Infineon D1029N Data Sheet

European Power­Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG

Leistungsgleichrichterdioden
Power Rectifier Diodes
D1029N

26

3,5

16

+0,1

ø3,5 x 3,5 tief / depth
beidseitig / o n b oth sides

ø36

ø36

Kathode
Cathode

m

a

.

x

6

Anode

7

57

25

4

VWK July 1996

D 1029 N

Elektrische Eigenschaften Electrical properties

Höchstzulässige Werte Maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage t

Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage t

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current I

Dauergrenzstrom mean forward current t

Stoßstrom-Grenzwert surge forward current t

2

Grenzlastintegral I

t-value tvj = 25°C, tp = 10 ms I2t 1445 kA2s

Charakteristische Werte Characteristic values

Durchlaßspannung on-state voltage t

Schleusenspannung threshold voltage t

Ersatzwiderstand slope resistance t

Sperrstrom reverse current t

= -40°C... t

vj

= +25°C... t

vj

= 100 °C I

c

= 75 °C 1,3 kA

t

c

= 25°C, tp = 10 ms I

vj

t

vj = tvj max,tp = 10 ms

= t

t

vj

= t

vj

= t

vj

= t

vj

= t

vj

vj max

vj max

, tp = 10 ms 1051 kA2s

vj max

, iF = 4 kA V

vj max

vj max

vj max

, VR = V

vj max

RRM

V

RRM

V

RSM

FRMSM

FAVM

FSM

T

V

T(TO)

r

T

i

R

= V

RRM

1800, 2000, 2200 V

2400, 2600 V

+ 100 V

2,04 kA

1,03 kA

17 kA

14,5 kA

max. 2,05 V

0,82 V
0,28 mΩ

max. 40 mA

Thermische Eigenschaften Thermal properties

Innerer Widerstand thermal resistance, junction beidseitig/two-sided, Θ =180° sin R

thJC

max. 0,038 °C/W

to case beidseitig/two sided, DC max. 0,035 °C/W

Anode/anode, Θ =180° sin max. 0,064 °C/W

Anode/anode, DC max. 0,061 °C/W
Kathode/cathode, Θ =180° sin max. 0,085 °C/W

Kathode/cathode, DC max. 0,082 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance,case to heatsink beidseitig /two-sided R

thCK

max. 0,005 °C/W

einseitig /single-sided max. 0,010 °C/W

Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t

Betriebstemperatur operating temperature t

Lagertemperatur storage temperature t

vj max

c op

stg

160 °C

-40...+150 °C

-40...+150 °C

Mechanische Eigenschaften Mechanical properties

Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact ∅ = 36 mm

Anpreßkraft clamping force Gehäuseform/case design T F 10...24 kN

Gewicht weight G typ. 280 g

Kriechstrecke creepage distance 36 mm

Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C

Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s

Maßbild outline Seite/page 1

2

D 1029 N

6

5

i

[kA]

F

4

3

2

1

0

0,5 1,0 1,5 2,0 2,5

D1029N_1

Bild/Fig. 1
Grenzdurchlaßkennlinie
Limiting forward characteristic i

=f(vF)

F

tvj= 160 °C
t

vj

=25°C

1,0

0,9

⌠

i²dt

⌡

(normiert)

0,8

0,7

0,6

0,5

0,4

1 2 3 4 5 6 7 8

0

t

m

v

[V]

F

D1029N_4

s

[

]

p

10

9

Bild / Fig. 2
Normiertes Grenzlastintegral / Normalized i²t

∫

i²dt = f(tp)

I

F(0V)M

I

F(0V)M

20

[kA]

15

1a 1b

10

1c

2a

2b

2c

0 0,1 0,2 0,3

D1029N_5

t [s]

Bild / Fig. 3
Grenzstrom / Maximum overload forward current I

FAV( vor)

1-I
2-I
a-v
b-v
c-vR=0,8V

=0A; tvj=tC=25°C

FAV( vor)

= 1030 A; tC=100°C; tvj=160°C

R

≤

50 V

R

=0,5V

RRM
RRM

F(0V)M

v

R

I

F(0V)M

18

16

IF(0V)M

v

R

[kA]

14

12

10

1b

+

8

6

1a
2a

1c

2b

2c

0

D1029N_6

0,1 0,2 0,3

t [s]

Bild / Fig. 4

=f(t)

Grenzstrom / Maximum overload forward current I

FAV(vor)

1-I
2-I
a-v
b-v
c-vR=0,8V

=0A; tvj=tC=25°C

FAV (vor)

= 1030 A; tC=100°C; tvj=160°C

R

≤

50 V

R

=0,5V

RRM
RRM

F(0V)M

=f(t)

D1029N

0,02

∆

R

thJC

[°C/W]

4

9

10

8

Θ

T

Q
[µAs]

7

6

5

r

4

[A]=

FM

1600

800

400

200

i

Θ

T

0,01

Θ

0

30 60 90 120 150 180

D1029N_3

T

Θ

[°el]

Bild / Fig. 5
Differenz zwischen den Wärmewiderständen
für Pulsstrom und DC
Difference between the values of thermal resistance for
pulse current and DC
Parameter: Stromkurvenform / Current waveform

3

2

3

10

9
8

7

6

5

0,1

D1029N_7

1 10 100

Bild / Fig. 6
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q

vj =tvjm ax;vR

t

≤

0,5 V

RRM;VRM

=0,8V
Beschaltung / Snubber: C = 1 µF; R = 3,9
Parameter: Durchlaßstrom / Forward current i

-diF/dt

RRM

Ω

[A/µs]

r

FM

100

50

= f(-diF/dt)

0,10

0,08

Z

(th)JC

[°C/W]

0,06

0,04

0,02

0

-3 -2 -1 0 1 2

10 10 10 10 10 10

D1029N_2

Bild / Fig. 7
Tr ansi enter innerer W ärmewiders tand
Transient thermal impedance Z

thJC

=f(t),DC
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

t[s]

Analytische Elemen te des trans ienten W ärmewi ders tandes Z
Analytical elemen ts of trans ient thermal impedance Z

Kühlg.

3

Cooling

2

Pos.

Rthn

1

τn[s]

thn °C/W

R

2

τ

n [s]

R

thn °C/W

3

τn[s]

1234567

n

°C/W

0,00017

0,00338

0,00429

0,000272

0,00261

0,0417

0,000221

0,003179

0,00357

0,00033

0,0026

0,0297

0,000218

0,003052

0,00216

0,00032

0,00254

0,01790

1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

1

Analytische Funkti on / Analytical function:

max

n

thJC

Z

thn

=R

Σ

n=1

(1-EXP(-t/

τ

n

))

0,0131

0,173

0,01713

0,182

0,0169

0,146

thJC

0,01406

0,999

0,0369

5,83

0,00537

6,65

thJC

for DC

0,0543

6,82

für DC

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