Infineon D1049N Data Sheet

European Power­Semiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG
Leistungsgleichrichterdioden Power Rectifier Diodes D 1049 N
ø36
3,5
26
16
ø36
+0,1
ø3,5 x 3,5 tief / depth
beidseitig / on both sides
Kathode Cath ode
6
Anode
7
.
x
a
57
25
4
VWK July 1996
D 1049 N
non-repetitive peak reverse voltage
thermal resistance,case to heatsink
Elektrische Eigenschaften Electrical properties
Höchstzulässige Werte Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage tvj = -40°C... t
Stoßspitzensperrspannung
tvj = +25°C... t
vj max
vj max
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current I Dauergrenzstrom mean forward current tc = 130 °C I
tc = 86 °C 1,65 kA
Stoßstrom-Grenzwert surge forward current tvj = 25°C, tp = 10 ms I
tvj = t
, tp = 10 ms 18,5 kA
vj max
Grenzlastintegral I2 t-value tvj = 25°C, tp = 10 ms I2 t 2880 kA2s
tvj = t
, tp = 10 ms 1710 kA2s
vj max
Charakteristische Werte Characteristic values
Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t Schleusenspannung threshold voltage tvj = t Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t Sperrstrom reverse current tvj = t
, iF = 5 kA V
vj max
vj max
vj max
, VR = V
vj max
RRM
V
RRM
V
RSM
FRMSM
FAVM
FSM
T
V
T(TO)
r
T
i
R
= V
RRM
800, 1200 V
1400, 1800 V
+ 100 V
2,59 kA 1,05 kA
24 kA
max. 1,76 V
0,81 V 0,17 m
max. 60 mA
Thermische Eigenschaften Thermal properties
Innerer Widerstand thermal resistance, junction beidseitig/two-sided, Θ =180° sin R
thJC
max. 0,038 °C/W
to case beidseitig/two sided, DC max. 0,035 °C/W
Anode/anode, Θ =180° sin max. 0,064 °C/W Anode/anode, DC max. 0,061 °C/W Kathode/cathode, Θ =180° sin max. 0,085 °C/W Kathode/cathode, DC max. 0,082 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
beidseitig /two-sided R
thCK
max. 0,005 °C/W
einseitig /single-sided max. 0,010 °C/W Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t Betriebstemperatur operating temperature t Lagertemperatur storage temperature t
vj max
c op
stg
180 °C
-40...+150 °C
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften Mechanical properties
Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact = 36 mm Anpreßkraft clamping force Gehäuseform/case design T F 10...24 kN Gewicht weight G typ. 280 g Kriechstrecke creepage distance 36 mm Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s Maßbild outline Seite/page
2
D 1049 N
7
6
i
[kA]
F
5
4
3
2
1
0
v
[V]
D1049N_1
F
Bild/Fig. 1 Grenzdurchlaßken nlinie Limiting forw a rd characteristic iF = f (vF)
tvj = 180 °C
vj
t
= 25 °C
i²dt
(normiert)
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 100,5 1,0 1,5 2,0 2,5
D1049N _4
Bild / Fig. 2 Normiertes Grenzla stint egral / Norma lize d i²t
i²dt = f(tp)
t
[ms]
p
I
F(0V)M
I
F(0V)M
30
[kA]
20
1c
10
0 0,1 0,2 0,3
D1049N_5
t[s]
Bild / Fig. 3 Grenz strom / Maxim um ov erloa d forward current I F(0V)M = f(t) 1 - I 2 - I a - vR
= 0 A; tvj = tC = 25 °C
FAV(vor)
= 10 5 0 A; tC = 13 0 °C; tvj = 18 0 °C
FAV(vor)
50 V b - vR = 0,5 VRRM c - vR = 0,8 VRRM
1a 1b
2a 2b
2c
F(0V)M
I
v
R
I
F(0V)M
30
v
R
[kA]
20
1a
2a
10
1b
1c 2b
2c
0
0 0,1 0,2 0,3
D1049N_6
t[s]
Bild / Fig. 4 Grenz strom / Maxim um ove rloa d forward current I F(0V)M = f(t) 1 - I 2 - I a - vR
= 0 A; tvj = tC = 25 °C
FAV(vor)
= 10 5 0 A; tC = 13 0 °C; tvj = 18 0 °C
FAV(vor)
50 V b - vR = 0,5 VRRM c - vR = 0,8 VRRM
D 1049 N
Θ
0,02
R
thJC
T
[°C/W]
0,01
Θ
T
0
30 60 90 120 150 180
Θ
D1049N_3
[°el]
Bild / Fig. 5 Diffe ren z zwischen den Wärmew ide rständen für Pulsstro m und DC Diffe ren ce be twe en the v a lue s o f therm a l resistance fo r pulse current and DC Para m e te r: Stromkurve nfo rm / Current waveform
5
4
Q [µAs]
Θ
T
3
r
2
3
10
9 8
7 6 5
0,1
1 10 100
-diF/dt
D1049N_7
[A/µs]
i
FM
[A]=
1600
800
400
200
100
50
Bild / Fig. 6 Sperrverzögerung sla dung / Recove re d charge Qr = f(-diF/dt) t Beschaltung / Snu bber: C = 1 µF; R = 3,9
vj = tvjmax
; vR
0,5 V
; VRM = 0,8 V
RRM
RRM
Para m e te r: Durchla ßstrom / Forwa rd current i FM
0,10
0,08
Z
(th)JC
[°C/W]
0,06
0,04
0,02
0
-3
10
D1049N_2
10
-2
10
-1
10
0
Bild / Fig. 7 Transienter inne re r Wärmewiderstand Transient thermal impedance Z
= f(t), DC
thJC
1 - Be idseitige Kühlung / Tw o-sided coo ling 2 - Ano de nse itige Kühlun g / Anode-sided cooling 3 - Ka t ho denseitige Kühlung / Ca thode-side d co o ling
t [s]
10
Ana lytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Ana lytical elements of transient therm al impedance Z thJC for DC
3
2
Kühlg.
Cooling
1
2
3
R
thn
[s]
n
τ
Rthn
n [s]
τ
Rthn
n [s]
τ
Pos.
n
1 2 3 4 5 6 7
°C/W
0,000008
0,000782
0,00342
0,00369
0,0131
0,00002
0,000583
0,00336
0,0458
0,173
°C/W
0,000008
0,000772
0,00339
0,0028
0,01713
0,00002
0,000581
0,00333
0,0381
0,182
°C/W
0,000008
0,00052
0,00305
0,00184
0,0169
0,00002
0,000479
0,00254
0,0163
0,146
0,014 0,999 0,0369 5,83 0,00538 6,65
0,0543 6,82
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling 2 - Ano de nse itige Kühlun g / Anode -sided cooling
1
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-side d cooling
Analytische Funktion / Analytical function
max
n
ZthJC = Rthn(1-EXP(-t/τn))
Σ
n=1
1
10
2
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