GS74108ATP/J/X
SOJ, TSOP, FP-BGA
Commercial Temp
Industrial Temp
512K x 8
4Mb Asynchronous SRAM
7, 8, 10, 12 ns 3.3 V VDD Center VDD and VSS
Features
•Fast access time: 7, 8, 10, 12 ns
•CMOS low power operation: 135/120/95/85 mA at minimum cycle time
•Single 3.3 V power supply
•All inputs and outputs are TTL-compatible
•Fully static operation
•Industrial Temperature Option: –40° to 85°C
•Package line up
J: 400 mil, 36-pin SOJ package
TP: 400 mil, 44-pin TSOP Type II package X: 6 mm x 10 mm Fine Pitch Ball Grid Array package
Description
The GS74108A is a high speed CMOS Static RAM organized as 524,288 words by 8 bits. Static design eliminates the need for external clocks or timing strobes. The GS74108A operates on a single 3.3 V power supply and all inputs and outputs are TTL-compatible. The GS74108A is available in 400 mil SOJ, 400 mil TSOP Type-II, and 6 mm x 10 mm FP-BGA packages.
SOJ 512K x 8-Pin Configuration
A4 |
|
1 |
|
36 |
|
|
|
NC |
|||||
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|||||||||
A3 |
|
2 |
|
35 |
|
|
|
A5 |
|||||
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|||||||||
A2 |
|
3 |
|
34 |
|
|
|
A6 |
|||||
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|||||||||
A1 |
|
4 |
|
33 |
|
|
|
A7 |
|||||
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|||||||||
A0 |
|
5 |
|
32 |
|
|
|
A8 |
|||||
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
6 |
|
31 |
|
|
|
|
|
|
|
CE |
|
|
|
|
|
|
|
|
OE |
|||
DQ1 |
|
|
7 |
|
30 |
|
|
|
DQ8 |
||||
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|||||||||
DQ2 |
|
8 |
36-pin |
29 |
|
|
|
DQ7 |
|||||
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
||||||||||
VDD |
|
9 |
400 mil SOJ |
28 |
|
|
|
VSS |
|||||
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
||||||||||
VSS |
|
|
10 |
27 |
|
|
|
VDD |
|||||
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|||||||||
DQ3 |
|
11 |
|
26 |
|
|
|
DQ6 |
|||||
|
|
|
|
|
|||||||||
DQ4 |
|
|
12 |
|
25 |
|
|
|
DQ5 |
||||
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
13 |
|
24 |
|
|
|
A9 |
||
WE |
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|||||||||
A17 |
|
|
14 |
|
23 |
|
|
|
A10 |
||||
|
|
|
|
|
|||||||||
A16 |
|
|
15 |
|
22 |
|
|
|
A11 |
||||
|
|
|
|
|
|||||||||
A15 |
|
|
16 |
|
21 |
|
|
|
A12 |
||||
|
|
|
|
|
|||||||||
A14 |
|
17 |
|
20 |
|
|
|
A18 |
|||||
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
||||||||
A13 |
|
18 |
|
19 |
|
|
|
NC |
|||||
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
FP-BGA 512K x 8 Bump Configuration (Package X)
Pin Descriptions |
|
|
1 |
2 |
|
3 |
4 |
5 |
|
|
6 |
|||||||
Symbol |
Description |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
A0–A18 |
Address input |
A |
NC |
|
|
|
A2 |
A6 |
A7 |
NC |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
OE |
|
|||||||||
DQ1–DQ8 |
Data input/output |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Chip enable input |
B |
DQ1 |
NC |
A1 |
A5 |
|
|
|
DQ8 |
|||
|
|
CE |
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
CE |
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
Write enable input |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
WE |
C |
DQ2 |
NC |
A0 |
A4 |
NC |
DQ7 |
||||||||||
|
|
|
|
|
Output enable input |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
OE |
D |
VSS |
NC |
A18 |
A3 |
NC |
VDD |
||||||||||
VDD |
+3.3 V power supply |
|||||||||||||||||
E |
VDD |
NC |
A17 |
A9 |
NC |
VSS |
||||||||||||
VSS |
Ground |
|||||||||||||||||
F |
DQ3 |
NC |
A13 |
A10 |
NC |
DQ6 |
||||||||||||
|
NC |
No connect |
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
G |
DQ4 |
NC |
A14 |
A11 |
|
|
|
DQ5 |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
WE |
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
H |
NC |
A16 |
A15 |
A12 |
A8 |
NC |
6 x 10 mm
Rev: 1.03a 10/2002 |
1/13 |
© 2001, Giga Semiconductor, Inc. |
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
GS74108ATP/J/X
TSOP-II 512K x 8-Pin Configuration
NC |
|
1 |
|
44 |
|
|
NC |
|||||
|
|
|
|
|
||||||||
NC |
|
|
2 |
|
43 |
|
|
NC |
||||
|
|
|
|
|
||||||||
A4 |
|
|
3 |
|
42 |
|
|
NC |
||||
|
|
|
|
|
||||||||
A3 |
|
4 |
|
41 |
|
|
A5 |
|||||
|
|
|
|
|
||||||||
A2 |
|
5 |
|
40 |
|
|
A6 |
|||||
|
|
|
|
|
||||||||
A1 |
|
6 |
|
39 |
|
|
A7 |
|||||
|
|
|
|
|
||||||||
A0 |
|
7 |
|
38 |
|
|
A8 |
|||||
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
8 |
|
37 |
|
|
|
|
|
|
CE |
|
|
|
|
|
OE |
||||||
|
|
|
|
|
||||||||
DQ1 |
|
9 |
|
36 |
|
|
DQ8 |
|||||
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
||||||||
DQ2 |
|
10 |
44-pin |
35 |
|
|
DQ7 |
|||||
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|||||||||
VDD |
|
11 |
34 |
|
|
VSS |
||||||
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|||||||||
VSS |
|
12 |
400 mil TSOP II |
33 |
|
|
VDD |
|||||
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|||||||||
DQ3 |
|
13 |
|
32 |
|
|
DQ6 |
|||||
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
||||||||
DQ4 |
|
14 |
|
31 |
|
|
DQ5 |
|||||
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
15 |
|
30 |
|
|
|
A9 |
||
WE |
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
||||||||
A17 |
|
|
16 |
|
29 |
|
|
A10 |
||||
|
|
|
|
|
||||||||
A16 |
|
|
17 |
|
28 |
|
|
A11 |
||||
|
|
|
|
|
||||||||
A15 |
|
|
18 |
|
27 |
|
|
A12 |
||||
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
||||||||
A14 |
|
19 |
|
26 |
|
|
A18 |
|||||
A13 |
|
|
20 |
|
25 |
|
|
NC |
||||
NC |
|
21 |
|
24 |
|
|
NC |
|||||
|
|
|
|
|
||||||||
NC |
|
|
22 |
|
23 |
|
|
NC |
||||
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Block Diagram
A0
Row
Decoder
Address
Input
Buffer
A18
CE
WE
OE Control
Memory Array
Column
Decoder
I/O Buffer
DQ1 DQ8
Rev: 1.03a 10/2002 |
2/13 |
© 2001, Giga Semiconductor, Inc. |
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
GS74108ATP/J/X |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Truth Table |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
CE |
|
|
|
|
OE |
|
|
WE |
|
|
DQ1 to DQ8 |
|
|
VDD Current |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
H |
|
|
|
X |
|
|
X |
|
Not Selected |
|
|
ISB1, ISB2 |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
L |
|
|
|
L |
|
|
H |
|
Read |
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
L |
|
|
|
X |
|
|
L |
|
Write |
|
|
IDD |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
L |
|
|
|
H |
|
|
H |
|
High Z |
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
Note: X: “H” or “L” |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
Absolute Maximum Ratings |
|
|
|
|
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
Parameter |
|
|
Symbol |
Rating |
Unit |
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
Supply Voltage |
|
|
VDD |
–0.5 to +4.6 |
V |
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
Input Voltage |
|
|
VIN |
–0.5 to VDD +0.5 |
V |
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(≤ 4.6 V max.) |
|
|
|
|
|
|
|
Output Voltage |
|
|
VOUT |
–0.5 to VDD +0.5 |
V |
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(≤ 4.6 V max.) |
|
|
|
|
Allowable power dissipation |
|
|
PD |
0.7 |
W |
|
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
|
Storage temperature |
|
|
TSTG |
–55 to 150 |
oC |
|
Note:
Permanent device damage may occur if Absolute Maximum Ratings are exceeded. Functional operation shall be restricted to Recommended Operating Conditions. Exposure to higher than recommended voltages for extended periods of time could affect device reliability.
Rev: 1.03a 10/2002 |
3/13 |
© 2001, Giga Semiconductor, Inc. |
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
GS74108ATP/J/X
Recommended Operating Conditions
Parameter |
Symbol |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Supply Voltage for -7/-8/-10/-12 |
VDD |
3.0 |
3.3 |
3.6 |
V |
|
Input High Voltage |
VIH |
2.0 |
— |
VDD +0.3 |
V |
|
Input Low Voltage |
VIL |
–0.3 |
— |
0.8 |
V |
|
|
|
|
|
|
|
|
Ambient Temperature, |
TAc |
0 |
— |
70 |
oC |
|
Commercial Range |
||||||
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
Ambient Temperature, |
TAI |
–40 |
— |
85 |
oC |
|
Industrial Range |
||||||
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
Note:
1.Input overshoot voltage should be less than VDD +2 V and not exceed 20 ns.
2.Input undershoot voltage should be greater than –2 V and not exceed 20 ns.
Capacitance
Parameter |
Symbol |
Test Condition |
Max |
Unit |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Input Capacitance |
CIN |
VIN = 0 V |
5 |
pF |
|
|
|
|
|
Output Capacitance |
COUT |
VOUT = 0 V |
7 |
pF |
|
|
|
|
|
Notes:
1.Tested at TA = 25°C, f = 1 MHz
2.These parameters are sampled and are not 100% tested.
DC I/O Pin Characteristics
Parameter |
Symbol |
Test Conditions |
Min |
Max |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Input Leakage |
IIL |
VIN = 0 to VDD |
– 1 uA |
1 uA |
|
Current |
|||||
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
Output Leakage |
ILO |
Output High Z |
–1 uA |
1 uA |
|
Current |
VOUT = 0 to VDD |
||||
|
|
|
|||
Output High Voltage |
VOH |
IOH = –4 mA |
2.4 |
— |
|
|
|
|
|
|
|
Output Low Voltage |
VOL |
ILO = +4 mA |
— |
0.4 V |
|
|
|
|
|
|
Rev: 1.03a 10/2002 |
4/13 |
© 2001, Giga Semiconductor, Inc. |
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.