Infineon 65DN06 Data Sheet

Technische Information / Technical Information

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Vorläufige Daten

Preliminary data

A²s*10

6

A²s*10

6

m

Ω

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

SZ-M / 28.09.98 K.-A.Rüther

Seite/page 1(11)

Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode

65 DN 02 ... 06

N

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung

Tvj = - 25°C...T

vj max

V

RRM

200, 400 V

repetitive peak reverse voltage 600 V
Stoßspitzensperrspannung

Tvj = + 25°C...T

vj max

V

RSM

250, 450 V

non-repetitive peak reverse voltage 650 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I

FRMSM

13300 A

RMS forward current
Dauergrenzstrom

TK = 98 °C

I

FAVM

8470 A

mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert

surge forward current
Grenzlastintegral

I²t-value

Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T

Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T

, tp = 10ms

vj max

, tp = 10ms

vj max

I

FSM

103 kA

95 kA

I²t 53

45

Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung

Tvj = T

vj max

, iF = 10kA

v

F

max. 0,98 V

forward voltage
Schleusenspannung

Tvj = T

vj max

V

(TO)

0,7 V

threshold voltage
Ersatzwiderstand

Tvj = T

vj max

r

T

0,027

forward slope resistance
Sperrstrom

Tvj = T

vj max

, vR = V

RRM

i

R

max. 100 mA

reverse current

Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resistance, junction to case

beidseitig / two-sided, Θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC max. 0,0040 °C/W

Anode / anode, Θ = 180°sin
Anode / anode, DC max. °C/W

Kathode / cathode, Θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC max. °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R

thJC

max. 0,0047 °C/W

max. °C/W

max. °C/W

thCK

thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0025 °C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T

vj max

180 °C

max. junction temperature
Betriebstemperatur T

c op

- 40...+180 °C

operating temperature
Lagertemperatur T

stg

- 40...+180 °C

storage temperature

A 115/98

Technische Information / Technical Information

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Vorläufige Daten

Preliminary data

typ.

SZ-M / 28.09.98 K.-A.Rüther

Seite/page 2(11)

Netz-Gleichrichterdiode

65 DN 02 ... 06

Rectifier Diode

Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3

Si-Elemente mit Druckkontakt
Si-pellets with pressure contact

Anpreßkraft F 55...80 kN
clamping force

Gewicht G
weight

Kriechstrecke mm
creepage distance

Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s²
vibration resistance

Hinweis :

Wir empfehlen die Diode mit einem temperaturbeständigen O-Ring zu schützen.

Notice:

We recommend to protect the diode with a temperture resistant O-Ring.

N

g

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.

A 115/98

Technische Information / Technical Information

SZ-M / 28.09.98 K.-A.Rüther

Z. Nr.: 1

Seite/page 3(11)

58

5

65

Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode

65 DN 02 ... 06

N

A 115/98

Technische Information / Technical Information

Netz Gleicgrichterdiode

∑

n=1

SZ-M, 28.09.1998, K.-A.Rüther

Seite/page 4(11)

Rectifier DiodeThyristor

Kühlung
cooling

beidseitig
two-sided

anodenseitig
anode-sided

kathodenseitig
cathode-sided

thJC

N

für DC

65 DN 02 ... 06

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical ementes of transient thermal impedance Z

thJC

for DC

Pos.n 1 2 3 4 5 6
R

τ

R

τ

R

τ

thn

thn

thn

[°C/W]

[s]

n

[°C/W]

[s]

n

[°C/W]

[s]

n

0,002386 0,000785 0,000769 0,000058
0,063997 0,017082 0,000942 0,000027

Analytische Funktion / analytical function : Z

thJC

=

n

max

R

( 1 - EXP ( - t / tn ))

thn

A 115/98