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SM4001 ... SM4007, SM513, SM516, SM518, SM2000
Type
Typ
0.5 0.5
5.0
2.5
SM4001 ... SM4007,
SM513, SM516, SM518, SM2000
Surface Mount Silicon Rectifier Diodes
Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage
Version 2012-04-02
Nominal current
1 A
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
50...2000 V
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case MELF
DO-213AB
Kunststoffgehäuse MELF
Weight approx. – Gewicht ca. 0.12 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Dimensions - Maße [mm]
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
[V]
RRM
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
[V]
RSM
SM4001 50 50
SM4002 100 100
SM4003 200 200
SM4004 400 400
SM4005 600 600
SM4006 800 800
SM4007 1000 1000
SM513 1300 1300
SM516 1600 1600
SM518 1800 1800
SM2000 2000 2000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
TT = 75°C
TT = 100°C
f > 15 Hz I
I
FAV
1 A
0.8 A
FRM
10 A 1)
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward pulse current, t = 1 ms
TA = 85°C I
FSM
100 A
Max. zulässiger Stromimpuls, t = 1 ms
1 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
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SM4001 ... SM4007, SM513, SM516, SM518, SM2000
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current vs. temp. of the terminals
in Abh. v. d. Temp. der TerminalsZul. Richtstrom
[°C]
T
T
150100
50
0
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4
VF0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
40a-(1a-1.1v)
Maximum ratings Grenzwerte
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
TA = 25°C I
FSM
40/44 A 1)
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
TA = 25°C i2t 8 A2s
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-50...+175°C
-50...+175°C
Characteristics Kennwerte
Forward voltage
Tj = 25°C IF = 1 A V
F
< 1.1 V
Durchlass-Spannung
Leakage current
Sperrstrom
Thermal resistance junction to ambient air
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = V
VR = V
RRM
RRM
I
R
I
R
R
thA
< 5 µA
< 50 µA
< 45 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
R
thT
< 10 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
1 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
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