Diotec Elektronische KMSF70, KMSF72, KMSF71 Datasheet
Ø 10
Rändel / knurl 0.8
Ø 1.3
Ø 12
88
01.01.99
Diotec
KMSF 70 ... KMSF 72
Fast Si-Press-Fit Diodes Schnelle Si-Einpreßdioden
Nominal current – Nennstrom 20 A
Repetitive peak reverse voltage 50...200 V
Periodische Spitzensperrspannung
Metal press-fit case with plastic cover
Metall-Einpreßgehäuse mit Plastik-Abdeckung
Weight approx. – Gewicht ca. 10 g
Casting compound has UL classification 94V-0
Vergußmasse UL94V-0 klassifiziert
Anode to case / Gehäuse Standard packaging: bulk
Dimensions / Maße in mm Standard Lieferform: lose im Karton
Maximum ratings Grenzwerte
Type Repetitive peak reverse voltage Surge peak reverse voltage
Typ Periodische Spitzensperrspannung Stoßspitzensperrspannung
V [V] V [V]
RRM RSM
KMSF 70 50 50
KMSF 71 100 100
KMSF 72 200 200
Max. average forward rectified current, R-load T = 100°C I 20 A
C FAV
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Rating for fusing, t < 10 ms T = 25°C i t 600 A s
A
2 2
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Peak forward surge current, single half sine-wave T = 25°C I 350 A
A FSM
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T – 50…+200°C
j
Storage temperature – Lagerungstemperatur T – 50…+200°C
S
Maximum pressure – Maximaler Einpreßdruck 7 kN
0.1
0.01
1
10
I
F
[A]
0.4
0.6 0.8 1.0
U
F
[V]
2
2
2
5
5
5
7
7
7
TJ = 25°C
1.221.4 1.6
5
7
100
89
01.01.99
Diotec
Rated forward current vs. ambient temperature
Zulässiger Richtstrom in Einwegschaltung in
Abhängigkeit von der Umgebungstemperatur
Forward characteristic (typical values)
Durchlaßkennlinie (typische Werte)
KMSF 70 ... KMSF 72
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T – 50...+200°C
j
Storage temperature – Lagerungstemperatur T – 50...+200°C
S
Maximum pressure – Maximaler Einpreßdruck 7 kN
Characteristics Kennwerte
Forward voltage T = 25°C I = 20 A V < 1.2 V
j F F
Durchlaßspannung
Leakage current T = 25°C V = V I < 10 µA
j R RRM R
Sperrstrom
Reverse recovery time I = 0.5 A through/über t < 250 ns
F rr
Sperrverzug I = 1 A to/auf I = 0.25 A
R R
Thermal resistance junction to case R < 1 K/W
thC
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
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