2SJ160
2SJ160, 2SJ161, 2SJ162
Silicon P-Channel MOS FET
Application
Low frequency power amplifier
Complementary pair with 2SK1056, 2SK1057 and 2SK1058
Features
•Good frequency characteristic
•High speed switching
•Wide area of safe operation
•Enhancement-mode
•Good complementary characteristics
•Equipped with gate protection diodes
•Suitable for audio power amplifier
2SJ160, 2SJ161, 2SJ162
Outline
TO-3P
D
G |
1 |
2
3
1. Gate
2. Source
(Flange)
S
3. Drain
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item |
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Symbol |
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Ratings |
Unit |
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Drain to source voltage |
2SJ160 |
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VDSX |
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–120 |
V |
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2SJ161 |
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–140 |
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2SJ162 |
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–160 |
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Gate to source voltage |
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VGSS |
±15 |
V |
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Drain current |
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ID |
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–7 |
A |
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Body to drain diode reverse drain current |
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IDR |
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–7 |
A |
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Channel dissipation |
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Pch*1 |
100 |
W |
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Channel temperature |
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Tch |
150 |
°C |
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Storage temperature |
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Tstg |
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–55 to +150 |
°C |
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Note: 1. Value at TC = 25°C |
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2
2SJ160, 2SJ161, 2SJ162
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item |
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Symbol |
Min |
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Typ |
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Max |
Unit |
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Test conditions |
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Drain to source |
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2SJ160 |
V(BR)DSX |
–120 |
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— |
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— |
V |
I |
|
D = –10 mA , VGS = 10 V |
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breakdown voltage |
2SJ161 |
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–140 |
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— |
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— |
V |
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2SJ162 |
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–160 |
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— |
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— |
V |
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Gate to source breakdown |
V(BR)GSS |
±15 |
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— |
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— |
V |
I |
G = ±100 A, VDS = 0 |
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voltage |
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Gate to source cutoff voltage |
VGS(off) |
–0.15 |
|
|
— |
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|
–1.45 |
V |
I D = –100 mA, VDS = –10 V |
|||||||||||||||||||
Drain to source saturation |
V |
|
|
— |
|
— |
|
–12 |
V |
I |
D |
= –7 A, V |
GD |
= 0*1 |
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voltage |
|
DS(sat) |
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Forward transfer admittance |
|y |
fs |
| |
0.7 |
|
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|
1.0 |
1.4 |
S |
|
I |
D |
= –3 A, V |
DS |
= –10 V*1 |
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Input capacitance |
|
Ciss |
— |
900 |
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|
— |
pF |
V |
GS = 5 V, VDS = –10V, |
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Output capacitance |
|
Coss |
— |
400 |
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|
— |
pF |
f = 1 MHz |
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|
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Reverse transfer capacitance |
Crss |
— |
40 |
|
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|
— |
pF |
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Turn-on time |
|
ton |
|
— |
230 |
|
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|
— |
ns |
V |
DD = –20 V, ID = –4 A |
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Turn-off time |
|
toff |
|
— |
110 |
|
|
|
— |
ns |
|
|
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Note: 1. Pulse test |
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|
3