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SB560-3G
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
Type
Ø 1.2
±0.05
Ø 4.5
62.5
±0.5
7.5
±0.1
+0.1
-
0.3
Schottky Barrier Rectifier Diodes 3rd Generation
Schottky-Gleichrichterdioden 3. Generation
Version 2020-04-30
~ DO-201
Dimensions - Maße [mm]
SB560-3G
Typical Applications
Output Rectification in DC/DC
Converters, Polarity Protection,
Free-wheeling diodes
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1)
Features
VF as low as comparable 45V types
Low reverse leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
I
= 5.0 A
FAV
VF< 0.55 V
T
= 150°C
jmax
V
= 60 V
RRM
I
= 200/220 A
FSM
Typische Anwendungen
Ausgangsgleichrichtung in
Gleichstromwandlern, Verpolschutz,
Freilaufdioden
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)
Besonderheiten
VF wie vergleichbare 45V Typen
Niedriger Sperrstrom
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped in ammo pack 1700 Gegurtet in Ammo-Pack
Weight approx. 1 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
[V]
RRM
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
[V]
RSM
SB560-3G 60 60
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C I
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz TA = 50°C I
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Rating for fusing
Grenzlastintegral
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
t < 10 ms i2t 200 A2s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
FAV
FRM
I
FSM
T
j
T
S
-50...+150°C
-50...+175°C
5 A
40 A
200 A
220 A
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
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SB560-3G
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
I
FAV
[%]
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
[A]
I
F
Forward characteristics (ty pical values)
Du rchl asskenn lini en ( typ ische Werte)
10
2
10
1
10
-1
10
-2
0
V
F
0.4 0.6
[V]
1.0
T = 2 5 °C
j
Characteristics Kennwerte
Type
Typ
SB560-3G typ. 0.46 5 125°C < 0.55 5 25°C typ. 250 4
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] @ IF [A] @ T
Forward voltage
Durchlass-Spannung
j
VF [V] @ IF [A] @ T
j
Junction capacitance
Sperrschichtkapazität
Cj [pF] @ VR [V]
Leakage current
Sperrstrom
Typical thermal resistance junction to ambient
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
Typical Thermal resistance junction to leads
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
Tj = 25°C
Tj = 125°C
VR = V
RRM
I
R
R
thA
R
thL
< 50 µA
typ. 15 mA
25 K/W 1)
8 K/W
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
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