
R
[°C/W] 0,0 029 5 0,0 02 0,0 015 4 0,0 009 8 0,0 0003
thn
D1121SH
thJC
Zieldaten
Possible Data
thJC
two-sided
anodenseitg
τ
[s]
n
R
[°C/W] 0,0 080 4 0,0 0081 0,0 023 9 0,0016 0,0 004 6
thn
0,7 8 0,1 31 0,0217 0,0 051 4 0,0 010 4
anode-sided
kathodenseitig
τ
[s]
n
R
[°C/W] 0,0 121 0,0 004 0,0 024 4 0,0 015 5 0,0 007 1
thn
5,1 1 0,3 59 0,0962 0,0 12 0,0 033 2
cathode-sided
τ
[s]
n
4,9 7 0,4 89 0,121 0,0153 0,0 042 7
Analytische Funktion / Analytical function:
n
ma x
Σ
-t
τ
n
−=
thnthJC
e1RZ
n=1
0,02
k
0,01 5
a
0,01
d
0,00 5
0
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t / [s e c.]
Z (th) J C / [K /W]
Transienter i nnerer W ärmewiderstand für DC/ Transient ther mal imp edance Z
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
= f(t) for DC
th J C
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Schnelle besch altungslose Diode
Fast Hard Dr iv e D iod e
3000
Diagramme
Diagramme
iF [V]
2500
2000
1500
1000
500
0
01234567
Grenzdurchlaßkennlinie / Limi ti ng on-state characteristic iF = f(vF)
D1121SH
Durchlasskennlinie
typ. max.
F [V ]
v
T
= Tvj
vj
max
Zieldaten
Possible Data
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