Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 75 GD 60 DLC
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral der Diode
2
t - value, Diode
I
TC = 70° C I
T
= 25 °C I
C
t
= 1 ms, TC = 70°C I
P
=25°C, Transistor P
T
C
= 1 ms I
t
P
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
V
CES
C,nom.
C
CRM
tot
V
GES
I
F
FRM
2
I
600 V
75 A
95 A
150 A
330 W
+/- 20V V
75 A
150 A
t
1.200
A2s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
I
= 75A, VGE = 15V, Tvj = 25°C
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
C
IC = 75A, VGE = 15V, Tvj = 125°C
= 1,5 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C V
I
C
f = 1MHz,T
f = 1MHz,T
= 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V C
vj
= 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V C
vj
VCE = 600V, VGE = 0V, Tvj = 25°C
VCE = 600V, VGE = 0V, Tvj = 125°C
= 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C I
V
CE
V
V
CE sat
GE(th)
I
GES
ISOL
min. typ. max.
- 1,95 2,45 V
- 2,20 - V
4,5 5,5 6,5 V
ies
res
CES
- 3,3 - nF
- 0,3 - nF
- 1 500 µA
-1-mA
- - 400 nA
2,5 kV
prepared by: Andreas Vetter date of publication: 2006-01-31
approved by: Michael Hornkamp revision: 3
1 (8)
BSM 75 GD 60 DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 75 GD 60 DLC
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
I
= 75 A, VCC = 300V
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
Kurzschlußverhalten
SC Data
Modulinduktivität
stray inductance module
C
V
= ±15V, RG = 3,0 Ω, Tvj = 25°C t
GE
VGE = ±15V, RG = 3,0 Ω, Tvj = 125°C
I
= 75 A, VCC = 300V
C
V
= ±15V, RG = 3,0 Ω, Tvj = 25°C t
GE
VGE = ±15V, RG = 3,0 Ω, Tvj = 125°C
I
= 75 A, VCC = 300V
C
V
= ±15V, RG = 3,0 Ω, Tvj = 25°C t
GE
VGE = ±15V, RG = 3,0 Ω, Tvj = 125°C
I
= 75 A, VCC = 300V
C
V
= ±15V, RG = 3,0 Ω, Tvj = 25°C t
GE
VGE = ±15V, RG = 3,0 Ω, Tvj = 125°C
I
= 75 A, VCC = 300V, VGE = 15V
C
= 3,0 Ω, Tvj = 125°C, Lσ = 15 nH
R
G
I
= 75 A, VCC = 300V, VGE = 15V
C
= 3,0 Ω, Tvj = 125°C, Lσ = 15 nH
R
G
t
≤ 10µsec, VGE ≤ 15V
P
≤125°C, VCC=360V, V
T
Vj
CEmax
= V
CES -LσCE
·di/dt
min. typ. max.
d,on
r
d,off
f
E
on
E
off
I
SC
L
σCE
-63-ns
-65-ns
-22-ns
-25-ns
- 155 - ns
- 170 - ns
-20-ns
-35-ns
mJ
0,7-
-
- 2,4 - mJ
- 340 - A
- 55 - nH
Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
lead resistance, terminals - chip
= 25°C R
T
c
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
I
= 75 A, VGE = 0V, Tvj = 25°C
Durchlaßspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
F
I
= 75 A, VGE = 0V, Tvj = 125°C
F
I
= 75 A, - diF/dt = 3000 A/µsec
F
= 300V, VGE = -10V, Tvj = 25°C I
V
R
V
= 300V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
R
I
= 75 A, - diF/dt = 3000 A/µsec
F
= 300V, VGE = -10V, Tvj = 25°C Q
V
R
VR = 300V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
I
= 75 A, - diF/dt = 3000 A/µsec
F
= 300V, VGE = -10V, Tvj = 25°C E
V
R
VR = 300V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
CC'+EE'
- 4,4 -
min. typ. max.
V
F
RM
r
rec
- 1,25 1,6 V
- 1,20 - V
-95-A
- 115 - A
- 5,1 - µC
- 7,9 - µC
---mJ
- 2,3 - mJ
mΩ
2 (8)
BSM 75 GD 60 DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 75 GD 60 DLC
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Transistor / transistor, DC - - 0,37 K/W
Diode/Diode, DC - - 0,73 K/W
pro Modul / per module
λ
= 1 W/m*K / λ
Paste
grease
= 1 W/m*K
min. typ. max.
R
thJC
R
thCK
T
vj
T
op
T
stg
- 0,02 - K/W
- - 150 °C
-40 - 125 °C
-40 - 125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
Schraube M5
screw M5
Al2O
3
225
M1
G 180 g
-15 15 %
4Nm
-Nm
-Nm
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
3 (8)
BSM 75 GD 60 DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
150
125
100
[A]
C
I
75
50
25
BSM 75 GD 60 DLC
Ausgangskennlinie (typisch) IC = f (VCE)
Output characteristic (typical)
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VGE = 15V
[A]
C
I
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
VCE [V]
Ausgangskennlinienfeld (typisch) IC = f (VCE)
Output characteristic (typical)
150
125
100
75
50
VGE = 8V
VGE = 9V
VGE = 10V
VGE = 12V
VGE = 15V
VGE = 20V
Tvj = 125°C
25
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
4 (8)
BSM 75 GD 60 DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
150
125
100
[A]
C
I
75
50
25
BSM 75 GD 60 DLC
Übertragungscharakteristik (typisch) IC = f (VGE)
Transfer characteristic (typical)
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VCE = 20V
[A]
F
I
0
5 6 7 8 9 10 11 12 13
VGE [V]
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) IF = f (VF)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
150
Tvj = 25°C
125
100
75
50
Tvj = 125°C
25
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6
VF [V]
5 (8)
BSM 75 GD 60 DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
5,0
4,5
4,0
3,5
3,0
E [mJ]
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
BSM 75 GD 60 DLC
Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , E
R
= 3,0Ω,
Switching losses (typical)
Eon
Eoff
Erec
G,on
Ω,====R
Ω,Ω,
G,off
= f (IC) , E
off
= 3,0ΩΩΩΩ, VCC = 300V, Tvj = 125°C
= f (IC)
rec
0,0
0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150
IC [A]
Schaltverluste (typisch) Eon = f (RG) , E
Switching losses (typical)
4,0
3,5
3,0
2,5
2,0
E [mJ]
1,5
1,0
Eon
Eoff
Erec
IC = 75 A , VCC = 300V , Tvj = 125°C
= f (RG) , E
off
= f (RG)
rec
0,5
0,0
0 5 10 15 20
RG [ΩΩΩΩ]
6 (8)
BSM 75 GD 60 DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
thJC
Z
0,1
[K / W]
0,01
BSM 75 GD 60 DLC
Transienter Wärmewiderstand Z
thJC
= f (t)
Transient thermal impedance
1
Zth:IGBT
Zth:Diode
0,001 0,01 0,1 1 10
t [sec]
i
ri [K/kW]
τi [sec]
ri [K/kW]
τi [sec]
: IGBT 15,7 193,9 130,4 30,0
: IGBT 0,0020 0,0240 0,0651 0,6626
: Diode 257,3 246,7 155,0 71,1
: Diode 0,0980 0,0340 0,1069 0,9115
1234
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
175
150
125
100
IC,Modul
IC,Chip
[A]
C
I
75
50
VGE= +15V, R
= 3,0ΩΩΩΩ, Tvj= 125°C
G,off
25
0
0 100 200 300 400 500 600 700
VCE [V]
7 (8)
BSM 75 GD 60 DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
Gehäusemaße / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
BSM 75 GD 60 DLC
8 (8)
BSM 75 GD 60 DLC
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lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
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Please note, that for any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
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