Technische Information / Technical Information
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Vorläufige Daten
Preliminary data
A²s*10
6
A²s*10
6
m
Ω
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
SZ-M / 28.09.98 K.-A.Rüther
Seite/page 1(11)
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65 DN 02 ... 06
N
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
Tvj = - 25°C...T
vj max
V
RRM
200, 400 V
repetitive peak reverse voltage 600 V
Stoßspitzensperrspannung
Tvj = + 25°C...T
vj max
V
RSM
250, 450 V
non-repetitive peak reverse voltage 650 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I
FRMSM
13300 A
RMS forward current
Dauergrenzstrom
TK = 98 °C
I
FAVM
8470 A
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T
, tp = 10ms
vj max
, tp = 10ms
vj max
I
FSM
103 kA
95 kA
I²t 53
45
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
Tvj = T
vj max
, iF = 10kA
v
F
max. 0,98 V
forward voltage
Schleusenspannung
Tvj = T
vj max
V
(TO)
0,7 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
Tvj = T
vj max
r
T
0,027
forward slope resistance
Sperrstrom
Tvj = T
vj max
, vR = V
RRM
i
R
max. 100 mA
reverse current
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided, Θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC max. 0,0040 °C/W
Anode / anode, Θ = 180°sin
Anode / anode, DC max. °C/W
Kathode / cathode, Θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC max. °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thJC
max. 0,0047 °C/W
max. °C/W
max. °C/W
thCK
thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0025 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T
vj max
180 °C
max. junction temperature
Betriebstemperatur T
c op
- 40...+180 °C
operating temperature
Lagertemperatur T
stg
- 40...+180 °C
storage temperature
A 115/98
Technische Information / Technical Information
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Vorläufige Daten
Preliminary data
typ.
SZ-M / 28.09.98 K.-A.Rüther
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Netz-Gleichrichterdiode
65 DN 02 ... 06
Rectifier Diode
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Elemente mit Druckkontakt
Si-pellets with pressure contact
Anpreßkraft F 55...80 kN
clamping force
Gewicht G
weight
Kriechstrecke mm
creepage distance
Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s²
vibration resistance
Hinweis :
Wir empfehlen die Diode mit einem temperaturbeständigen O-Ring zu schützen.
Notice:
We recommend to protect the diode with a temperture resistant O-Ring.
N
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
A 115/98
Technische Information / Technical Information
SZ-M / 28.09.98 K.-A.Rüther
Z. Nr.: 1
Seite/page 3(11)
58
5
65
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65 DN 02 ... 06
N
A 115/98
Technische Information / Technical Information
Netz Gleicgrichterdiode
∑
n=1
SZ-M, 28.09.1998, K.-A.Rüther
Seite/page 4(11)
Rectifier DiodeThyristor
Kühlung
cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
thJC
N
für DC
65 DN 02 ... 06
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical ementes of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos.n 1 2 3 4 5 6
R
τ
R
τ
R
τ
thn
thn
thn
[°C/W]
[s]
n
[°C/W]
[s]
n
[°C/W]
[s]
n
0,002386 0,000785 0,000769 0,000058
0,063997 0,017082 0,000942 0,000027
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
n
max
R
( 1 - EXP ( - t / tn ))
thn
A 115/98
Technische Information / Technical Information
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting Forward characteristics i
= f(v
)
SZ-M, 28.09.1998, K.-A.Rüther
Z. Nr.: 2
Seite/page 5(11)
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
35000
30000
25000
65 DN 02 ... 06
Vorläufige Daten / Preliminary data
N
20000
[A]
F
i
15000
10000
5000
0
0,5 1 1,5 2
vF [V]
—— Tvj = 180°C
------ Tvj = 25°C
A 115/98
F
F
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z
= f (t), DC
SZ-M, 28.09.1998, K.-A.Rüther
Z. Nr.: 3
Seite/page 6(11)
Rectifier Diode
0,005
0,004
0,003
65 DN 02 ... 06
N
DC
[°C/W]
(thJC)
R
0,002
0,001
0,000
0,001 0,01 0,1 1
t [s]
A 115/98
(th)JC
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Differenz zwischen den Wärmewiderständen für Pulsstrom und DC / Difference between the values
of thermal for pulse current and DC
Rectifier Diode
0,003
0,0025
0,002
65 DN 02...06
N
0,0015
[°C/W]
thJC
R
∆
0,001
0,0005
0
30 60 90 120 150 180
Θ [°el]
Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
SZ-M / 28.09.98, K.-A.Rüther
A 115/98
Z. Nr.: 4 Seite/page 7(11)
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
SZ-M / 28.09.98, K.-A.Rüther
Z. Nr.: 5
Seite/page 8(11)
Rectifier Diode
1,1
1,0
0,9
0,8
65 DN 02 ... 06
N
0,7
i² dt (normiert)
0,6
∫
0,5
0,4
0,3
0,2
0 2 4 6 8 10 12
tp [ms]
Normiertes Grenzlastintegral als Funktion der Halbschwingungsdauer tp
Normalized ∫ i²dt rating as a function of the duration of a half-cycle tp
A 115/98
Technische Information / Technical Information
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q
= f(-di/dt)
Tvj = T
; VR < 0,5 V
; VRM < 0,8 V
SZ-M / 28.09.98, K.-A.Rüther
A 115/98
Z. Nr.: 6
Seite/page 9(11)
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode 65 DN 02...06
10000
N
iFM [A]
6400
3200
1600
800
400
1000
[µAs]
r
Q
100
0,1 1 10 100 1000
- diF / dt [A/µs]
Parameter: Durchlaßstrom / Foward current i
vjmax
RRM
r
RRM
FM
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
65 DN 02...06
Überstrom / Overload on-state current I
= f(t)
TA = 25°C, V
= 4 l/s
Parameter: Vorlaststrom / pre-load current I
SZ-M / 24.11. 1998, K.-A.Rüther
Seite/page 10(11)
Rectifier Diode
100.000
[A]
I
FAV (vor)
0 A
3000 A
4000 A
4800 A
5400 A
5800 A
N
=
F (OV)
I
10.000
0,01 0,1 1 10 100 1000
t [s]
Beidseitige verstärkte Kühlung / forced two-sided cooling K53
F(OV)
L
FAV(vor)
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Grenzstrom / Max. overload on-state current I
= f(t), v
= 0,8 V
TA = 25 °C, V
= 4 l/s
current I
SZ-M / 24.11.1998, K.-A.Rüther
Seite/page 11(11)
Rectifier Diode
110.000
100.000
90.000
80.000
70.000
60.000
[A]
N
a
TA = 25 °C, VL = 4 l / s
F(OV)M
I
50.000
40.000
30.000
20.000
10.000
b
0
0,01 0,1 1 10
t [s]
Beidseitige verstärkte Kühlung / forced two-sided cooling K53
Belastung aus / Surge current occurs:
a - Leerlauf / No-load conditions
b - Betrieb mit Dauergrenzstrom / During operation at max. average on-state
L
TAVM
F(OV)M
RM
RRM
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