ELPIDA MC-4532DA727XFA-A75 Datasheet

DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

MC-4532DA727XFA

32 M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE

REGISTERED TYPE

Description

The MC-4532DA727XFA a 33,554,432 words by 72 bits synchronous dynamic RAM module on which 18 pieces of

128M SDRAM:

This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-

mounting technology on the printed circuit board.

Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.

Features

• 33,554,432 words by 72 bits organization (ECC type)

• Clock frequency and access time from CLK.

PD45128441 are assembled.

µ

Part number /CAS latency Clock frequency Access time from CLK

(MAX.) (MAX.)

MC-4532DA727XFA-A75 CL = 3 133 MHz 5.4 ns

CL = 2 100 MHz 6.0 ns

• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge

• Pulsed interface

• Possible to assert random column address in every cycle

• Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)

• Programmable burst-length (1, 2, 4, 8 and Full Page)

Interleave)

• Programmable wrap sequence (Sequential

• Programmable /CAS latency (2, 3)

• Automatic precharge and controlled precharge

• CBR (Auto) refresh and self refresh

% of series resistor

• All DQs have 10

• Single 3.3

• LVTTL compatible

• 4,096 refresh cycles/64

• Burst termination by Burst Stop command and Precharge command

• 168-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27

• Registered type

• Serial PD

Ω ±10

V ±0.3

V power supply

ms

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Not all devices/types available in every country. Please check with local Elpida Memory, Inc. for
availability and additional information.

/

mm)

Document No. E0279N10 (Ver 1.0)
Date Published May 2002 (K) Japan
URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2002

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

A

Ordering Information

MC-4532DA727XF

Part number Clock frequency

MHz (MAX.)

MC-4532DA727XFA-A75 133 MHz 168-pin Dual In-line Memory Module

(Socket Type)

Edge connector: Gold plated

30.48 mm height

Package Mounted devices

18 pieces of µPD45128441G5 (Rev. X)

(10.16mm (400) TSOP (II))

2

Data Sheet E0279N10 (Ver. 1.0)

MC-4532DA727XF

A

Pin Configuration

168-pin Dual In-line Memory Module Socket Type (Edge connector: Gold plated)

100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124

125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168

85
86
87
88
89
90
91
92
93
94

95
96
97
98
99

SS

V
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
Vcc
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39

DQ40

SS

V
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
Vcc
DQ46
DQ47
CB4
CB5

SS

V
NC
NC
Vcc
/CAS
DQMB4
DQMB5
NC
/RAS

SS

V
A1
A3
A5
A7
A9
BA0

(A13)
A11
Vcc

CLK1
NC

SS

V
CKE0
NC
DQMB6
DQMB7
NC
Vcc
NC
NC
CB6
CB7

SS

V
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
Vcc
DQ52
NC
NC
REGE

SS

V
DQ53
DQ54
DQ55

SS

V
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
Vcc
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63

SS

V
CLK3
NC
SA0
SA1
SA2
Vcc

V
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3

Vcc
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7

DQ8

V

DQ9

DQ10
DQ11
DQ12
DQ13

Vcc

DQ14
DQ15

CB0
CB1

V
NC
NC

Vcc

/WE
DQMB0
DQMB1

/CS0

NC
V

A10

BA1(A12)

Vcc

Vcc

CLK0

V
NC

/CS2
DQMB2
DQMB3

NC

Vcc

NC

NC
CB2
CB3

V

DQ16
DQ17
DQ18
DQ19

Vcc

DQ20

NC

NC

NC

V

DQ21
DQ22
DQ23

V

DQ24
DQ25
DQ26
DQ27

Vcc
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31

V

CLK2

NC

NC
SDA
SCL

Vcc

SS

SS

SS

SS

A0
A2
A4
A6
A8

SS

SS

SS

SS

SS

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40

41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84

/xxx indicates active low signal.

A0 - A11 : Address Inputs

[Row: A0 - A11, Column: A0 - A9, A11]

(A13), BA1 (A12) : SDRAM Bank Select

BA0

- DQ63, CB0 - CB7 : Data Inputs/Outputs

DQ0

CLK0 - CLK3 : Clock Input

CKE0 : Clock Enable Input

WP : Write Protect

/CS0, /CS2 : Chip Select Input

/RAS : Row Address Strobe

/CAS : Column Address Strobe

/WE : W rite Enable

DQMB0 - DQMB7 : DQ Mask Enable

SA0 - SA2 : Address Input for EEPROM

SDA : Serial Data I/O for PD

SCL : Clock Input for PD

CC

V

VSS

: Power Supply

: Ground

REGE : Register / Buffer Enable

NC : No Connection

Data Sheet E0279N10 (Ver. 1.0)

3

A

Block Diagram

/RCS0

RDQMB0

DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0

DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4

RDQMB1

DQ 11
DQ 10

DQ 9
DQ 8

DQ 15
DQ 14
DQ 12
DQ 13

CB 2
CB 3
CB 0
CB 1

/RCS2

RDQMB2

DQ 18
DQ 19
DQ 17
DQ 16

DQ 23
DQ 22
DQ 21
DQ 20

RDQMB3

DQ 27
DQ 26
DQ 25
DQ 24

DQ 31
DQ 30
DQ 29
DQ 28

DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3

DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3

DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3

DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3

DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3

DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3

DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3

DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3

DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3

DQM

/CS

D0

DQM

/CS

D1

DQM

/CS

D

2

DQM

/CS

D3

DQM

/CS

D

4

DQM /CS

D5

DQM

/CS

D6

DQM

/CS

D7

DQM

/CS

D8

RDQMB4

DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35

DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39

RDQMB5

DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43

DQ 45
DQ 44
DQ 46
DQ 47

CB 5
CB 4
CB 7
CB 6

RDQMB6

DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51

DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55

RDQMB7

DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59

DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63

DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3

DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3

DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3

DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3

DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3

DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3

DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3

DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3

DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3

DQM

DQM

DQM

DQM

DQM

DQM

DQM

DQM

DQM

D

D11

D12

D

D14

D15

D16

D17

MC-4532DA727XF

/CS

D9

/CS

10

D1 - D17

V

CC

/CS

/CS

/CS

13

/CS

/CS

/CS

/CS

CLK0

V

SS

SCL

CLK1 - CLK3

10 Ω

SA0

PLL

Register1, Register2, Register3,
PLL

C

D1 - D17
Register1, Register2, Register3,
PLL

SERIAL PD

A1 A2

A0

SA1 SA2

MC-4532DA727XFA
have no this circuit.

10 Ω

12 pF

CLK : D0, D1, D9
CLK : D2, D10, D11
CLK : D3, D4, D12
CLK : D5, D13, D14
CLK : D6, D7, D15
CLK : D8, D16, D17

CLK : Register1, Register2,Register3

SDA
WP

47 kΩ

A0 - A3, A10

BA0, BA1

A4 - A9, A11

REGE

10 kΩ

/RAS
/CAS

CKE0

V

CC

Register1

/LE

Remarks 1.

The value of all resistors of DQs is 10 Ω.

2. D0 - D17:

3. REGE ≤ V
REGE ≥ V

4

RA0A - RA3A, RA10A
RBA0A, RBA1A

RA4A - RA9A, RA11A
/RRASA
/RCASA

RCKE0A

RCKE0B

PD45128441 (8M words × 4 bits × 4 banks)

µ

: Buffer mode

IL

: Register mode

IH

A0 - A3, A10 : D0 - D3, D9 - D13
BA0, BA1

A4 - A9, A11 : D4 - D8, D14 - D17
/RAS : D0 - D3, D9 - D13
/CAS : D0 - D3, D9 - D13

CKE : D0 - D4, D9 - D12
CKE : D5 - D8, D13 - D17

Data Sheet E0279N10 (Ver. 1.0)

A0 - A3,A10

BA0, BA1

A4 - A9, A11

/RAS
/CAS

DQMB0 - DQMB7

/CS0, /CS2

/WE

Register2

/LE

Register3

/LE

RA0B - RA3B, RA10B
RBA0B, RBA1B

RA4B - RA9B, RA11B
/RRASB
/RCASB

RDQMB0 - RDQMB7
/RCS0, /RCS2
/RWEA

/RWEB

/RAS : D4 - D8, D14 - D17
/CAS : D4 - D8, D14 - D17

/WE : D0 - D3, D9 - D13

CKE : D4 - D8, D14 - D17

A0 - A3, A10 : D4 - D8, D14 - D17
BA0, BA1

A4 - A9, A11 : D0 - D3, D9 - D13

A

Electrical Specifications

MC-4532DA727XF

• All voltages are referenced to VSS

(GND).

• After power up, wait more than 1 ms and then, execute power on sequence and CBR (Auto) refresh before proper

device operation is achieved.

Absolute Maximum Ratings

Parameter Symbol Condition Rating Unit

Voltage on power supply pin relative to GND VCC –0.5 to +4.6 V

Voltage on input pin relative to GND VT –0.5 to +4.6 V

Short circuit output current IO 50 mA

Power dissipation PD 22 W

Operating ambient temperature T

Storage temperature T

A

0 to 70 °C

stg

–55 to +125 °C

Caution Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause

permanent damage. The device is not meant to be operated under conditions outside the limits

described in the operational section of this specification. Exposure to Absolute Maximum Rating

conditions for extended periods may affect device reliability.

Recommended Operating Conditions

Parameter Symbol Condition MIN. TYP. MAX. Unit

Supply voltage VCC 3.0 3.3 3.6 V

High level input voltage VIH 2.0 V

Low level input voltage VIL –0.3 + 0.8 V

Operating ambient temperature T

A

0 70 °C

CC +

0.3 V

°°°°C, f = 1 MHz)

Capacitance (TA = 25

Input capacitance CI1 A0 - A11, BA0 (A13), BA1 (A12),

C

C

C

C

Data input/output capacitance C

Parameter Symbol Test condition MIN. TYP. MAX. Unit

7 20 pF

/RAS, /CAS, /WE

I2

CLK0 15 25

I3

CKE0 7 20

I4

/CS0, /CS2 4 10

I5

DQMB0 - DQMB7 3 12

I/O

DQ0 - DQ63, CB0 - CB7 5 13 pF

Data Sheet E0279N10 (Ver. 1.0)

5