The MC-4532CD647XFA is 33,554,432 words by 64 bits synchronous dynamic RAM module on which 16 pieces of
128M SDRAM:
This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surfacemounting technology on the printed circuit board.
Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.
Address Input for EEPROM
SDA : Serial Data I/O for PD
SCL : Clock Input for PD
V
CC
V
SS
: Power Supply
: Ground
NC : No Connection
Data Sheet E0230N20 (Ver. 2.0)
3
Block Diagram
/WE
/CS0
DQMB0
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQMB1
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
DQMB4
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
DQMB5
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 4
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 5
DQ 7
DQ 6
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQM
DQM
DQM
DQM
MC-4532CD647XFA
/CS1
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 2
DQ 0
DQ 1
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQM
DQM
DQM
DQM
/CS
D8
/CS
D9
/CS
D12
/CS
D13
/WE
/CS
D0
/WE
/CS
D1
/WE
/CS
D4
/CS
/WE
D5
/CS2/CS3
DQMB2
/WE
/WE
/WE
/WE
DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19
DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23
DQMB3
DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31
DQMB6
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55
DQMB7
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
DQM
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQM
DQ 4
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQM /CS /WE
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQM /CS /WE
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/CS /WE
D2
/CS /WE
D3
D6
D7
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQM
DQM
DQM
DQM
D10
D11
D14
D15
/CS
/CS
/CS
/CS
/WE
/WE
/WE
/WE
CLK0
CLK1
/RAS
/CAS
CKE0
SCL
A0 - A11
BA0, BA1
SERIAL PD
SDA
A1 A2
A0
SA1 SA2
SA0
A0 - A11: D0 - D15
A13, A12: D0 - D15
V
CC
V
SS
D0 - D15
C
D0 - D15
Remarks 1. The value of all resistors is 10 Ω except CKE1.
µ
2. D0 - D15:
4
PD45128841 (4M words × 8 bits × 4 banks)
Data Sheet E0230N20 (Ver. 2.0)
CLK: D0, D1, D4, D5
3.3 pF
CLK: D8, D9, D12, D13
3.3 pF
/RAS: D0 - D15
/CAS: D0 - D15
CKE: D0 - D7
CLK2
CLK3
CKE1
CLK: D2, D3, D6, D7
3.3 pF
CLK: D10, D11, D14, D15
3.3 pF
10 kΩ
CKE: D8-D15
MC-4532CD647XFA
Electrical Specifications
• All voltages are referenced to VSS (GND).
µ
• After power up, wait more than 100
device operation is achieved.
Absolute Maximum Ratings
Parameter Symbol Condition Rating Unit
Voltage on power supply pin relative to GND VCC –0.5 to +4.6 V
Voltage on input pin relative to GND V
Short circuit output current IO 50 mA
Power dissipation PD 16 W
Operating ambient temperature TA 0 to 70 °C
Storage temperature T
Caution Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause
permanent damage. The device is not meant to be operated under conditions outside the limits
described in the operational section of this specification. Exposure to Absolute Maximum Rating
conditions for extended periods may affect device reliability.
Recommended Operating Conditions
s and then, execute power on sequence and CBR (Auto) refresh before proper
T
stg
–55 to +125 °C
–0.5 to +4.6 V
Parameter Symbol Condition MIN. TYP. MAX. Unit
Supply voltage VCC 3.0 3.3 3.6 V
High level input voltage VIH 2.0 V
Low level input voltage VIL −0.3 +0.8 V
Operating ambient temperature TA 0 70 °C