
BSM 50 GD 170 DL vorläufige Daten
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
IC100APeriodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
100AGesamt-Verlustleistung
480WGate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
IF50APeriodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
gate-emitter leakage current
--100nAEinschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn-on delay time (inductive load)
Anstiegszeit (induktive Last)
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro Puls
Abschaltverlustenergie pro Puls
Charakteristische Werte / Characteristic values: Diode
peak reverse recovery current
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
thermal resistance, junction to case
Transistor / transistor, DC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzul. Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Tvj--150°CBetriebstemperatur
Top-40-125°CLagertemperatur
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
preliminary data
CES
C,nom.
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C I2t
rise time (inductive load)
turn off delay time (inductive load)
turn-on energy loss per pulse
turn-off energy loss per pulse
Kurzschlußverhalten
SC Data tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, RG = 30
Modulinduktivität stray inductance module
TC = 25°C, Transistor
C
tp = 1 ms
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
CRM
FRM
tot
GES
ISOL
1100
A2s
min. typ. max.
IC = 50A, VGE = 15V, Tvj = 25°C
IC = 50A, VGE = 15V, Tvj = 125°C
IC = 2,5mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C
VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 125°C
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C
IC = 50A, VCE = 900V
CE sat
- 3,2 - V
GE(th)
ies
CES
- 1,5 - mA
GES
d,on
VGE = ±15V, RG = 30Ω, Tvj = 25°C - 0,1 - µs
VGE = ±15V, RG = 30Ω, Tvj = 125°C - 0,1 - µs
IC = 50A, VCE = 900V
r
VGE = ±15V, RG = 30Ω, Tvj = 25°C - 0,1 - µs
VGE = ±15V, RG = 30Ω, Tvj = 125°C - 0,1 - µs
IC = 50A, VCE = 900V
d,off
VGE = ±15V, RG = 30Ω, Tvj = 25°C - 0,8 - µs
VGE = ±15V, RG = 30Ω, Tvj = 125°C - 0,9 - µs
IC = 50A, VCE = 900V
f
VGE = ±15V, RG = 30Ω, Tvj = 25°C - 0,03 - µs
VGE = ±15V, RG = 30Ω, Tvj = 125°C - 0,03 - µs
IC = 50A, VCE = 900V, VGE = 15V
on
RG = 30Ω, Tvj = 125°C, LS = 60nH - 26 - mWs
IC = 50A, VCE = 900V, VGE = 15V
off
RG = 30Ω, Tvj = 125°C, LS = 60nH - 14,5 - mWs
I
T
125°C, VCC=1000V - 200 - A
V
-L
x dI/dt
L
- 25 - nH
IF = 50A, VGE = 0V, Tvj = 25°C
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IF = 50A, VGE = 0V, Tvj = 125°C
IF = 50A, - diF/dt = 750A/µsec
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
IF = 50A, - diF/dt = 750A/µsec
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
IF = 50A, - diF/dt = 750A/µsec E
= 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
Diode / diode, DC
d
≤ 50µm / d
≤ 50µm - - 0,011 K/W
RM
r
thJC
thCK
stg
- 2 - V
- 36 - A
- 56 - A
- 6 - µAs
- 12 - µAs
- 2 - mWs
- 4 - mWs
- - 0,56 K/W
3
Kriechstrecke creepage distance 16 mm
Luftstrecke clearance 11 mm
CTI comperative tracking index 225
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque max. 5 Nm
Gewicht weight G 300 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

110
100
90
I
C
80
[A]
70
60
50
40
30
20
10
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
BSM 50 GD 170 DL / 1
V
Tj = 25°C
Tj = 125°C
[V]
CE
BSM 50 GD 170 DL
110
100
90
I
C
80
[A]
70
60
50
40
30
20
10
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
BSM 50 GD 170 DL / 2
VGE = 19V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
VCE [V]
Bild / Fig. 1
Ausgangskennlinie (typisch) /
Output characteristic (typical)
IC = f(VCE)
VGE = 15V
110
100
Tj = 25°C
Tj = 125°C
[A]
90
I
C
80
70
60
50
40
30
20
10
0
5 6 7 8 9 10 11 12 13
BSM 50 GD 170 DL / 3
VGE [V]
Bild / Fig. 3
Übertragungscharakteristic (typisch) /
Transfer characteristic (typical)
IC = f(VGE)
VCE = 20V
Bild / Fig. 2
Ausgangskennlinienfeld (typisch) /
Output characteristic (typical)
IC = f(VCE)
Tvj = 125°C
110
100
Tj = 25°C
Tj = 125°C
[A]
90
I
F
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5
BSM 50 GD 170 DL / 4
Bild / Fig. 4
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) /
Forward characteristic of inverse diode (typical)
IF = f(VF)
VF [V]
3,0
90
E
[mJ]
80
70
60
Eoff
Eon
Erec
50
40
30
20
10
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
BSM 50 GD 170 DL / 5
Bild / Fig. 5
Schaltverluste (typisch) /
Switching losses (typical)
Eon = f(IC), E
R
= R
gon
= f(IC), E
off
= 30Ω, VCE = 900V, Tj = 125°C
goff
rec
= f(IC)
IC [A]
60
50
E
[mJ]
Eoff
Eon
Erec
40
30
20
10
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150160
BSM 50 GD 170 DL / 6
RG [Ω]
Bild / Fig. 6
Schaltverluste (typisch) /
Switching losses (typical)
Eon = f(RG), E
IC = 50A, VCE = 900V, Tj = 125°C
= f(RG), E
off
= f(RG)
rec

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