В биполярном транзисторе физические процессы определяются движением носителей заряда обоих знаков, что и отражено в его названии. На
рисунке 1 приведены сечение (а), схематическое (б) и схемотехническое
изображение биполярного транзистора.
ЭББ
а)
n
p
n
n+
К
б)
Рисунок 1. Структура (а), схематическое (б) и схемотехническое
изображение (в) биполярного транзистора.
Биполярный транзистор содержит три полупроводниковые области с
чередующимися типами проводимости (p – n – p или n – p – n), которые называются соответственно эмиттером, базой и коллектором. Эти области
разделены двумя взаимодействующими между собой p-n переходами:
эмиттерным и коллекторным. Взаимодействие между переходами обеспечивается благодаря тому, что расстояние между ними (толщина базы) много меньше диффузионной длины неосновных носителей в базе. К полупроводниковым областям созданы омические контакты и внешние выводы.
Принцип действия транзисторов типа p – n – p и n – p – n одинаков. В работе рассматривают только транзисторы типа n – p – n, исследования транзисторов p – n – p типа проводятся аналогично, за исключением того, что
полярность рабочих напряжений и направления токов противоположны.
Возможны три схемы подключения транзистора: с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором. В работе исследуются статиче-
2
ские характеристики транзистора в схемах с общим эмиттером и общей базой.
Схема с общим эмиттером представлена на рисунке 2.
I
= I
ВХ
UВХ = U
Б
БЭ
I
вых=Ik
U
ВЫХ
= U
КЭ
Рисунок 2. Схема включения транзистора с общим эмиттером.
При данной схеме включения входным током является ток базы, а
входным напряжением – напряжение между базой и эмиттером. Выходными являются ток коллектора и напряжение между коллектором и эмиттером.
I
= Iб ; Uвх=Uбэ;
вх
I
вых=Iк
; U
вых=Uкэ
.
Входная характеристика – это зависимость входного тока (в данном
случае тока базы) от входного напряжения при постоянном
выходе, т.е. на коллекторе:
I
=f(Uвх), или Iб=f(Uбэ) при Uкэ=const.
вх
Выходная характеристика – зависимость выходного тока (тока коллектора) от выходного напряжения при постоянном
I
вых
=f(U
), или Iк=f(Uкэ) при Iб=const
вых
токе базы.
Схема с общей базой представлена на рисунке 3.
напряжении на
3
Iвх= I
Uвх=UЭБ
Э
I
вых
U
= I
вых
К
= U
КБ
Рисунок 3. Схема включения транзистора с общей базой.
При данной схеме включения входным током является ток эмиттера,
а входным напряжением – напряжение между эмиттером и базой. Выходными являются ток коллектора и напряжение между коллектором и базой.
I
I
вых=Iк
; Uвх=Uэб;
вх=Iэ
; U
вых=Uкб
.
Входная характеристика – это зависимость входного тока (в данном
случае тока эмиттера) от входного напряжения при постоянном
напряже-
нии на выходе, т.е. на коллекторе:
I
=f(Uвх), или Iэ=f(Uэб) при Uкб=const
вх
Выходная характеристика – зависимость выходного тока (тока коллектора) от выходного напряжения при постоянном
I
вых
=f(U
), или Iк=f(Uкб) при Iэ=const.
вых
токе эмиттера.
Описание установки.
Исследование характеристик БП транзистора осуществляется с помощью характериоскопа, позволяющего получить на экране семейства
ВАХ п/п транзисторов. В состав лабораторной установки входят также
транзистор и разъем с тремя проводами. Транзистор припаян к плате с
тремя выводами. К среднему выводу присоединена база транзистора. К
выводу, окрашенному в красный цвет, присоединён коллектор. Плата с
транзистором вставляется в разъём с тремя проводами. Рекомендуется
вставлять плату таким образом, чтобы красный вывод коллектора соответ-
4
ствовал красному (розовому) проводу. Белый провод при этом будет соответствовать базе, а чёрный – эмиттеру транзистора.
Штекеры проводов подсоединяются к различным гнёздам характериоскопа, в зависимости от схемы включения и снимаемой характеристики.
ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ
1. Снимите семейства входных и выходных ВАХ в схеме с общим
эмиттером.
Для снятия семейства выходныхВАХ в схеме с общим эмиттером
поставьте переключатель "OFF" в нейтральное положение (рисунок П1-2
приложения 1) и подключите транзистор в соответствии с рисунком 4.
Рисунок 4. Схема подключения транзистора при снятии семейства
выходных ВАХ в схеме с общим эмиттером.
На приборе CHARACTERISCOPE установите ручки управления в
следующие положения:
Включите питание прибора ручкой "SCALE ILLUM" и установите
удобный уровень освещенности шкалы. Время прогрева прибора не менее 5 минут.
После того, как будут выставлены необходимые чувствительности,
полярности и количество шагов, можно включить изображение, переведя
переключатель "OFF" в соответствующие положение ÅилиÆ. В резуль-
тате на экране должно появиться семейство ВАХ. Каждая кривая семейства соответствует постоянному значению входного тока на гнезде “B”.
После этого необходимо произвести балансировку. Балансировка
осуществляется вращением ручки "OFFSET". При вращении ручки
"OFFSET" семейство кривых синхронноперемещаетсяпоэкрану. Длябалансировки нужно добиться такого положения, когда нижняя кривая при
движении семейства ВАХ сверху вниз остановится (при этом она будет
соответствовать I
=0); начало этой кривой (яркая точка) является началом
б
координат при построении графика ВАХ. После балансировки откорректируйте чувствительность вертикального отклонения так, чтобы семейство
ВАХ занимало как можно большую часть экрана характериоскопа, и перерисуйте семейство выходных ВАХ на миллиметровку в масштабе достаточно крупном для дальнейших вычислений (1 клетка на экране осциллографа ≤ 1см).
Для снятия семейства входныхВАХ в схеме с общим эмиттером поставьте переключатель "OFF" в нейтральное положение и подключите
транзистор в соответствии с рисунком 5.
Рисунок 5. Схема подключения транзистора для получения семейства
входных характеристик в схеме с общим эмиттером.
6
Loading...
+ 11 hidden pages
You need points to download manuals.
1 point = 1 manual.
You can buy points or you can get point for every manual you upload.