ELPIDA MC-4516CB647XFA-A75 Datasheet

DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

MC-4516CB647XFA

16M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE

UNBUFFERED TYPE

Description

The MC-4516CB647XFA is 16,777,216 words by 64 bits synchronous dynamic RAM module on which 8 pieces of
128M SDRAM:
This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface­mounting technology on the printed circuit board.
Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.

Features

• 16,777,216 words by 64 bits organization

• Clock frequency and access time from CLK

Part number /CAS latency Clock frequency Access time from CLK

MC-4516CB647XFA-A75 CL = 3 133 MHz 5.4 ns
CL = 2 100 MHz 6.0 ns

µ

PD45128841 are assembled.

(MAX.) (MAX.)

• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge

• Pulsed interface

• Possible to assert random column address in every cycle

• Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)

• Programmable burst-length (1, 2, 4, 8 and full page)

• Programmable wrap sequence (sequential

• Programmable /CAS latency (2, 3)

• Automatic precharge and controlled precharge

• CBR (Auto) refresh and self refresh

• All DQs have 10

• Single 3.3

• LVTTL compatible

• 4,096 refresh cycles/64

• Burst termination by Burst Stop command and Precharge command

• 168-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27

• Unbuffered type

• Serial PD

Ω ±10 % of series resistor

V ± 0.3 V power supply

ms

/

interleave)

mm)

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Not all devices/types available in every country. Please check with local Elpida Memory, Inc. for
availability and additional information.

Document No. E0232N20 (Ver 2.0)
Date Published June 2002 (K) Japan
URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2001-2002

Elpida Memory, Inc. i s a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hi tachi, Ltd.

Ordering Information

MC-4516CB647XFA

Part number Clock frequency

(MAX.)

MC-4516CB647XFA-A75 133 MHz 168-pin Dual In-line Memory Module 8 pieces of µPD45128841G5 (Rev. X)
(Socket Type) (10.16 mm (400) TSOP (II ))
Edge connector : Gold plated

34.93 mm height

Package Mounted devices

2

Data Sheet E0232N20 (Ver. 2.0)

Pin Configuration

168-pin Dual In-line Memory

Module Socket Type (Edge connector: Gold plated)

MC-4516CB647XFA

100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124

125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168

85
86
87
88
89
90
91
92
93
94

95
96
97
98
99

SS

V
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
Vcc
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39

DQ40
V

SS

DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
Vcc
DQ46
DQ47
NC
NC

SS

V
NC
NC
Vcc
/CAS
DQMB4
DQMB5
NC
/RAS

SS

V
A1
A3
A5
A7
A9

(A13)

BA0
A11
Vcc

CLK1
NC

SS

V
CKE0
NC
DQMB6
DQMB7
NC
Vcc
NC
NC
NC
NC

SS

V
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
Vcc
DQ52
NC
NC
NC

SS

V
DQ53
DQ54
DQ55

SS

V
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
Vcc
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63

SS

V
CLK3
NC
SA0
SA1
SA2
Vcc

DQMB0
DQMB1

BA1

DQMB2
DQMB3

V
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3

Vcc
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7

DQ8

V

DQ9

DQ10
DQ11
DQ12
DQ13

Vcc

DQ14
DQ15

NC
NC
V
NC
NC

Vcc
/WE

/CS0

NC
V

A10

(A12)

Vcc

Vcc

CLK0

V
NC

/CS2

NC

Vcc

NC
NC
NC
NC

V
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19

Vcc

DQ20

NC

NC

NC

V
DQ21
DQ22
DQ23

V
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27

Vcc
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31

V

CLK2

NC

NC
SDA
SCL

Vcc

SS

SS

SS

SS

A0
A2
A4
A6
A8

SS

SS

SS

SS

SS

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40

41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84

/xxx indicates active low signal.

A0 - A11 : Address Inputs
[Row: A0 - A11, Column: A0 - A9]

(A13), BA1 (A12) : SDRAM Bank Select

BA0
DQ0 - DQ63 : Data Inputs/Outputs
CLK0 - CLK3 : Clock Input
CKE0 : Clock Enable Input
/CS0, /CS2 : Chip Select Input
/RAS : Row Address Strobe
/CAS : Column Address Strobe
/WE : Write Enable
DQMB0

-

DQMB7 : DQ Mask Enable
SA0 - SA2 : Address Input for EEPROM
SDA : Serial Data I/O for PD
SCL : Clock Input for PD
V

CC

V

SS

: Power Supply
: Ground

NC : No Connection

Data Sheet E0232N20 (Ver. 2.0)

3

Block Diagram

/WE

/CS0

DQMB0

DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7

DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0

DQM

MC-4516CB647XFA

/CS2

DQMB2

/WE

/CS

D0

DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19
DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23

DQMD2/CS /WE

DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0

DQMB1

DQ 8

DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15

DQMB4

DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39

DQMB5

DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47

DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0

DQ 4
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0

DQ 5
DQ 7
DQ 6
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0

DQM

/CS

D1

DQM /CS

D4

DQM

/CS

D5

/WE

/WE

/WE

DQMB3

DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31

DQMB6

DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55

DQMB7

DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63

DQ 4
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0

DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0

DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0

DQM

DQM

DQM

/WE

/CS

D3

/WE

/CS

D6

/CS

/WE

D7

CLK0

CLK2

CLK1, CLK3

V

V

CC

SS

CLK : D0, D1, D4, D5

3.3 pF

CLK : D2, D3, D6, D7

3.3 pF

10 pF

D0 - D7

C

D0 - D7

Remarks 1. The value of all resistors is 10 Ω.

2. D0 - D7:

µ

PD45128841 (4M words × 8 bits × 4 banks)

4

A0 - A11

SCL

Data Sheet E0232N20 (Ver. 2.0)

BA0

BA1

/RAS

/CAS

CKE0

SERIAL PD

A0

SA1 SA2

SA0

A0 - A11 : D0 - D7

A13 : D0 - D7

A12 : D0 - D7
/RAS : D0 - D7

/CAS : D0 - D7

CKE : D0 - D7

SDA

A1 A2

Electrical Specifications

y

–

• All voltages are referenced to VSS (GND).

µ

• After power up, wait more than 100

device operation is achieved.

Absolute Maximum Ratings

s and then, execute power on sequence and CBR (Auto) refresh before proper

MC-4516CB647XFA

Parameter S
Voltage on power supply pin relative to GND VCC
Voltage on input pin relative to GND V
Short circuit output current IO 50 mA
Power dissipation PD 8 W
Operating ambient temperature TA 0 to 70 °C
Storage temperature T

mbol Condition Rating Unit

0.5 to +4.6 V

T

stg

–55 t o +125 °C

–0.5 to +4.6 V

Caution Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause

permanent damage. The device is not meant to be operated under conditions outside the limits
described in the operational section of this specification. Exposure to Absolute Maximum Rating
conditions for extended periods may affect device reliability.

Recommended Operating Conditions

Parameter Symbol Condition MIN. TYP. MAX. Unit
Supply voltage VCC 3.0 3.3 3.6 V
High level input voltage VIH 2.0 VCC + 0.3 V
Low level input voltage VIL −0.3 +0.8 V
Operating ambient temperature TA 0 70 °C

A

Capacitance (T

= 25 °°°°C, f = 1 MHz)

Parameter Symbol Test condition MIN. TYP. MAX. Unit
Input capacitance CI1 A0 - A11, BA0 (A1 3), BA1 (A1 2), /RAS,

/CAS, /WE

C
C
C
C
Data input/output capacitance C

I2

CLK0, CLK2 20 40

I3

CKE0 28 52

I4

/CS0, /CS2 15 29

I5

DQMB0 - DQMB7 3 13

I/O

DQ0 - DQ63 4 13 pF

Data Sheet E0232N20 (Ver. 2.0)

24 62 pF

5