Infineon BSM150GAL120DN2 Data Sheet

BSM 150 GAL 120 DN2
IGBT Power Module
• Single switch with chopper diode at collector
• Including fast free-wheeling diodes
• Package with insulated metal base plate
Type
V
I
C
Package Ordering Code
BSM 150 GAL 120 DN2 1200V 210A HALF BRIDGE GAL 2 C67076-A2013-A70
Maximum Ratings Parameter
Collector-emitter voltage V Collector-gate voltage
R
= 20 k
GE
Gate-emitter voltage V DC collector current
T
= 25 °C
C
T
= 80 °C
C
Pulsed collector current, tp = 1 ms
T
= 25 °C
C
T
= 80 °C
C
Power dissipation per IGBT
T
= 25 °C
C
Symbol Values Unit
1200 V
V
1200
GE
I
C
± 20
210 150
I
Cpuls
420 300
P
tot
1250
A
W
Chip temperature T Storage temperature T
Thermal resistance, chip case R Diode thermal resistance, chip case R Diode thermal resistance, chip-case,chopper R Insulation test voltage, t = 1min. V
j stg
thJC thJC
THJC
is
D
DC
+ 150 °C
-40 ... + 125
0.1 K/W 0.25
0.18
2500 Vac
Creepage distance - 20 mm Clearance - 11 DIN humidity category, DIN 40 040 - F sec IEC climatic category, DIN IEC 68-1 - 40 / 125 / 56
1 Nov-24-1997
BSM 150 GAL 120 DN2
Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified Parameter
Static Characteristics
Gate threshold voltage
V
GE
= V
CE, IC
= 6 mA
Collector-emitter saturation voltage
V
= 15 V, IC = 150 A, Tj = 25 °C
GE
V
= 15 V, IC = 150 A, Tj = 125 °C
GE
Zero gate voltage collector current
V
= 1200 V, VGE = 0 V, Tj = 25 °C
V
= 1200 V, VGE = 0 V, Tj = 125 °C
Gate-emitter leakage current
V
= 20 V, VCE = 0 V
GE
AC Characteristics
Symbol Values Unit
min. typ. max.
V
GE(th)
V
4.5 5.5 6.5
V
CE(sat)
I
CES
I
GES
-
-
-
-
2.5
3.1
2 8
3
3.7 mA
2.8
­nA
- - 400
Transconductance
V
= 20 V, IC = 150 A
Input capacitance
V
= 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz
Output capacitance
V
= 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz
Reverse transfer capacitance
V
= 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz
g
C
C
C
fs
iss
oss
rss
S
62 - -
nF
- 11 -
- 1.6 -
- 0.6 -
2 Nov-24-1997
BSM 150 GAL 120 DN2
Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified Parameter
Symbol Values Unit
min. typ. max.
Switching Characteristics, Inductive Load at Tj = 125 °C
Turn-on delay time
V
= 600 V, VGE = 15 V, IC = 150 A
CC
R
Gon
= 5.6
Rise time
V
= 600 V, VGE = 15 V, IC = 150 A
CC
R
Gon
= 5.6
Turn-off delay time
V
= 600 V, VGE = -15 V, IC = 150 A
CC
R
Goff
= 5.6
Fall time
V
= 600 V, VGE = -15 V, IC = 150 A
CC
R
= 5.6
Goff
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
- 200 400
- 100 200
- 600 800
- 70 100
ns
Free-Wheel Diode
Diode forward voltage
I
= 150 A, VGE = 0 V, Tj = 25 °C
F
I
= 150 A, VGE = 0 V, Tj = 125 °C
F
Reverse recovery time
I
= 150 A, VR = -600 V, VGE = 0 V
F
di
/dt = -1500 A/µs, Tj = 125 °C
F
Reverse recovery charge
I
= 150 A, VR = -600 V, VGE = 0 V
F
di
/dt = -1500 A/µs
F
T
= 25 °C
j
T
= 125 °C
j
V
t
Q
F
-
-
rr
2
1.8
2.5
-
V
µs
- 0.4 -
rr
-
-
5 18
-
-
µC
3 Nov-24-1997
BSM 150 GAL 120 DN2
Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified Parameter
Chopper Diode
Chopper diode forward voltage
I
= 200 A, VGE = 0 V, Tj = 25 °C
FC
I
= 200 A, VGE = 0 V, Tj = 125 °C
FC
Reverse recovery time, chopper
I
= 200 A, VR = -600 V, VGE = 0 V
FC
di
/dt = -2000 A/µs, Tj = 125 °C
F
Reverse recovery charge, chopper
I
= 200 A, VR = -600 V, VGE = 0 V
FC
di
/dt = -2000 A/µs
F
T
= 25 °C
j
T
= 125 °C
j
Symbol Values Unit
min. typ. max.
V
t
FC
rrC
-
-
2
1.8
2.5
-
V
µs
- 0.5 -
Q
rrC
-
-
12 36
-
-
µC
4 Nov-24-1997
IGBT-Module IGBT-Modules
%60*$/'1%60*$5'1
Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram
PIN 6 and 7 GAL type only
GAL type
GAR type
PIN 4 and 5 GAR type only
Update of Drawing Sep-21-98
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
Anhang C-Serie Appendix C-series
BSM150GAL120DN2
Gehäuse spezifische Werte Housing specific values
Modulinduktivität
stray inductance module
Gehäusemaße C-Serie Package outline C-series
typ.
L
sCE
20 nH
Appendix C-series
Appendix_C-Serie_BSM150GAL120DN2
2001-09-20
Nutzungsbedingungen
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Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.
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- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures.
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