EMG TR-4805-1, TR-4805 User Manual

МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ
(ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)
Лабораторная работа
«Исследование характеристик
биполярного транзистора»
Москва, 2006 г.
В биполярном транзисторе физические процессы определяются дви­жением носителей заряда обоих знаков, что и отражено в его названии. На рисунке 1 приведены сечение (а), схематическое (б) и схемотехническое изображение биполярного транзистора.
ЭББ
а)
n
p
n
n+
К
б)
Рисунок 1. Структура (а), схематическое (б) и схемотехническое
изображение (в) биполярного транзистора.
Биполярный транзистор содержит три полупроводниковые области с чередующимися типами проводимости (p – n – p или n – p – n), которые на­зываются соответственно эмиттером, базой и коллектором. Эти области разделены двумя взаимодействующими между собой p-n переходами: эмиттерным и коллекторным. Взаимодействие между переходами обеспе­чивается благодаря тому, что расстояние между ними (толщина базы) мно­го меньше диффузионной длины неосновных носителей в базе. К полупро­водниковым областям созданы омические контакты и внешние выводы. Принцип действия транзисторов типа p – n – p и n – p – n одинаков. В ра­боте рассматривают только транзисторы типа n – p – n, исследования тран­зисторов p – n – p типа проводятся аналогично, за исключением того, что полярность рабочих напряжений и направления токов противоположны.
Возможны три схемы подключения транзистора: с общим эмитте­ром, общей базой и общим коллектором. В работе исследуются статиче-
2
ские характеристики транзистора в схемах с общим эмиттером и общей ба­зой.
Схема с общим эмиттером представлена на рисунке 2.
I
= I
ВХ
UВХ = U
Б
БЭ
I
вых=Ik
U
ВЫХ
= U
КЭ
Рисунок 2. Схема включения транзистора с общим эмиттером.
При данной схеме включения входным током является ток базы, а входным напряжением – напряжение между базой и эмиттером. Выходны­ми являются ток коллектора и напряжение между коллектором и эмитте­ром.
I
= Iб ; Uвх=Uбэ;
вх
I
вых=Iк
; U
вых=Uкэ
.
Входная характеристика – это зависимость входного тока (в данном случае тока базы) от входного напряжения при постоянном выходе, т.е. на коллекторе:
I
=f(Uвх), или Iб=f(Uбэ) при Uкэ=const.
вх
Выходная характеристика – зависимость выходного тока (тока кол­лектора) от выходного напряжения при постоянном
I
вых
=f(U
), или Iк=f(Uкэ) при Iб=const
вых
токе базы.
Схема с общей базой представлена на рисунке 3.
напряжении на
3
Iвх= I
Uвх=UЭБ
Э
I
вых
U
= I
вых
К
= U
КБ
Рисунок 3. Схема включения транзистора с общей базой.
При данной схеме включения входным током является ток эмиттера, а входным напряжением – напряжение между эмиттером и базой. Выход­ными являются ток коллектора и напряжение между коллектором и базой.
I
I
вых=Iк
; Uвх=Uэб;
вх=Iэ
; U
вых=Uкб
.
Входная характеристика – это зависимость входного тока (в данном случае тока эмиттера) от входного напряжения при постоянном
напряже-
нии на выходе, т.е. на коллекторе:
I
=f(Uвх), или Iэ=f(Uэб) при Uкб=const
вх
Выходная характеристика – зависимость выходного тока (тока кол­лектора) от выходного напряжения при постоянном
I
вых
=f(U
), или Iк=f(Uкб) при Iэ=const.
вых
токе эмиттера.
Описание установки.
Исследование характеристик БП транзистора осуществляется с по­мощью характериоскопа, позволяющего получить на экране семейства ВАХ п/п транзисторов. В состав лабораторной установки входят также транзистор и разъем с тремя проводами. Транзистор припаян к плате с тремя выводами. К среднему выводу присоединена база транзистора. К выводу, окрашенному в красный цвет, присоединён коллектор. Плата с транзистором вставляется в разъём с тремя проводами. Рекомендуется вставлять плату таким образом, чтобы красный вывод коллектора соответ-
4
ствовал красному (розовому) проводу. Белый провод при этом будет соот­ветствовать базе, а чёрный – эмиттеру транзистора.
Штекеры проводов подсоединяются к различным гнёздам характе­риоскопа, в зависимости от схемы включения и снимаемой характеристи­ки.
ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ
1. Снимите семейства входных и выходных ВАХ в схеме с общим
эмиттером.
Для снятия семейства выходных ВАХ в схеме с общим эмиттером поставьте переключатель "OFF" в нейтральное положение (рисунок П1-2 приложения 1) и подключите транзистор в соответствии с рисунком 4.
Рисунок 4. Схема подключения транзистора при снятии семейства
выходных ВАХ в схеме с общим эмиттером.
На приборе CHARACTERISCOPE установите ручки управления в следующие положения:
переключатель "НОR .VOLTS" в положение (0,5 – 1,0) В/дел;
переключатель "VERT. CURRENT "в положение – 1 мА/дел.;
переключатель "BASE STEPS" в положение "6";
тумблер "STEP POL" в положение ''+";
кнопка "ONE CURVE" отжата;
переключатель "STEP AMPLITUDE" в положение (50 –100) мкА;
переключатель "COLLECTOR SUPPLY" в положение – "+АС".
5
Включите питание прибора ручкой "SCALE ILLUM" и установите удобный уровень освещенности шкалы. Время прогрева прибора не ме­нее 5 минут.
После того, как будут выставлены необходимые чувствительности, полярности и количество шагов, можно включить изображение, переведя переключатель "OFF" в соответствующие положение ÅилиÆ. В резуль- тате на экране должно появиться семейство ВАХ. Каждая кривая семейст­ва соответствует постоянному значению входного тока на гнезде “B”.
После этого необходимо произвести балансировку. Балансировка осуществляется вращением ручки "OFFSET". При вращении ручки "OFFSET" семейство кривых синхронно перемещается по экрану. Для ба­лансировки нужно добиться такого положения, когда нижняя кривая при движении семейства ВАХ сверху вниз остановится (при этом она будет соответствовать I
=0); начало этой кривой (яркая точка) является началом
б
координат при построении графика ВАХ. После балансировки откоррек­тируйте чувствительность вертикального отклонения так, чтобы семейство ВАХ занимало как можно большую часть экрана характериоскопа, и пере­рисуйте семейство выходных ВАХ на миллиметровку в масштабе доста­точно крупном для дальнейших вычислений (1 клетка на экране осцилло­графа ≤ 1см).
Для снятия семейства входных ВАХ в схеме с общим эмиттером по­ставьте переключатель "OFF" в нейтральное положение и подключите транзистор в соответствии с рисунком 5.
Рисунок 5. Схема подключения транзистора для получения семейства
входных характеристик в схеме с общим эмиттером.
6
Loading...
+ 11 hidden pages